导读:本文包含了多阈值电压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:负偏置温度不稳定性,泄漏功耗,多阈值电压
多阈值电压论文文献综述
张姚,易茂祥,王可可,吴清焐,丁力[1]（2018）在《一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法》一文中研究指出目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一。但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起时序违规。通过找到电路的潜在关键路径集合,运用协同优化算法,将关键路径集合上的门替换为低阈值电压类型,实现了一种考虑功耗约束的多阈值电压方法。基于45nm工艺模型及ISCAS85基准电路的仿真结果表明,在一定功耗约束下,该方法的时延改善率最高可达12.97%,明显优于常规多阈值电压方法。电路的规模越大,抗泄漏功耗的效果越好。(本文来源于《微电子学》期刊2018年06期）
熊俊峰,刘祥远,郭阳[2]（2012）在《基于多阈值电压技术的功耗优化方法研究》一文中研究指出随着工艺技术的进步,如何降低漏电功耗已经成为当前设计的关键。本文以一款高性能DSP芯片为背景,对多阈值电压技术降低漏电功耗的特点和方法进行了分析,并探讨了一种基于层次化设计来降低功耗的设计方案。通过采用"分块化"思想对设计进行综合优化,实验表明,本文的方法不仅满足了时序收敛的要求,也显着降低了漏电功耗。(本文来源于《第十六届计算机工程与工艺年会暨第二届微处理器技术论坛论文集》期刊2012-08-17）
张海鹏,魏同立,杨国勇,冯耀兰,宋安飞[3]（2001）在《一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路》一文中研究指出提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2001年02期）
多阈值电压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着工艺技术的进步,如何降低漏电功耗已经成为当前设计的关键。本文以一款高性能DSP芯片为背景,对多阈值电压技术降低漏电功耗的特点和方法进行了分析,并探讨了一种基于层次化设计来降低功耗的设计方案。通过采用"分块化"思想对设计进行综合优化,实验表明,本文的方法不仅满足了时序收敛的要求,也显着降低了漏电功耗。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多阈值电压论文参考文献
[1].张姚,易茂祥,王可可,吴清焐,丁力.一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法[J].微电子学.2018
[2].熊俊峰,刘祥远,郭阳.基于多阈值电压技术的功耗优化方法研究[C].第十六届计算机工程与工艺年会暨第二届微处理器技术论坛论文集.2012
[3].张海鹏,魏同立,杨国勇,冯耀兰,宋安飞.一种自动体偏置多阈值电压高温SOICMOS电路[J].功能材料与器件学报.2001