导读:本文包含了半绝缘碳化硅论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化物基复合材料,先驱体浸渍烧结法,氧化镧涂层,高温力学性能
半绝缘碳化硅论文文献综述
石仁强[1]（2018）在《高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的制备与性能研究》一文中研究指出碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料具有抗高温氧化、高比强度和高韧性的特点,是航空航天领域理想的候选材料。利用具有不同电性能的碳化硅纤维制备陶瓷基复合材料,可以满足飞行器服役环境的多种电磁性能要求。本文以高绝缘碳化硅纤维布为增强体,经浸涂法制备La_2O_3涂层,浸渍陶瓷悬浮液获得陶瓷预制体;基于先驱体浸渍烧结法,压力浸渗BN、Al_2O_3、Na_2O·nSiO_2与高岭土浆料(BANS),迭压并固化烧结制备了SiC_f/BANS复合材料。研究了La_2O_3涂层的制备工艺,探究涂层对纤维抗氧化性能的影响;通过基体的相组成与微观形貌,提出基体的形成机理;测试了复合材料的力学性能与介电性能,分析纤维对材料性能的影响并提出涂层的作用机理;探讨复合材料的高温抗氧化性能,提出相应的增强机理与纤维损伤机理,具体结论如下:(1)涂层制备工艺的研究表明,经4wt%的La(CH_2COOH)_3·5H_2O浸涂液叁次浸渍和烧结制备的La_2O_3涂层具有良好的覆盖完整性和较小的纤维强度损伤。分析La_2O_3涂层对碳化硅纤维高温抗氧化的影响,发现La_2O_3涂层能有效提升纤维在700℃前的抗氧化性能,但当热处理温度为800℃时,涂层由于热失配以及气体溢出发生剥落而失去保护效果。又对陶瓷预制体的制备工艺进行深入研究,得到分别以乙醇和水作为分散介质时稳定悬浮液的最佳配比,并经后续压力浸渍以及先驱体浸渍烧结,成功制备复合材料。(2)BANS基体的物相与微观形貌表征结果显示,BANS基体中的水玻璃与高岭土为玻璃相并包裹Al_2O_3粉体,温度上升到800℃时,Al_2O_3溶解到熔融玻璃相中生成NaAlSi_2O_6与NaAlSiO_4;BN低温时发生水解生成硼酸盐,在高温时对基体产生愈合作用。碳化硅纤维的加入,使复合材料的抗弯强度由52.42MPa上升到108.46MPa,断裂特征由脆性断裂转变为韧性断裂,介电常数下降,损耗角正切上升,整体介电性能良好;La_2O_3涂层改善了纤维与基体间的润湿性,降低了孔隙率,结合断口处出现的纤维拔出以及涂层脱粘现象,说明涂层为弱界面,通过脱粘的方式增韧复合材料。(3)复合材料的高温抗氧化性能测试结果表明,热处理温度由500℃上升到700℃时,对应的抗弯强度由108.5MPa上升到124.4MPa,热处理时间对复合材料性能的影响较小;当热处理温度上升到800℃时,复合材料的抗弯强度快速下降,最低为60.8MPa。在500℃-700℃,复合材料抗弯强度受基体主导,基体中微观缺陷减少,基体强度上升,复合材料强度上升,复合材料中的应力传递方式发生改变,使纤维束能够更有效的传递应力;当温度上升到800℃时,抗弯强度下降受纤维损伤主导,包含了纤维高温氧化、基体腐蚀以及涂层失效的综合作用。(本文来源于《东南大学》期刊2018-06-01）
[2]（2015）在《我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世》一文中研究指出近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,是新一代雷达系统的核心。长期以来,碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化(本文来源于《企业技术开发》期刊2015年19期）
倪娜[3]（2010）在《半绝缘碳化硅光导开关的仿真研究》一文中研究指出本文探讨了衬底材料掺杂浓度、陷阱浓度、外界入射脉冲光及外加电压等因素对不同尺寸的光导开关的工作特性的影响,具体分析了其机理以及对于改善光导开关工作性能的意义。采用钒掺杂半绝缘n型6H-SiC作为衬底建立横向光导开关模型,当横向总宽度150μm、电极宽度30μm、纵向厚度15μm时,陷阱浓度为1×1015cm-3的光导开关暗电阻达3×106Ω,比陷阱浓度为1×1014cm-3的光导开关暗电阻率增加了高达104倍。因此通过控制陷阱浓度可以有效改善光导开关的暗态特性。瞬态光电流上升时间为1.06ns,下降时间约1.56ns。陷阱浓度越大,上升时间与下降时间也越小,但峰值光电流偏小。带隙中的深能级束缚自由电子实现补偿作用外,还有限制迁移率及载流子寿命等特点。器件工作于本征吸收模式,验证了Bohr频率定则,即入射光子的能量必须大于禁带宽度,才能得到有效的光电流。SiC光导开关尺寸增至1000μm×450μm,其电极为100μm,当光能密度为300W/cm2,入射光波长为300nm,外加电压为50V时,峰值电流可达25.1A/μm。上升时间为4.2ns左右,下降时间则稳定在8.62ns左右。为了使光导开关高速化,需要在减小光激励载流子移动距离的同时也使载流子高速移动,即要求减小电极间隔,增大外加电压。最后,本文还探讨了提高光电导开关的输出功率,优化关断特性,制作高质量的欧姆接触电极的方法以及本光导开关模型的工艺实现与性能测试的基本规划。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2010-01-01）
蔡树军,潘宏菽,陈昊,李亮,赵正平[4]（2006）在《在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET(英文)》一文中研究指出介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年02期）
半绝缘碳化硅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,是新一代雷达系统的核心。长期以来,碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半绝缘碳化硅论文参考文献
[1].石仁强.高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的制备与性能研究[D].东南大学.2018
[2]..我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世[J].企业技术开发.2015
[3].倪娜.半绝缘碳化硅光导开关的仿真研究[D].西安电子科技大学.2010
[4].蔡树军,潘宏菽,陈昊,李亮,赵正平.在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET(英文)[J].半导体学报.2006