导读:本文包含了电子散射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电子烟烟雾量,粒径与粒子数,光的透射和散射
电子散射论文文献综述
雷金辉,张晨光,陈焰,赵伟,牛淑洁[1]（2019）在《光散射法在电子烟气溶胶测量中的应用》一文中研究指出为了能够确定电子烟烟雾量的准确定义,并实现电子烟烟雾量的在线、定量测量的目标,文中对10种样品按照HCI深度抽吸模式,通过光透射和散射理论研究光强与粒度的关系,进行实验验证并对结果进行分析,解决了光强与粒径、粒子数的非线性化问题,建立了粒子与光强之间的数学模型,使粒子与光强线性化,便于研究测量。该测量方法以光透射和散射为基本原理,以粒子质量为中间变量,为电子烟烟雾量提供了一种在线实时检测的方法,能够更全面的表达烟雾量指标。(本文来源于《信息技术》期刊2019年12期）
张浩,赵俊卿[2]（2019）在《基于Kondo粒子散射的电子自旋纠缠》一文中研究指出通过研究自旋不固定的Kondo粒子散射对电子自旋状态的影响,可为调控电子自旋的纠缠程度以及量子信息传递提供理论基础。文章基于Kondo粒子散射理论模型,分别研究了Kondo粒子散射对单自由电子和双自由电子自旋纠缠程度的影响,利用Mathematica软件计算了纠缠度的变化特征。结果表明:当自由电子经过时,Kondo粒子散射改变了入射电子态中不同成分自旋的比例,起到了纠缠浓缩的作用;当相互作用的2个自由电子经过时,Kondo粒子散射可以使其形成自旋纠缠,其纠缠程度取决于初始状态和散射势高度,适当调整势垒高度能够有效地控制电子纠缠程度。(本文来源于《山东建筑大学学报》期刊2019年05期）
崔桂彬,鞠新华,尹立新,孟杨,温娟[3]（2019）在《基于电子背散射衍射技术的低碳钢原奥氏体晶界的显示技术探讨》一文中研究指出常规对原奥氏体晶界的显示均采用晶界腐蚀法,但是该方法成功率不高,具有一定的局限性,且所使用的苦味酸溶液属于危险品,因此,为了更好地显示出原奥氏体晶界,实验借助电子背散射衍射技术(EBSD)对低碳钢原奥氏体晶界的显示方法进行了详细研究。结果表明,与常规的晶界腐蚀法相比,借助EBSD技术可以显示原奥氏体晶界,其最佳晶界取向差在20°～50°之间,且该低碳钢原奥氏体平均晶粒尺寸为40.02μm,与晶界腐蚀法统计的结果基本一致,但是对于经过大变形的原奥氏体晶界,实验方法并不适用,这可能与变形后马氏体变体之间的取向差随之变化有关。(本文来源于《冶金分析》期刊2019年07期）
李杰民[4]（2019）在《共振（非）弹性X射线散射及其在强关联电子体系中的应用》一文中研究指出研究材料内的电子运动行为以及电子间相互作用是凝聚态物理的核心问题,为此,人们研发了不同的实验手段,比如角分辨光电子能谱,扫描隧道谱,中子散射以及一些与光散射相关的光谱学测量手段等等,这其中,基于同步辐射的X射线散射,特别是共振(非)弹性X射线散射扮演着一个至关重要的角色。近年来,得益于第叁代同步辐射的运行以及机械工艺方面的进步,共振(非)弹性X射线散射实验设备得到了快速发展,因而与之相关的实验手段在凝聚态物理领域,特别是其中的强关联电子系统中得到了广泛应用,所以本论文主要包括以下四个部分:Ⅰ英国钻石同步辐射中心的共振非弹性X射线散射实验线站。优良的光学设计以及机械加工使得该线站拥有目前世界上最先进的共振非弹性X射线散射谱仪之一,为此我们介绍了该线站的光学设计和一些光学元件的调试方法;除此之外,我们也发展了一套处理该线站实验数据的方法,这些有助于人们能够更好地理解该实验技术和实验数据。Ⅱ共振非弹性X射线散射在KCuF_3轨道和自旋动力学行为上的应用。超高的能量分辨率揭示出KCuF_3中的一些有色散行为的低能激发和无色散行为的高能激发;通过与理论对比,我们发现低能激发是来自体系的自旋动力学行为,而高能激发则是体系内一些局域的轨道间激发,这些结果促使人们重新认识KCuF_3中的长程轨道元激发。Ⅲ共振非弹性X射线散射对Bi_2Sr_(2-x)La_xCuO_(6+δ)中的短程电荷序结构研究。短程电荷序结构已被证实为铜基高温超导体中的一种普适现象。在本项工作中,我们成功地在O K吸收边观测到该结构,与此同时,空穴掺杂依赖结果显示该结构在轻微过掺杂区域不存在;结合Cu L_3吸收边显示的低能声子畸变行为,我们的观测能够帮助人们更好地认识短程电荷序结构与铜基高温超导体中其他电子态之间的关系。Ⅳ共振弹性X射线散射对Sr_2IrO_4磁结构在激光扰动下的驰豫行为研究。在激光扰动下,我们发现Sr_2IrO_4磁结构的恢复表现出两个时间参数,其中快速恢复与Sr_2IrO_4自旋自由度相关,而慢恢复行为抖动比较大,可能是由系统在恢复过程中形成的杂乱无序的磁畴之间竞争所导致的。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-05-01）
陈涛[5]（2019）在《氨分子和氩原子的快电子散射动力学参数研究》一文中研究指出我们知道世界是物质的,物质的基本组成单元是原子和分子。研究原子分子有助于拓展人们对物质结构的认识,促进对微观世界量子行为的理解。原子分子的能级结构和动力学参数在等离子体物理、凝聚态物理、天体物理和大气物理等相关学科也有重要的应用。利用入射粒子与靶体系的相互碰撞来研究物质的内部结构,早已是一项非常普遍且强有力的研究手段,然而至今为止对于有些散射过程的理解却远谈不上完全和彻底。本论文利用实验室现有的高分辨快电子能量损失谱仪,在1500eV入射电子能量及80meV和90meV的分辨下,分别开展了NH3分子和Ar原子的非弹性散射实验。具体如下:1.研究了NH3分子A1A"2←X1A1跃迁的广义振子强度,探讨了快电子碰撞中一阶Born近似成立的条件。实验中首次给出了(0,v2)和(1,v2)跃迁带振动分辨的广义振子强度,同时观察到跃迁带广义振子强度极小值位置表现出微弱的振动量子数依赖行为,这很有可能是由于Franck-Condon因子随角度变化以及相关振动效应造成的。通过外推广义振子强度到动量转移为零,获得了A1A"2的光学振子强度,并对以前实验结果进行了独立的交叉检验。基于本次实验测量的广义振子强度,利用BE-scaling方法获得了A1A"2从阈值到5000eV的积分截面。2.利用相对流量技术研究了Ar原子价壳层激发,系统给出了电单极、电偶极、电四极和电八极跃迁的广义振子强度。我们注意到在K2<1.5 a.u.,电单极跃迁3p54p'[1/2]0在1500eV下的结果和朱林繁等人在2500eV下电子碰撞结果完美符合,但却偏离x-ray非弹性散射的结果,这表明一阶Born近似不成立,与我们通常认为电子碰撞高能散射收敛结果对应于一阶Born近似的认识相矛盾。类似情况也出现在N2分子a1Пg+w1Δu的跃迁中。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
赵伟,彭宇飞,秦臻,李建北,龙继东[6]（2019）在《X射线管中散射电子的特性研究》一文中研究指出在X射线管的设计中,特别是高功率的CT球管,电子束打靶产生的散射电子是影响设计的重要因素之一,因此对束靶作用产生的散射电子特性进行研究具有重要的意义。本文利用蒙特卡罗模拟软件MCNP对X射线管中电子束轰击阳极靶的过程进行了物理建模和计算分析,研究了物理过程中产生的散射电子的特性,包括产额、平均能量、总能量和角分布等,同时模拟计算和分析了电子束的能量、阳极靶的材料和电子束的入射角度对散射电子特性的影响,为X射线管的设计提供束靶作用的理论基础。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年02期）
谭语诗[7]（2019）在《圆偏振激光场下激发态氢原子电子电离的叁重微分散射截面的研究》一文中研究指出散射过程是物理学中重要的研究领域,散射过程的研究在了解微观粒子结构和运动规律性上起着重要的作用,在理论研究上主要通过叁重微分散射截面了解散射过程中的信息。电子碰撞原子的过程称为(e,2e)反应,氢原子的(e,2e)反应是散射过程中最简单的一种,随着激光技术的迅速发展,加入激光场后的(e,2e)反应得到了广泛的研究,这对于等离子物理、化学反应、核聚变物理等方面的研究有着重要的意义,激光场下(e,2e)反应的研究有利于人们对于微观世界的探索。本文主要研究的是圆偏振激光场中电子离化激发态氢原子的叁重微分散射截面,激光场选用弱场。计算过程以薛定谔方程为基础,利用一级玻恩近似条件,使用合流超几何函数、贝塞尔函数辅助,选取适当的波函数描述入射电子、靶原子、散射电子和碰出电子。通过计算得出叁重微分散射截面具体表达形式。利用控制变量的方法,分别改变散射角度、有效电荷数、碰出电子能量,利用Mathematica绘制出叁重微分散射截面的图像,分析激光场下各物理量对叁重微分散射截面的影响。通过绘制出的二维图像发现,靶原子为氢原子?_(200)态时,binary峰随散射角度、碰出电子能量、有效电荷数的增加,峰值的变化情况是减小的,峰的位置发生了偏移。靶原子为氢原子?_(210)态时和考虑斯塔克修正的情况下,binary峰都发生了分裂,增大散射角度、碰出电子能量、有效电荷数时,分裂的两个峰受到抑制,峰值明显降低,峰的位置发生了明显改变。(本文来源于《辽宁大学》期刊2019-04-01）
付晨[8]（2019）在《极化库仑场散射理论应用于AlGaN/GaN电力电子器件的研究》一文中研究指出电力电子器件(Power electronic device)也叫做功率器件,是一种对电能实现传输、控制和转换的器件,在电力电子技术及电力系统中居于至关重要的地位,在军工设备、汽车电子、家用电器、轨道交通及通信、信息系统中有着十分广泛的应用。到目前为止,电力电子器件主要使用半导体材料制备,经由微电子加工工艺制造而成。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在第叁代半导体中备受青睐。基于GaN材料较大的禁带宽度(Eg),该类器件可获得良好的关态耐压特性。自发极化和压电极化效应在AlGaN/GaN界面形成大量极化正电荷,使得异质结量子阱中2DEG面密度非常高,显示了强大的电流处理能力和更高的载流子迁移率,并由此获得更低的特征开态电阻(RON·A)和更快的开关速度。此外,GaN材料良好的热导率及相对稳定的化学性质,使得AlGaN/GaN HEMTs具有较强的抗腐蚀和抗辐射能力,适合在高温等更多恶劣的环境中工作。对于传统工艺制备的电力电子器件来说,表面钝化与淀积场板已成为不可或缺的步骤,这些工艺步骤必然会对器件的势垒层应变产生影响,并进一步改变器件工作时的电学特性,为厘清器件钝化后的工作机理,必须得到钝化过程对沟道二维电子气的影响,以及器件在表面钝化后AlGaN势垒层中应变分布发生的变化。通常由高分辨率X射线衍射(high resolution X-ray diffraction,HRXRD)拉曼(Raman)光谱、光致发光(photoluminescence,PL)谱叁种实验方法来确定GaN外延层应变,但是,由于AlGaN势垒层20 nm左右的超薄厚度,其内部确切的应变分布很难通过以上实验测试手段获取;尤其是HRXRD只能提供材料的某一层平面一定范围内应变的平均数值,对于制备后器件的电学特性和结构变化的表征无能为力,无法确定表面钝化后器件AlGaN势垒层中新的应变分布或沟道二维电子气面密度分布,这对于研究钝化后AlGaN/GaN HEMTs的工作机理是一个巨大瓶颈。因此到目前为止,对器件钝化后沟道二维电子气面密度分布及AlGaN势垒层应变分布的定量确定方法尚未见报道。极化库仑场散射(The polarization Coulomb field scattering,PCF)是一种对GaN基电子器件的输运特性起到关键影响作用的散射机制,深入研究极化库仑场散射对钝化及淀积场板后AlGaN/GaN电力电子器件性能的影响,并在此基础上进一步优化器件设计,提高器件性能具有很重要的意义,基于以上讨论,本论文着重进行了下列研究:1.一种确定AlGaN/GaN电力电子器件表面钝化后沟道二维电子气面密度分布方法的研究。对于AlGaN/GaN电力电子器件,势垒层中极化电荷对器件性能的影响至关重要,而极化效应是与势垒层应变直接相关的,器件势垒层的应变直接影响着沟道二维电子气的特性。然而,由于AlGaN势垒层的超薄厚度以及栅金属的阻挡作用,通过HRXRD等常规测试方法无法直接得到器件钝化后沟道二维电子气面密度的分布信息,因而非常有必要研究一种可以直接确定器件钝化后沟道二维电子气面密度分布的方法。极化库仑场散射源于势垒层应变分布不均匀,利用极化库仑场散射理论,结合器件的电学特性测试分析,可定量确定AlGaN/GaN电力电子器件表面钝化后沟道二维电子气面密度的分布。为此,制备了源漏间距100 μm,栅长为20 μm的AlGaN/GaN HEMTs,通过测试获得了器件钝化前后的电流-电压(I-V)特性,电容-电压(C-V)特性及漏电特性等,发现器件经过400 nm-Si3N4表面钝化后呈现了更为良好的电学性能,作为电力电子器件开态重要性能的特征开态电阻RON·A的数值在器件钝化后降低了12.7%,膝点电压也较钝化减小了 7.1%,显示了钝化后器件更好的电导特性。分别研究了器件钝化前后的漏电特性和转移特性等,确定了器件钝化后的极化库仑场散射势,根据实验数据提取的不同栅源偏压下的载流子低场迁移率以及极化库仑场散射理论模型,采用自洽迭代的方法求解了器件钝化前后AlGaN/GaN异质界面处附加极化电荷的分布,并且由此确定了器件钝化过程引入AlGaN势垒层的的应变类型,从数值上确定了器件表面钝化后沟道二维电子气的面密度分布。采用栅探针测试方法对器件的栅-源通道电阻Rs进行了测试,并通过将测试值与利用极化库仑场散射理论论得到的计算值进行比对,验证了上述利用极化库仑场散射理论确定器件钝化后沟道二维电子气面密度分布方法的正确性。2.表面钝化后AlGaN/GaN 电力电子器件势垒层应变分布的确定及器件性能变化的研究。为厘清AlGaN/GaN电力电子器件钝化前后电学特性的变化机理,获得一种对器件钝化后AlGaN势垒层中应变分布的定量分析方法十分必要。目前已知的X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、拉曼(Raman)光谱和光致发光(photoluminescence,PL)谱叁种实验方法对于厚度约20 nm的AlGaN势垒层,很难获得其内部确切的应变分布,由于HR-XRD等测试手段只能提供材料某一层平面一定范围内应变的平均数值,无法表征器件制备后的电学特性和结构变化,尤其是无法确定表面钝化后器件AlGaNN势垒层中新的应变分布,这对于研究钝化后AlGaN/GaN电力电子器件的工作机理是一个巨大瓶颈。为了定量分析不同厚度Si3N4表面钝化后AlGaN/GaN电力电子器件势垒层中的应变分布,在两枚晶片上制备了尺寸完全相同的两组器件,栅长同为3μm,栅源间距和栅漏间距依次为7μm和30 μm。在250 ℃C下对两枚晶片分别采用PECVD进行了厚度为250nm和400nm的Si3N4表面钝化,器件在钝化前后分别在室温(300K)下进行了 Ⅰ-Ⅴ特性,C-V特性等测试。基于对测试数据的分析,排除了 Si3N4钝化层对表面陷阱的消除作用和PECVD引入的离子注入损伤对器件电学特性的影响,对器件钝化后势垒层附加应变的变化进行了分析和探讨。利用极化库仑场散射理论,采用与前述相同的自治迭代方法,获得了AlGaN/GaN电力电子器件在不同厚度钝化后势垒层极化电荷分布情况,然后结合GaN基异质结材料自发极化以及压电极化经典的基本理论,确定了AlGaN/GaN电力电子器件在不同厚度钝化后后栅下及栅-源、栅-漏沟道区域势垒层的应变分布。为了研究极化库仑场散射机制对表面钝化后AlGaN/GaN电力电子器件性能的影响,制备了栅源间距、栅长和栅漏间距依次为5μm/3μm/40 μm,和栅长、栅源间距和栅漏间距依次为7 μm/3 μm/30 μm的电力电子器件,并根据先前模拟的结果采用厚度为400nm的Si3N4材料进行表面钝化。在I-V输出特性曲线中观察到,两种厚度钝化后的器件,其膝点电压的数值分别降低了 15.3%和10.4%,在栅源偏压Vgs=lV的条件下,特征开态电阻RON·A的数值分别降低了7.0%和7.1%。分析了钝化前后两种器件的漏电特性、直流跨导特性和C-V特性,在排除Si3N4钝化层对于表面陷阱态的消除作用后,对器件钝化后AlGaN势垒层中应变变化进行了研究。利用极化库仑场散射理论,通过测试参数值与理论计算值比对的方法,分析发现钝化后两种器件的载流子低场迁移率都出现了数值上的提升,这可归因于钝化过程引入器件AlGaN势垒层的附加压应变及由此造成的势垒层极化电荷分布不均匀性的削弱,并最终导致的极化库仑场散射的削弱。研究发现,在其他几种散射机制基本保持不变的前提下,极化库仑场散射的减弱是器件钝化后特征开态电阻RON·A减小及膝点电压降低的主要原因,因此可以在未来的电力电子器件设计中,通过故意控制AlGaN/GaN电力电子器件钝化过程的条件和参数来实现更优异的器件性能。3.应用极化库仑场理论研究淀积栅场板结构对AlGaN/GaN电力电子器件性能变化的影响。研究了淀积栅场板结构对AlGaN/GaN电力电子器件电学特性带来的影响。制备了栅宽为lOOμm,栅源间距、栅长和栅漏间距依次为40 μm/20 μm/40μm的器件,在钝化层上淀积了栅极场板。在场板淀积前后分别对器件进行了 I-V特性,C-V特性的测试,发现淀积栅场板后的器件最大漏极电流IDmax提升了3%的,直流跨导峰值gm-max提升了2.6%,显示了器件淀积场板后导通特性和栅控能力的改善。并采用栅探针方法测试了淀积场板前后不同极化电荷分布下的栅-漏通道电阻RD,发现器件在淀积场板后器件沟道载流子迁移率的提升和RD数值的降低保持了良好的一致。由于器件工作在栅极加载偏压的状态,根据逆压电效应,栅极场板下方区域AlGaN势垒层中的应变会随栅偏压的变化而变化,并由此导致器件势垒层中附加极化电荷的变化,并最终导致极化库仑场散射势的变化。在温度等其他条件不变的情况下,各种散射机制中只有极化库仑场散射的散射势受到极化电荷分布的影响而产生变化,并使得器件的电学特性发生变化。我们根据逆压电效应确定了栅极场板在外加栅偏压时引入AlGaN势垒层中的附加极化电荷数量,证明在栅-源负偏压下,栅极场板下方引入的负的附加极化电荷削弱了器件势垒层中因钝化引入的正极化电荷,从而削弱了极化库仑场散射的强度,导致了器件电学性能的提升。利用极化库仑场散射理论,采用与前述相同的自洽迭代方法,最终确定了淀积场板前后器件栅-漏区域载流子低场迁移率的变化,栅-源负偏压下这一区域沟道载流子迁移率数值的上升,与淀积场板结构削弱极化库仑场散射这一结论体现了良好的一致性。(本文来源于《山东大学》期刊2019-03-30）
王琴,尹明干,陈康[9]（2018）在《背散射电子图像法分析玻化微珠对加气混凝土的改性机理》一文中研究指出作为粉煤灰加气混凝土的主要产物,托贝莫来石晶体量的变化对加气混凝土的强度、干密度和保温性能有一定的影响。通过对普通灰加气混凝土和玻化微珠改性灰加气混凝土BSE图形的分析处理,计算出两种混凝土中晶体和胶体的体积率,发现玻化微珠改性灰加气混凝土的胶体是普通灰加气混凝土的1. 5倍。结合SEM照片分析可知改性后的加气混凝土中托贝莫来石晶体变小,孔隙分布均匀,从而改善了加气混凝土的保温性能。分析结果从微观上解释了玻化微珠对加气混凝土的改性机理,而图像法则为水化产物的定量分析提供了科学依据。(本文来源于《盐城工学院学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
李树[10]（2019）在《光子与相对论麦克斯韦分布电子散射的能谱角度谱研究》一文中研究指出光子与相对论麦克斯韦分布电子散射的描述及能谱角度谱计算非常复杂且费时.本文提出了一种光子与相对论麦克斯韦速度分布电子散射的蒙特卡罗(MC)模拟方法,该方法能够细致模拟高温等离子体中任意能量光子与任意温度电子的Compton和逆Compton散射问题.对于散射后光子的能谱和角度谱参数,可以根据电子温度抽样若干不同状态的电子,分别模拟其与光子发生散射,可以得到各次散射后的光子能量和偏转角度,取统计平均后的结果即可获得该光子与该温度电子散射的能谱和角度谱分布.根据该方法编写了光子与相对论电子散射MC模拟程序,开展了高温全电离等离子体中光子与相对论电子散射的能谱角度谱计算和分析,分析结果显示:热运动电子将展宽出射光子能谱,且低能光子与高温电子散射后的蓝移现象明显;出射光子的角度谱很复杂,其决定于入射光子能量、出射光子能量及电子温度.基于该方法计算并以数表形式给出的光子-相对论电子散射能谱角度谱数据,可以供辐射输运数值模拟程序使用.(本文来源于《物理学报》期刊2019年01期）
电子散射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过研究自旋不固定的Kondo粒子散射对电子自旋状态的影响,可为调控电子自旋的纠缠程度以及量子信息传递提供理论基础。文章基于Kondo粒子散射理论模型,分别研究了Kondo粒子散射对单自由电子和双自由电子自旋纠缠程度的影响,利用Mathematica软件计算了纠缠度的变化特征。结果表明:当自由电子经过时,Kondo粒子散射改变了入射电子态中不同成分自旋的比例,起到了纠缠浓缩的作用;当相互作用的2个自由电子经过时,Kondo粒子散射可以使其形成自旋纠缠,其纠缠程度取决于初始状态和散射势高度,适当调整势垒高度能够有效地控制电子纠缠程度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子散射论文参考文献
[1].雷金辉,张晨光,陈焰,赵伟,牛淑洁.光散射法在电子烟气溶胶测量中的应用[J].信息技术.2019
[2].张浩,赵俊卿.基于Kondo粒子散射的电子自旋纠缠[J].山东建筑大学学报.2019
[3].崔桂彬,鞠新华,尹立新,孟杨,温娟.基于电子背散射衍射技术的低碳钢原奥氏体晶界的显示技术探讨[J].冶金分析.2019
[4].李杰民.共振（非）弹性X射线散射及其在强关联电子体系中的应用[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[5].陈涛.氨分子和氩原子的快电子散射动力学参数研究[D].中国科学技术大学.2019
[6].赵伟,彭宇飞,秦臻,李建北,龙继东.X射线管中散射电子的特性研究[J].真空电子技术.2019
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[8].付晨.极化库仑场散射理论应用于AlGaN/GaN电力电子器件的研究[D].山东大学.2019
[9].王琴,尹明干,陈康.背散射电子图像法分析玻化微珠对加气混凝土的改性机理[J].盐城工学院学报(自然科学版).2018
[10].李树.光子与相对论麦克斯韦分布电子散射的能谱角度谱研究[J].物理学报.2019