导读:本文包含了高增益功率放大器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:宽带,高增益,功率放大器,GaAs
高增益功率放大器论文文献综述
胡俊,赵华,陈晓娟[1]（2019）在《一种30 MHz～3 GHz宽带高增益功率放大器》一文中研究指出基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一种可应用于甚高频和超高频的宽带高增益功率放大器。该功率放大器采用两级级联结构来克服功率增益的不足,采用堆栈结构来实现平坦的增益和输出功率。仿真结果表明,该功率放大器的工作带宽为30MHz～3GHz,小信号增益为(38.2±1.6)dB,输入输出回路损耗在-10dB以下。在连续波测量模式下,输出1dB压缩点为(35.3±1.0)dBm,功率附加效率为16.8%～11.0%。(本文来源于《微电子学》期刊2019年01期）
黎雨坤,张勇,李骁,陈亚培,靳赛赛[2]（2018）在《基于InP DHBT 220 GHz高增益功率放大器TMIC设计》一文中研究指出基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～225 GHz频率范围内增益大于20 dB,在215 GHz处小信号增益达到最大值为23.3 dB,此外,在220 GHz处的饱和输出功率为3.45 dBm。该功率放大器芯片的成功研制将对构建一个220 GHz发射前端具有重要的意义,目前电路正在流片制作当中。(本文来源于《微波学报》期刊2018年S1期）
程洋,宋树祥,袁伟强,李桂琴,庞中秋[3]（2018）在《8.9 GHz高效高增益E类功率放大器设计》一文中研究指出为了减小功率放大器(power amplifier,PA)的功率损耗,提高功率放大器的增益与工作效率,本文提出一种将两级放大和反馈结构相结合的具有高效率高增益的E类功率放大器,并利用Cadence软件对功率放大器进行分析及仿真验证。仿真结果表明,在180nm CMOS工艺情况下,当电源电压为3.6V,电路频率为8.9GHz时,本文E类功率放大器的输出功率为23.5dBm,增益为24dB,功率附加效率(power added efficiency,PAE)为21%。与传统的PA相比,本文E类功率放大器在增益和功率附加效率方面均得到了提高,适用于通信、电子测量等系统。(本文来源于《广西师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年02期）
郁葱[4]（2016）在《应用于WI-FI信号屏蔽模块的高增益高功率放大器芯片设计》一文中研究指出现代无线通信技术日新月异,使人们的日常交流和通信变得十分便捷、有趣并且自由。良好可靠的便携式移动通信设备已经成为多数人生活中几乎不可替代的一部分,而其中部分设备侵害到了一些传统的行业。开发良好的屏蔽系统,能有效地对这些有害信号进行防范和阻断。在屏蔽系统中,屏蔽信号通过发射机天线向空间辐射。功率放大器处于发射机前端,其性能直接影响系统的屏蔽范围和系统能耗。针对工作在2.4GHz的WI-FI屏蔽系统,一款性能优良的功率放大器是其重点。本项目中放大器采用了2μm的InGaP/GaAs HBT晶体管工艺,由叁级电路结构组成,发射极的面积分别为320μm2、1280μm2、5120μm2,芯片面积仅为1.2mm×1.2mm。实验结果表明,放大器采用5V供电电压,在2.4GHz~2.5GHz频率范围内,功率线性增益在32dB左右,且能够获得良好的输入匹配和输出匹配。此时,其输出P1dB大于34dBm,功率附加效率超过43%。(本文来源于《苏州大学》期刊2016-12-01）
张佳浩[5]（2016）在《高增益宽频带GaN功率放大器设计》一文中研究指出针对新一代半导体材料氮化镓(Gallium Nitride,Ga N)带宽大、效率高的优点,利用ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1.5~2.5GHz宽带高效的功率放大器。设计采用Cree公司的Ga N高电子迁移率晶体管CGH40010F,利用晶体管的大信号模型进行电路仿真,结果显示,功放在1.5~2.5GHz频带内,饱和输出功率大于41.7d Bm,小信号增益大于18d B,功率附加效率大于70%。(本文来源于《电子测试》期刊2016年11期）
李力强[6]（2016）在《微波等离子体光源可变增益功率放大器设计研究》一文中研究指出微波等离子体光源(Light Emitting Plasma,简称LEP)是一种由微波驱动的具有连续光谱的新型光源,诞生于上世纪九十年代。具有高效、节能、光谱连续近似自然光等优点,光效高达115-150lm/w。新型LEP光源以固体微波功率源模块提供微波能,微波功率源模块主要包括:扫频源、可变增益微波放大链路、耦合检波部分和控制部分。本文主要研究用于微波等离子体光源的可调增益射频功率放大器,是可变增益微波放大链路中的前级部分,主要包括预驱动级、驱动级和电可调衰减器叁部分,其主要为最后的末极放大器提供相应功率的输入信号,并根据反馈回路要求对输出功率进行自动调节。具体技术指标为:工作带宽420MHz~470MHz,输出功率大于30dBm,增益大于30dB,衰减量调节范围大于10dB。本文从电路设计和板图方面对射频功率放大器进行了详细的分析,给出了射频功率放大器的一般设计方法;利用ADS软件仿真了功率放大器的稳定性、偏置电路、输入输出匹配电路,分别进行了小信号S参数仿真和大信号谐波平衡仿真;分析了电调衰减器的工作原理,仿真了电调衰减器在所用频率下的性能参数;使用Protel99软件布线设计板图。使用AutoCAD2004软件设计了结构件。最后对本文设计的功率放大器进行了实际加工,并分模块调试了电源部分、预驱动级、驱动级和电可调衰减器,在各模块满足设计指标后对整体系统进行了测试。其中,电源部分需要五路电源,本文利用电源稳压芯片为其中的四路供电,另外一路单独供电;预驱动级部分,输出功率为3W时,功率增益约为15.8dB,输出功率4W时,功率增益约为14.3dB;驱动级部分,小信号增益较为平坦为20dB左右。输入功率超过-1dBm增益压缩较为明显,这与驱动放大器18.5dBm的P1dB一致,输入功率增大到3dBm时,增益压缩超过2dB,增益约为17.7dB;电可调衰减器部分,衰减电压分别选择0V和20V,衰减量分别为15.2dB和3.0dB。最终整体系统的测试结果表明:在工作频带范围内,输入功率为0dBm时,输出功率均大于32.5dBm,增益大于32.5dB,衰减量调节范围大于12.2dB,系统满足设计要求。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-04-12）
菊卫东,汪蕾,王宇明,胡涛[7]（2014）在《星用S频段20W高增益线性化功率放大器的研究》一文中研究指出为了满足卫星通信的特殊需求,研制完成了一款S波段高增益线性化固态功率放大器。固放输出功率为20 W。为了解决高增益的要求,固放内设计完成了小信号的高增益MMIC电路,固放增益达到95 dB,但仍能稳定工作。为了提高固放的线性度,在固放中设计预失真电路,改善了固放的线性化指标:IMD3(叁阶交调)改善了3.5 dB,NPR改善了约2.1 dB,满足了系统的使用要求。固放主要包括两部分:小信号部分(LPS)采用MMIC器件,优化了整机体积和重量;高功率部分(HPS)采用内匹配的砷化镓场效应晶体管。通过优化放大器的工作点,减小器件端口阻抗失配,提高了放大器的工作效率5%。经过最终测试结果对比,固放性能优良,几乎达到国外同类产品的指标。(本文来源于《电子测量与仪器学报》期刊2014年08期）
周鹏,王建利,邬海峰[8]（2014）在《2.65GHz双级高效、高增益F类开关功率放大器设计》一文中研究指出在F类功率放大器的基本工作原理和设计方法的基础上,采用开路枝节微带线匹配的方法实现了F类功率放大器所需要的谐波阻抗匹配,并采用GaN HEMT晶体管设计制作了应用于无线通讯领域的双级高效高增益F类功率放大器。在2.65 GHz工作频率,该功率放大器具有65.69%功率附加效率(PAE)、20 dB的功率增益和10 W输出功率。该功率放大器的实测结果与电路仿真结果相吻合,证明了使用该方法设计F类功率放大器的有效性。(本文来源于《中兴通讯技术》期刊2014年03期）
倪春,张量[9]（2013）在《一种宽带高线性高增益功率放大器的研究与设计》一文中研究指出倍频程宽带功率放大器是宽带射频前端的关键部件,在无线电通信、雷达、电子对抗设备中有着广泛的用途。在对晶体管进行分析的基础上,选择InGaPGaAs异质结双极晶体管TQP7M9105,该晶体管是高线性、高增益的输出功率1W的驱动级功率放大器。设计带宽为400MHz-800MHz,在电路设计中采用新的负载牵引、源牵引仿真方法,在输入激励为12dBm条件下,设计带宽内增益达到19dB,带内波动±1dB,实验结果和仿真结果非常吻合。(本文来源于《合肥师范学院学报》期刊2013年06期）
蒋永红[10]（2013）在《Ku波段宽带高增益单片中功率放大器》一文中研究指出介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制。针对放大器工作频带宽和增益高,容易产生自激振荡等问题,设计过程中特别考虑了放大器的稳定性和增益平坦度。采用0.25μm栅长的GaAs PHEMT工艺完成了芯片制造,微波性能测试结果表明,在12～18 GHz内,该放大器输出功率大于27 dBm,功率增益大于27 dB,输入回波损耗大于12 dB。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年08期）
高增益功率放大器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～225 GHz频率范围内增益大于20 dB,在215 GHz处小信号增益达到最大值为23.3 dB,此外,在220 GHz处的饱和输出功率为3.45 dBm。该功率放大器芯片的成功研制将对构建一个220 GHz发射前端具有重要的意义,目前电路正在流片制作当中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高增益功率放大器论文参考文献
[1].胡俊,赵华,陈晓娟.一种30MHz～3GHz宽带高增益功率放大器[J].微电子学.2019
[2].黎雨坤,张勇,李骁,陈亚培,靳赛赛.基于InPDHBT220GHz高增益功率放大器TMIC设计[J].微波学报.2018
[3].程洋,宋树祥,袁伟强,李桂琴,庞中秋.8.9GHz高效高增益E类功率放大器设计[J].广西师范大学学报(自然科学版).2018
[4].郁葱.应用于WI-FI信号屏蔽模块的高增益高功率放大器芯片设计[D].苏州大学.2016
[5].张佳浩.高增益宽频带GaN功率放大器设计[J].电子测试.2016
[6].李力强.微波等离子体光源可变增益功率放大器设计研究[D].电子科技大学.2016
[7].菊卫东,汪蕾,王宇明,胡涛.星用S频段20W高增益线性化功率放大器的研究[J].电子测量与仪器学报.2014
[8].周鹏,王建利,邬海峰.2.65GHz双级高效、高增益F类开关功率放大器设计[J].中兴通讯技术.2014
[9].倪春,张量.一种宽带高线性高增益功率放大器的研究与设计[J].合肥师范学院学报.2013
[10].蒋永红.Ku波段宽带高增益单片中功率放大器[J].半导体技术.2013