导读:本文包含了纳米球刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微纳结构,纳米球刻蚀,Plasmonic,Plasmon
纳米球刻蚀论文文献综述
胡家文,文海琼,罗春香,杜元春,徐蝶[1]（2015）在《纳米球刻蚀制备有序微纳结构的Plasmon、SERS和Plasmonic传感应用》一文中研究指出表面增强拉曼散射(SERS)是由金属的等离子体(plasmon)产生的拉曼信号异常放大现象,具有极高灵敏度,已发展成为一种重要的表面谱学技术。金属的plasmon性质取决于材料性质、组成和微纳结构的形貌。发展新的plasmon微纳结构不仅可以提高SERS的灵敏度、稳定性和重现性,还有可能创(本文来源于《第十八届全国光散射学术会议摘要文集》期刊2015-10-22）
文海琼,崔莺,李焕焕,罗春香,胡家文[2]（2014）在《纳米球刻蚀有序SERS基底和SERS活性热点》一文中研究指出纳米球刻蚀以聚苯乙烯或SiO_2微球的单层有序胶体晶体为刻蚀掩膜,是一种低成本的制备单层有序(六角形或类似结构)纳结构图案的技术。为了拓展其应用,我们以纳米球刻蚀的Au球形部分孔(SSV)阵列为内层基底,采用电化学沉积技术,制备了超薄过渡金属(TM,Pd或Pt)包覆Au SSV(Au SSV/TM)的层状有序基底,可以显着提高过渡金属表面增强光谱信号的稳定性和重现性。在此基础上,进一步以薄SiO_2层包金(Au@SiO_2)纳米粒子为刻蚀掩膜,发展了基于纳米球刻蚀技术的亚5 nm碗状SERS活性"热点"构筑技术。基于以上研究成果,本文以不同内核尺寸的Au@SiO_2纳米粒子为掩膜,讨论了粒子尺寸对碗状"热点"SERS活性的影响。(本文来源于《第十八届全国分子光谱学学术会议论文集》期刊2014-10-31）
耿翀,严清峰,沈光球,王晓青,沈德忠[3]（2012）在《纳米球刻蚀胶体模板的热改性研究》一文中研究指出纳米球刻蚀是一种利用化学自组装胶体晶体单层作为掩膜的一种低成本且快速制备有序纳米结构的技术,在微纳米加工中备受关注。本文介绍了一种调节聚合物纳米微球间隙的方法。利用扫描电镜(SEM)对聚(本文来源于《中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集》期刊2012-04-13）
郑露,余洁,严清峰[4]（2012）在《用于纳米球刻蚀的大面积、高强度胶体晶体单层薄膜制备》一文中研究指出纳米球刻蚀技术是一种基于化学自组装的高效制备大面积周期性纳米点阵的方法,具有成本低廉、工艺操作简单等优点,其核心是衬底上大面积、高质量胶体晶体单层掩膜的制备。近年来,水气界面自组装方(本文来源于《中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集》期刊2012-04-13）
孔令琦,张春婧,黄胜利,朱贤方[5]（2012）在《铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响》一文中研究指出利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排叁角形银纳米阵列,通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度,研究它们对点阵结构的影响.实验发现,加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善,叁角形角部更加尖锐,更能满足传感器对信号检测的要求.同时,该过渡层应蒸镀在模板球排列之后,才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构.在沉积角度对制备二维银纳米点阵的影响的实验中,基片没有旋转,采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵.吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用.这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.(本文来源于《物理学报》期刊2012年03期）
罗银燕,朱贤方[6]（2011）在《电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响》一文中研究指出在使用纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵的过程中,使用不同的镀膜方法在同样的模板上得到了不同形貌的银纳米阵列结构.使用电阻热蒸发镀膜方法获得了六角排列的银纳米叁角形阵列结构,使用电子束蒸发镀膜方法则获得了六角排列的银纳米环阵列结构.研究表明,沉积纳米粒子的粒径、表面纳米曲率效应和热能是形成不同结构形貌的纳米阵列结构的关键因素.(本文来源于《物理学报》期刊2011年08期）
刘斌斌,肖湘衡,吴伟,任峰,蒋昌忠[7]（2011）在《基于纳米球刻蚀的银纳米颗粒阵列和有序纳米壳层的制备》一文中研究指出通过经引流片改进的"漂移法",使单分散聚苯乙烯球胶体颗粒成功自组装形成按六角密排结构的二维胶体晶体.实验结果表明,除存在极少量的线缺陷,可得到大面积(50μm×50μm)的PS球有序排列区域.以上述聚苯乙烯球胶体晶体作为掩膜板,用纳米球刻蚀和电子束蒸镀技术相结合的方法,成功地制备了叁角形的银纳米颗粒阵列.以聚苯乙烯球作为"牺牲"纳米球模板,得到了一种简单有效的制备碗状银纳米壳层的方法.这种方法可拓展到其他材料,可通过选择不同粒径的PS球来控制贵金属纳米颗粒的大小和制备不同尺寸的纳米壳层.(本文来源于《武汉大学学报(理学版)》期刊2011年03期）
罗银燕,朱贤方[8]（2010）在《铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米结构的影响》一文中研究指出研究了铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响。首先利用自组装的方法在玻璃基底上制备出单层排列的聚苯乙烯纳米球阵列,然后使用物理气相沉积的方法在二维聚苯乙烯纳米球阵列上沉积一层铬层作过渡层和银层,最后将玻璃基底在乙醇溶液中超声移除聚苯乙烯纳米球,得到二维的银纳米点阵。实验发现,随着铬过渡层厚度的增加,制得的二维银纳米点阵阵列趋于完整,单个的银纳米颗粒由椭圆状转变为叁角形形状。实验中测量了所得到的二维银纳米结构的吸收光谱。(本文来源于《光谱实验室》期刊2010年06期）
孙萍,徐岭,赵伟明,李卫,徐骏[9]（2008）在《纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究》一文中研究指出采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米阵列在长波段透光性较好,短波段透光性几乎为零,表现出良好的光透选择性.(本文来源于《物理学报》期刊2008年03期）
钟智勇,刘爽,赵文多,李敏姬,张怀武[10]（2005）在《纳米球刻蚀技术》一文中研究指出纳米球刻蚀技术是一种并行的制备纳米点阵的自组装方法,其核心是二维有序纳米胶体球阵列掩膜的制备。本文详细介绍了二维有序纳米胶体球阵列掩膜的各种自组装合成原理与方法,分析了各种工艺参数的纳米阵列的影响。最后,综述了纳米球刻蚀技术的发展状况与趋势。(本文来源于《功能材料》期刊2005年09期）
纳米球刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
纳米球刻蚀以聚苯乙烯或SiO_2微球的单层有序胶体晶体为刻蚀掩膜,是一种低成本的制备单层有序(六角形或类似结构)纳结构图案的技术。为了拓展其应用,我们以纳米球刻蚀的Au球形部分孔(SSV)阵列为内层基底,采用电化学沉积技术,制备了超薄过渡金属(TM,Pd或Pt)包覆Au SSV(Au SSV/TM)的层状有序基底,可以显着提高过渡金属表面增强光谱信号的稳定性和重现性。在此基础上,进一步以薄SiO_2层包金(Au@SiO_2)纳米粒子为刻蚀掩膜,发展了基于纳米球刻蚀技术的亚5 nm碗状SERS活性"热点"构筑技术。基于以上研究成果,本文以不同内核尺寸的Au@SiO_2纳米粒子为掩膜,讨论了粒子尺寸对碗状"热点"SERS活性的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米球刻蚀论文参考文献
[1].胡家文,文海琼,罗春香,杜元春,徐蝶.纳米球刻蚀制备有序微纳结构的Plasmon、SERS和Plasmonic传感应用[C].第十八届全国光散射学术会议摘要文集.2015
[2].文海琼,崔莺,李焕焕,罗春香,胡家文.纳米球刻蚀有序SERS基底和SERS活性热点[C].第十八届全国分子光谱学学术会议论文集.2014
[3].耿翀,严清峰,沈光球,王晓青,沈德忠.纳米球刻蚀胶体模板的热改性研究[C].中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集.2012
[4].郑露,余洁,严清峰.用于纳米球刻蚀的大面积、高强度胶体晶体单层薄膜制备[C].中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集.2012
[5].孔令琦,张春婧,黄胜利,朱贤方.铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响[J].物理学报.2012
[6].罗银燕,朱贤方.电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响[J].物理学报.2011
[7].刘斌斌,肖湘衡,吴伟,任峰,蒋昌忠.基于纳米球刻蚀的银纳米颗粒阵列和有序纳米壳层的制备[J].武汉大学学报(理学版).2011
[8].罗银燕,朱贤方.铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米结构的影响[J].光谱实验室.2010
[9].孙萍,徐岭,赵伟明,李卫,徐骏.纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究[J].物理学报.2008
[10].钟智勇,刘爽,赵文多,李敏姬,张怀武.纳米球刻蚀技术[J].功能材料.2005