导读:本文包含了瞬态二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:低电容,瞬态抑制二极管,Littelfuse,高速接口
瞬态二极管论文文献综述
[1]（2019）在《Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为高速接口提供低电容ESD保护》一文中研究指出中国,北京,2019年5月8日讯--Littelfuse,Inc.宣布推出两个系列的双向瞬态抑制二极管阵列(SPA~?二极管),用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电(ESD)的损坏。SP3208系列中的第一款瞬态抑制二极管阵列SP3208-01UTG经过机械优化,可提供稳定的超低电容(标称值为0.08 pF)。SP3213系列器件SP3213-01UTG则可提供具有较高成本效益的ESD保护解决方案。(本文来源于《电子测试》期刊2019年11期）
[2]（2019）在《Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为超高速接口提供超低电容ESD保护》一文中研究指出Littelfuse近日宣布推出两个系列的双向瞬态抑制二极管阵列(SPA~?二极管),用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电(ESD)的损坏。SP3208系列中的第一款瞬态抑制二极管阵列SP3208-01UTG经过机械优化,可提供稳定的(本文来源于《中国集成电路》期刊2019年06期）
王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和[3]（2019）在《瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟》一文中研究指出为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。(本文来源于《含能材料》期刊2019年10期）
刘欢,毕文涛,高逢强,胡煜峰,娄志东[4]（2019）在《MA_(0.6)Cs_(0.4)PbBr_3钙钛矿发光二极管瞬态电致发光研究》一文中研究指出为研究钙钛矿材料的发光特性和机理,制备了稳定的MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3钙钛矿发光二极管,通过瞬态电致发光测试,分析了器件在脉冲电压下的电流和发光曲线。MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3发光二极管在恒定的电流密度10 m A·cm~(-2)下,亮度从最大值衰减至一半持续时间超过30 min,保证了瞬态测试的准确性。在0.1～20 ms脉宽测试中,器件发光效率随时间增加,断电后有反向电流;在5.5～8.0 V的脉冲幅值测试中,低电压的亮度最先达到饱和;在0～2.0 V基准电压测试中,高基准电压时亮度值更低。分析瞬态测试结果,发现离子迁移(MA~+,Br~-)导致钙钛矿层的界面附近发生能带弯曲,使得载流子注入减弱,同时抑制了激子的离化,提高了激子复合几率。(本文来源于《发光学报》期刊2019年01期）
程德明,汪瑞昌,汪骏,江文资[5]（2018）在《汽车发电机抛负载用瞬态抑制二极管的研发》一文中研究指出介绍了汽车发电机在抛负载时感应高电压的产生原因及危害,提出了使用瞬态抑制二极管吸收抛负载时产生的功率及能量的方法,并对瞬态抑制二极管相关结构参数进行了设计和计算,所得数椐可供汽车发电机制造商和有关教学科研单位参考。(本文来源于《机电信息》期刊2018年33期）
吴沛冬[6]（2018）在《TVS瞬态电压抑制二极管及其应用》一文中研究指出就雷电瞬时过电压对于精密电子装置的功能影响所造成的干扰与损坏等情况,借助对于瞬态抑制二极管的理念展开研究,并针对10种不同的启动电压的瞬态抑制二极管展开对应的雷电模拟冲击检测,借助示波器搜集残压以及其通流的信息,运算得到瞬态抑制二极管的残压比例。(本文来源于《电子世界》期刊2018年15期）
殷亚飞,崔赟,李宇航,邢誉峰[7]（2018）在《柔性微型无机发光二极管的瞬态传热分析》一文中研究指出集成在柔性衬底上的微型无机发光二极管(microscale inorganic light-emitting diodes,μ-ILED)能够承受拉、弯、扭等载荷,可以实现与人体组织直接集成,可作为一种新型光学探测器应用于人体健康监测和临床医学诊断.但这种电子器件在工作时会发出大量的热,器件的传热特性成为应用的重要问题.本文采用分离变量方法针对具有轴对称形状柔性μ-ILED瞬态传热过程建立了理论和有限元仿真模型,得到了系统温升随时间和空间坐标的变化规律,理论预测结果得到了有限元仿真的验证.通过理论模型,讨论了μ-ILED与封装层/衬底材料面内尺寸之间比值对正常工作下柔性μ-ILED温升的影响关系,这些结果能够预测基于柔性μ-ILED的微小体征探测器的发热过程,对其热管理及相应的散热设计具有一定的指导意义.(本文来源于《中国科学:信息科学》期刊2018年06期）
[8]（2018）在《ittelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列,可在最恶劣的环境中确保最高的可靠性能》一文中研究指出Littelfuse公司,今日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列(SPA?二极管)系列。AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件,最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。AQHV/AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列200W分立型AQHV系列(单向)和AQHV-C(双向)产品可保护敏感型设备免因静电放电(ESD)和其他过压瞬变而损坏。这两个系列的产品均可安全吸收高(本文来源于《世界电子元器件》期刊2018年06期）
[9]（2018）在《汽车用瞬态抑制二极管阵列》一文中研究指出这两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件,最适合用于电源接口、乘客充电接口,以及LED照明模块和低速I/O。200W分立型AQHV系列(单向)和AQHV-C(双向)产品可保护敏感型设备免因静电放电(ESD)和其他过压瞬变而损坏。这两个系列的产品均可安全吸收高于国际标准规定的最高级别的反复性静电放电而不会引起性能下降,并能以极低的钳位电压安全地耗散(本文来源于《今日电子》期刊2018年06期）
[10]（2018）在《Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列,可在最恶劣的环境中确保最高的可靠性能》一文中研究指出Littelfuse公司,今日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列(SPA?二极管)系列。AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件,最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。AQHV/AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列200W分立型AQHV系列(单向)和AQHV-C(双向)产品可保护敏感型设备免因静电放电(ESD)和其他过压瞬变而损坏。这两个系列的产品均可安全吸收高(本文来源于《世界电子元器件》期刊2018年05期）
瞬态二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Littelfuse近日宣布推出两个系列的双向瞬态抑制二极管阵列(SPA~?二极管),用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电(ESD)的损坏。SP3208系列中的第一款瞬态抑制二极管阵列SP3208-01UTG经过机械优化,可提供稳定的
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
瞬态二极管论文参考文献
[1]..Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为高速接口提供低电容ESD保护[J].电子测试.2019
[2]..Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为超高速接口提供超低电容ESD保护[J].中国集成电路.2019
[3].王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和.瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟[J].含能材料.2019
[4].刘欢,毕文涛,高逢强,胡煜峰,娄志东.MA_(0.6)Cs_(0.4)PbBr_3钙钛矿发光二极管瞬态电致发光研究[J].发光学报.2019
[5].程德明,汪瑞昌,汪骏,江文资.汽车发电机抛负载用瞬态抑制二极管的研发[J].机电信息.2018
[6].吴沛冬.TVS瞬态电压抑制二极管及其应用[J].电子世界.2018
[7].殷亚飞,崔赟,李宇航,邢誉峰.柔性微型无机发光二极管的瞬态传热分析[J].中国科学:信息科学.2018
[8]..ittelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列,可在最恶劣的环境中确保最高的可靠性能[J].世界电子元器件.2018
[9]..汽车用瞬态抑制二极管阵列[J].今日电子.2018
[10]..Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列,可在最恶劣的环境中确保最高的可靠性能[J].世界电子元器件.2018
标签：低电容; 瞬态抑制二极管; Littelfuse; 高速接口;