导读:本文包含了直接敷铜陶瓷基板论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:集成电力电子模块,直接敷铜,氮化铝,基板
直接敷铜陶瓷基板论文文献综述
卢会湘,胡进,王子良[1]（2010）在《直接敷铜陶瓷基板技术的研究进展》一文中研究指出功率模块以及集成电力电子模块(integrated power electronics module,IPEM)的发展带动直接敷铜(direct bonded copper,DBC)基板技术的迅猛发展。详细介绍了DBC基板技术的技术原理与技术路线,通过机理的分析,指出重点,然后分别讲述了Al_2O_3-DBC和AlN-DBC基板制备的关键技术、解决方向以及一些最新的研究进展和研究方向,结合实例说明了DBC技术的应用前景,并指出了今后的发展方向。(本文来源于《2010’全国半导体器件技术研讨会论文集》期刊2010-07-16）
井敏[2]（2009）在《金属直接敷接陶瓷基板制备方法与性能研究》一文中研究指出本文首先综述了金属敷接陶瓷基板技术的发展,从敷接方法和应用的角度简述了金属敷接陶瓷基板在不同时期的研究进展,同时对敷接原理作出分析。在此基础上指出了本课题研究目的和意义。针对金属/氧化铝之间润湿性能差的缺点,尝试了改进润湿性能的物理与化学方法,并且取得较理想的结果。开发出了敷接铜和铝的新颖方法和优化工艺,相对于传统敷接方法,采用该工艺制备出的样品具有敷接强度高、抗热震性能好等优点。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和元素线分析(EDS)等实验手段,系统地分析了金属/陶瓷界面之间的物相,对出现的现象在理论上做出必要的解释与阐述。在直接敷铜(DBC)研究中,系统地研究了敷接温度、保温时间、预氧化铜箔的温度、陶瓷表面粗糙度对敷接力学性能的影响。结果表明在真空环境下,敷接温度为1075℃、保温60min、预氧化铜箔为300℃、采用熔融NaOH粗化基板方法,可以得到剥离强度为6.5N/mm以上的直接敷铜基板。在敷铝(DAB)的研究中,提出了一种新颖的利用铜膜做为过渡层的敷接方法。在该工艺中通过烧结Cu2O于Al2O3基板上首先形成一种稳定的CuAl2O4相,在1000℃下经H2还原使基板表面生成一薄层铜膜,最后再利用铜铝在760℃以下共晶思想实现敷接。针对铝在高温易氧化特性,采用在真空环境下用活泼金属Mg和碳粉保护的方法,隔绝了氧气与金属铝的接触使得该实验成功敷接。该方法所得到的Al/Al2O3敷接强度达到11.9MPa并且具有极其优良的抗热震性能。相关研究内容已申请国家专利。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2009-01-01）
井敏,傅仁利,何洪,宋秀峰[3]（2008）在《金属直接敷接陶瓷基板与敷接方法》一文中研究指出综述了金属直接敷接陶瓷基板及敷接方法,介绍了国内外金属直接敷接陶瓷基板的结构和性能特点,敷接关键技术以及基于金属敷接陶瓷基板的功率电子封装新技术,展望了金属敷接陶瓷基板的新进展和今后的应用前景。(本文来源于《宇航材料工艺》期刊2008年03期）
井敏,何洪,宋秀峰[4]（2007）在《直接敷铜陶瓷基板及制备方法》一文中研究指出直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。(本文来源于《山东陶瓷》期刊2007年06期）
方志远,陈虎,周和平[5]（2000）在《直接敷铜Al_2O_3陶瓷基板的界面产物研究》一文中研究指出直接敷铜Ａｌ２Ｏ３基板已被广泛应用于大功率场合．本文通过Ｃｕ箔表面预氧化生成Ｃｕ２Ｏ的方法引入氧，１０７０℃在Ｃｕ箱和Ａｌ２Ｏ３基板界面上所产生的Ｃｕ－Ｃｕ２Ｏ共晶液体促进了二者的牢固结合．流动氮气氛下保温１ｈ，观察到了明显的界面产物层．ＳＥＭ和ＸＲＤ的分析表明，界面产物相为ＣｕＡｌＯ２．(本文来源于《无机材料学报》期刊2000年05期）
直接敷铜陶瓷基板论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文首先综述了金属敷接陶瓷基板技术的发展,从敷接方法和应用的角度简述了金属敷接陶瓷基板在不同时期的研究进展,同时对敷接原理作出分析。在此基础上指出了本课题研究目的和意义。针对金属/氧化铝之间润湿性能差的缺点,尝试了改进润湿性能的物理与化学方法,并且取得较理想的结果。开发出了敷接铜和铝的新颖方法和优化工艺,相对于传统敷接方法,采用该工艺制备出的样品具有敷接强度高、抗热震性能好等优点。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和元素线分析(EDS)等实验手段,系统地分析了金属/陶瓷界面之间的物相,对出现的现象在理论上做出必要的解释与阐述。在直接敷铜(DBC)研究中,系统地研究了敷接温度、保温时间、预氧化铜箔的温度、陶瓷表面粗糙度对敷接力学性能的影响。结果表明在真空环境下,敷接温度为1075℃、保温60min、预氧化铜箔为300℃、采用熔融NaOH粗化基板方法,可以得到剥离强度为6.5N/mm以上的直接敷铜基板。在敷铝(DAB)的研究中,提出了一种新颖的利用铜膜做为过渡层的敷接方法。在该工艺中通过烧结Cu2O于Al2O3基板上首先形成一种稳定的CuAl2O4相,在1000℃下经H2还原使基板表面生成一薄层铜膜,最后再利用铜铝在760℃以下共晶思想实现敷接。针对铝在高温易氧化特性,采用在真空环境下用活泼金属Mg和碳粉保护的方法,隔绝了氧气与金属铝的接触使得该实验成功敷接。该方法所得到的Al/Al2O3敷接强度达到11.9MPa并且具有极其优良的抗热震性能。相关研究内容已申请国家专利。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直接敷铜陶瓷基板论文参考文献
[1].卢会湘,胡进,王子良.直接敷铜陶瓷基板技术的研究进展[C].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010
[2].井敏.金属直接敷接陶瓷基板制备方法与性能研究[D].南京航空航天大学.2009
[3].井敏,傅仁利,何洪,宋秀峰.金属直接敷接陶瓷基板与敷接方法[J].宇航材料工艺.2008
[4].井敏,何洪,宋秀峰.直接敷铜陶瓷基板及制备方法[J].山东陶瓷.2007
[5].方志远,陈虎,周和平.直接敷铜Al_2O_3陶瓷基板的界面产物研究[J].无机材料学报.2000