导读:本文包含了容性耦合等离子体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:容性耦合等离子体,等效回路模型,电子密度,电子温度
容性耦合等离子体论文文献综述
朱寒,何湘,王春旺,陈秉岩,陈建平[1]（2019）在《基于均匀离子密度的容性耦合射频放电等离子体的实验诊断研究》一文中研究指出容性耦合射频(CCRF)放电可用于制备大体积、均匀、低温非热平衡等离子体,已得到了国内外的广泛关注。针对CCRF放电过程中等离子体参量的诊断问题,本文提供了一种基于均匀离子密度的描述CCRF放电的等效回路模型(ECM),并根据等效阻抗原理引入能量平衡方程,对等离子体特征参量电子密度n_e和电子温度T_e进行了诊断,诊断结果与等离子体发射光谱诊断结果相一致。实验结果表明:在一般的CCRF放电过程中,放电电流与放电电压波形呈正弦曲线,高次谐波成分较少且总的谐波强度小于基波信号的11%,可以采用ECM描述等离子体放电状态。随着射频输入功率的增加,等离子体电子密度线性增加,但电子温度变化不明显,鞘层厚度逐渐减小,主等离子体区厚度增加;随着工作气体压强的升高,电子密度和电子温度均减小。对于较高的气压,放电在不同的输入功率下分为低功率下的α模式和高功率下的γ模式,这主要是极板表面的俄歇发射过程引起的。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年09期）
朱寒,何湘,陈秉岩,陈建平[2]（2019）在《容性耦合射频放电等离子体的仿真模拟与实验诊断研究》一文中研究指出针对工业生产与军事应用上低气压、低温非热平衡等离子体的制备和实验诊断问题,采用COMSOL软件等离子体模块进行仿真模拟,建立容性耦合射频等离子体放电的一维流体模型,设定He气为工作气体,数值研究不同电压、不同气压条件下等离子体电子数密度和电子温度的轴向分布。搭建等离子体产生及诊断实验平台,根据均匀射频放电的等效回路计算得到电子密度ne与电子温度Te,将所得数据与流体模型仿真模拟相比较,得到了一致的结果。研究表明:当气体压强为100～250Pa时,极板间电子密度沿轴向先增大后减小,平均电子密度随驱动电压与输入功率的增加而增加;电子温度在极板中心处取得最小值,极板边缘存在两个峰值,平均电子温度仅是气压与腔体尺寸的函数,随驱动电压和功率的变化不明显,仅随气压的增大而减小。随着输入功率的增加,电子密度由逐渐上升转变为迅速上升,且在不同气压下这种电子密度的跃变出现在不同的电压幅值处,这标志着容性耦合放电中的α-γ模式转变。所得结论扩大了模拟仿真与实验快速无干扰诊断的应用范围,为进一步研究低温等离子体放电性质提供了技术支持。(本文来源于《电工技术学报》期刊2019年16期）
袁强华,孟祥国,殷桂琴,吴良超,刘珊珊[3]（2019）在《13.56 MHz/94.92 MHz双频容性耦合氩等离子体特性研究》一文中研究指出利用高频频率(HF)为94.92 MHz,低频频率(LF)为13.56 MHz获得了氩等离子体.采用发射光谱法(OES)监测并诊断了氩等离子体的演化过程.基于费米-狄拉克模型计算了电子温度,用连续谱绝对强度法计算了电子密度.结果表明,电子温度随着低频功率的增大而升高,随着高频功率的增大而降低;电子温度随气压的升高而降低;电子密度随高频功率和低频功率的增大而增大;电子密度随气压的增大呈现出先增大后减小的趋势并且在60mTorr附近出现峰值.(本文来源于《西北师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
庞佳鑫,何湘,陈秉岩,刘冲,朱寒[4]（2019）在《容性耦合射频氩等离子体放电诊断研究及仿真模拟》一文中研究指出针对中等气压、中等功率下射频容性耦合(CCRF)等离子体的放电特性,采用基于流体模型的COMSOL软件仿真,建立一维等离子体放电模型,以Ar为工作气体,研究同一气压时不同射频输入功率下等离子体电子温度和电子密度的分布规律。同时依据仿真模型设计制作相同尺寸的密闭玻璃腔体和平板电极,实验测量了不同射频输入功率时放电等离子体的有效电流电压及发射光谱,进而计算等离子体的电子温度及电子密度;利用玻耳兹曼双线测温法,得到光谱法下等离子体的电子温度及电子密度。结果表明:当气体压强为250Pa、输入功率为100～450W时,等离子体电压电流呈线性关系,电子密度随功率的增大而增大,而电子温度并未随功率的变化而有明显变化,其与功率无关。运用仿真模拟验证了实验的准确性,通过比较,叁种方法所得的结果相近。通过结合等效回路法、光谱法和数值模拟仿真法初步诊断出中等气压下等离子体的放电参数,提出了结合叁种方法作为实验研究的方法,使实验结果更具说服力,证明其方法的可靠性,也为进一步的等离子体特性研究提供依据。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年03期）
李豪,黄晓江,王墅[5]（2019）在《碰撞辐射模型诊断双频容性耦合等离子体》一文中研究指出建立了一个适用于低气压下双频容性耦合氩(Ar)等离子体的碰撞辐射模型,在试验仪器和条件不变的情况下,发现电源频率对该模型的影响不大。利用碰撞辐射模型结合发射光谱(OES),测试了双频容性耦合Ar等离子体在高低频放电中电子温度(T_e)和电子密度(n_e)随功率的变化情况。结果表明:n_e随功率的增加呈递增趋势,但高频放电中增长的幅度更大,这说明在双频容性耦合等离子体放电中,虽然高频和低频功率并未完全解耦,但高频功率仍在控制等离子体的密度方面占主导作用;高频和低频功率对T_e的影响相差不大。(本文来源于《东华大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
杨莎莉[6]（2019）在《磁化容性耦合等离子体的PIC/MCC模拟研究》一文中研究指出低气压下的容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)具有装置结构简单和成本经济的优点,被广泛应用于微电子工业中。随着微电子工业的飞速发展,工艺技术对等离子体源的要求越来越高,一些新的电源构型的CCP放电系统被提出来。直流/射频电源混合驱动的CCP源能有效抑制刻蚀过程中的局部充电效应,但其较低的等离子体密度影响了工艺过程中的刻蚀速率。电非对称的CCP源能独立控制到达极板的离子通量和离子轰击能量,从而满足集成电路制造过程中对线宽、选择性以及控制损害的要求。尽管针对上述电源构型的研究已经有很多,但是迄今为止没有研究工作将磁场的影响考虑进来,外磁场可以增加等离子体对电源功率的吸收,增强对电子的束缚,从而减少鞘层电压,提高等离子体密度,对改善等离子体参数起着非常重要的作用。因此,本论文的目的是系统地研究磁场对不同电源构型CCP源的影响,优化等离子体的放电参数,得到理想的等离子体工艺效果,为微电子工业中的工艺优化提供科学依据。采用一维PIC/MCC方法研究了磁场对直流/射频电源驱动CCP放电的影响。通过比较射频放电、直流/射频放电、磁化的射频放电和磁化的直流/射频放电这四种情况下的等离子体性质,发现在直流/射频电源驱动CCP放电系统中引入外磁场可以使等离子体密度提高一个量级。直流/射频电源驱动的磁化CCP源不仅保留了传统CCP源的优点,如装置结构简单和成本经济,也突破了传统CCP源密度低的限制,该构型有望为微电子工业中的刻蚀等工艺提供一种新型的等离子体源,具有较为重要的意义。采用一维PIC/MCC方法研究了磁场对CCP中电非对称性效应的影响,模拟了磁场耦合气压、射频电压、二次电子发射系数对等离子体性质的影响。研究发现在弱磁场下,等离子体的密度可以在一定程度内增加且自偏压几乎不受影响;在较强磁场下,二次电子对放电的影响十分显着,等离子体密度可以提高一个量级,但自偏压会减小,从而使离子轰击能量的可调范围减小。研究结果表明在电非对称性放电系统中引入外磁场,不仅能保持对离子通量和离子轰击能量的独立控制能力,还可以在一定程度上提高等离子体密度和离子通量,从而提高工艺速率。采用一维PIC/MCC方法研究了磁场对电非对称性CCP放电系统中加热机制的影响和磁场引起的加热模式转换问题,模拟了不同磁场强度和谐波数下的等离子体性质,如自偏压、等离子体密度、离子通量和离子轰击能量等。研究发现在弱磁场下,电子加热处于无碰撞加热模式,此时等离子体密度较低;在强磁场下,电子加热处于欧姆加热模式,等离子体密度可提高一个量级。通过加大磁场强度可以使CCP放电系统中的电子加热模式从无碰撞加热向欧姆加热转换。采用一维PIC/MCC方法研究了非均匀磁场对CCP放电的影响。在放电空间引入一个磁场梯度,使到达两侧极板上的离子通量不相等,因此在外电路的隔直电容或者极板上绝缘基片的作用下,极板一侧会自洽地形成自偏压。自偏压使等离子体密度、电子加热率和电离率分布变得不对称,通过改变磁场梯度可以调节自偏压的大小,从而实现对离子轰击能量的调控。磁不对称性效应成为了一种能引起等离子体不对称性和产生自偏压的新方法。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-02-26）
贾文柱[7]（2018）在《射频容性耦合硅烷混合气体放电中等离子体化学的数值模拟》一文中研究指出容性耦合硅烷混合气体放电在沉积与芯片相关的硅基薄膜中具有至关重要的作用。研究容性耦合硅烷等离子体特性以及其放电化学反应机理过程对优化硅烷放电特性、开发芯片新工艺流程具有非常重要的意义。数值模拟方法是研究容性耦合等离子体的重要手段之一,常用的数值模拟方法为流体力学方法,流体/MC(MonteCarlo)和粒子模拟(Particle-In-Cell/Monte Carlo,PIC/MC)。与其他方法相比,流体模拟既可以获得等离子体中粒子的输运过程又兼容大量的化学反应而成为研究复杂化学反应等离子体的重要工具,尤其在涉及几百个化学反应的复杂硅烷等离子体中具有不可替代的作用。另外,在硅烷放电中,尘埃颗粒在合适的放电条件下不可避免地出现,而且足够多的尘埃颗粒必然会改变硅烷等离子体的放电特性,因此很有必要通过数值模拟方法探讨尘埃与等离子体之间的相互作用。本章内容安排如下:第一章为绪论,介绍了沉积与刻蚀工艺面临的一些挑战,论述了在容性耦合等离子体中所涉及的一些关键研究方向,阐述了相关硅烷混合气体放电的研究进展,同时总结了在硅烷放电中尘埃颗粒的研究概况。在第二章中,首先介绍了描述等离子体状态的二维流体方程以及相应的数值算法。随后,针对SiH4/N20/Ar混合气体放电过程,采用二维流体模型研究了 Ar或者SiH4气体含量对等离子体特性的影响。模拟结果显示,Ar亚稳态原子的轴向密度在低气压下满足抛物线分布而在高气压下会形成双峰结构,而其他粒子的轴向密度分布不具备双峰结构。另外,在此混合气体中,增加Ar含量可以提高等离子体中的电子密度,而降低Ar含量可以降低到达极板处的轰击能量以及改善等离子体径向均匀性。若固定Ar含量,减小硅烷含量可以在不增加轰击能量的基础上对等离子体均匀性进行调节。另外,通过分析到达极板处的中性粒子通量,发现SiH3、O、SiH2、SiH30和SiO等粒子通量较大,这些粒子可能是沉积氧化硅薄膜的主要气相前驱物。在第叁章中,针对由SiH4/N2/02气体维持的容性耦合等离子体,采用二维流体模型研究了放电腔室中引入介质层对等离子体径向均匀性的影响。同时,通过改变外部放电参数系统化地学习了此混合气体可能的气相化学沉积前驱物。研究结果表明:当施加介质层到驱动电极以后,等离子体的边缘效应被有效地抑制,从而使等离子体的径向均匀性改善。通过分析沉积功率密度的空间分布,发现边缘效应并未完全消除。另外,与改变气压或者极板间距改善等离子体均匀性的方法相比,加入介质层可以代替上述两种方法实现对等离子体均匀性的调控。最后,通过分析在不同放电条件下各粒子极板处通量的变化趋势,发现沉积薄膜的主要前驱物是SiH3O、SiH2O、O、N和NO,而不是SiN和 HSiNH2。第四章,采用二维流体模型模拟了脉冲调制射频容性耦合SiH4/N2/O2等离子体。我们主要调研了脉冲参数对SiH4/N2/O2等离子体特性的瞬时调制作用以及对径向空间分布的影响。模拟结果显示:在脉冲调制射频等离子体中,电子、正离子和负离子可以获得类似于连续放电的准稳态过程,其中准稳态不仅仅依赖于脉冲放电时间而且也依赖于所观察的放电位置。在脉冲开启阶段,电子温度、电子密度以及电子碰撞源项会分别形成相应的极大值,其中电子密度在达到极大值之前由于电子产生项小于扩散损失项会出现极小值。另外,尽管脉冲放电可以降低极板处的轰击能量,但是在脉冲开启时仍然会形成一个瞬时高能峰。此高能峰可能损害基片上薄膜的性能。最后,脉冲调制射频等离子体可以在脉冲后辉光期减弱边缘效应,增强等离子体的扩散作用使平均等离子体密度的径向空间均匀性得到较大改善,其中脉冲占空比是改善等离子径向均匀性最有效的方法。第五章,采用流体/蒙特卡罗方法耦合尘埃模型,研究了尘埃与等离子体之间的相互作用。模拟结果显示:尺寸较大的尘埃颗粒加入等离子体中将导致电子密度下降,电子温度上升。而且,足够多的大尘埃颗粒可以弓引起正离子和负离子密度在形成稳态之前出现短暂的上升,随后由于电子密度下降或者尘埃颗粒对离子的吸收促使离子密度下降。此外,在尘埃颗粒对等离子体影响较小的情况下,硅烷等离子体中的放电模式是α和反转场模式共存。降低气压、频率以及电压可以减弱反转场模式。然而,当尘埃颗粒半径逐步增大,硅烷等离子体由体区电场维持的体区模式增强。最后,我们也分析了外部参数对尘埃颗粒的空间分布以及施加在尘埃粒子上的电场力和离子拖拽力的影响。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-12-17）
刘刚虎[8]（2018）在《射频容性耦合等离子体中放电模式的实验研究》一文中研究指出由于射频容性耦合等离子体(Radio-Frequency Capacitively Coupled Plasmas,rf-CCPs)源结构简单并且能够产生大面积均匀等离子体,以及采用双频电源还可以实现等离子体密度和离子能量的独立控制,因此在微电子制造工业中的材料刻蚀以及薄膜沉积等工艺中得到了广泛的应用。在rf-CCP中,一般认为主要存在叁种典型的放电模式,包括a模式、γ模式和DA(Drift-Ambipolar)模式,其中在Ar、Ne等电正性气体放电中一般只存在前两种模式,而在CF4、O2等电负性气体放电中叁种放电模式都可能出现。当放电处于不同的模式时,等离子体中的能量沉积过程以及等离子体状态参数(如等离子体密度、电子能量分布函数和激发/电离速率分布等)都有明显的差异。而在实际的工业生产中,等离子体状态参数的变化将会对等离子体的刻蚀和沉积过程产生非常重要的影响。因此,对不同放电模式下等离子体特性的研究,以及系统地掌握放电参数的改变对等离子体放电模式的影响,对优化等离体源的腔室结构和放电参数具有重要的指导意义。本论文的主要目的是:分别研究在以上叁种放电模式下等离子体状态参数的特征,以及系统地考察由外界参数(驱动频率、工作气压、电压和极板间距等)变化引起的放电模式的转变。实验中主要使用了发卡探针和相分辨发射光谱方法,其中发卡探针用来测量等离子体中的电子密度,相分辨发射光谱可以给出由于电子碰撞导致的基态原子跃迁到特定激发态的跃迁速率的时空分布。此外,针对部分实验结果用PIC/MCC(Partical-in cell and Monte Calro collision)模拟进行 了对比验证。第一章首先对等离子体在微电子工业中的应用和容性耦合等离子体源的发展现状进行了简单的介绍,然后重点介绍了容性耦合等离子体中几种典型的放电模式。第二章简单介绍了 rf-CCP的放电系统和PIC/MCC模型,并详细介绍了实验中用到的发卡探针和相分辨发射光谱方法。第叁章,针对单频容性耦合CF4气体放电,使用实验诊断和数值模拟相结合的方法对电负性气体放电中的放电模式转变进行了研究,其中实验与模拟得到了非常一致的结果。在本章所选择的放电条件下,二次电子的发射效应可以忽略,因此我们只观察到了α和DA两种放电模式。在固定驱动频率和放电气压不变的条件下,随着功率的增加,电子在鞘层中的加热得到显着增强,在电子密度增加的同时,等离子体的电负性(文中由数值模拟给出)降低,使得放电从DA模式转变到α模式。在固定驱动频率和输入功率不变的条件下,随着放电气压的增加,电子被中性粒子吸附的概率增加,电子密度降低同时等离子体的电负性增加,最终会导致放电从α模式转变为DA模式。随着驱动频率的增加,由气压改变导致的放电模式转变会在更高的气压条件下产生,而由输入功率改变引起的放电模式的转变则会在更低的功率条件下产生。第四章,同样针对单频容性耦合等离子体,系统地研究了二次电子发射对放电模式的影响。实验结果表明,在电正性气体Ne放电中,当驱动频率较低(≤ 10 MHz)时,电子密度随放电电压的增加先缓慢增加后迅速增加,可以观察到明显的α-γ模式转变的过程;当驱动频率较高(>10 MHz)时,模式转变过程变得不明显。等离子体的发光强度在模式转变前后变化不大,随电压的增加而线性增加。在频率不变的条件下,增加气压有利于二次电子在鞘层中的雪崩电离,α-γ模式转变的临界电压随气压的升高而降低。在电负性气体CF4放电中,当驱动频率较高(>10 MHz)时,等离子体的电负性比较低,因此电子密度和光强度随电压的变化与Ne气放电时类似。但是在较低的驱动频率条件下,电子密度和光强度随电压的增加先增加后降低,在某一电压值达到极小值之后又迅速增加。通过测量不同电压时的电子激发速率的时空分布,我们发现电子密度和光强度达到极小值时的电压值可以分别粗略地认为是DA-α和α-γ模式转变的临界电压。第五章,以Ar气为工作气体,考察了在双频容性耦合等离子体中不同的放电模式,以及不同的外界参数对放电模式转变的影响。实验发现,随着低频电压的增加等离子体密度先缓慢减小后缓慢增加,当电压继续增加并超过一定的阈值时,放电开始由α模式向γ模式转变,等离子体密度开始迅速增加。另外,在高频电压较高的情况下,α-γ模式转变会发生在更低的低频电压。当放电维持在α模式时,等离子体的鞘层厚度随低频电压的增加而增加,使得电子密度的轴向最大值随低频电压的增加而向接地电极一侧移动;而当放电维持在γ模式时,电子密度的轴向最大值主要依赖于放电气压而基本不会受到低频电压的影响。随着放电气压的增加,等离子体鞘层厚度变小,电子密度的轴向最大值向驱动电极移动。此外,更高的气压和更大的电极间距对γ模式有明显的增强作用。当放电维持在γ模式时,二次电子发射系数较高时电子密度增加的更加迅速;而当放电维持在α模式时,不同的二次电子发射对放电基本没有影响。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-09-02）
刘冲,何湘,张亚春,陈建平,陈玉东[9]（2018）在《射频容性耦合等离子体放电特性的光谱诊断》一文中研究指出利用流体模型模拟和发射光谱实验诊断相结合的方法,研究了中等气压、中等功率下射频容性耦合等离子体的放电特性。理论上,采用基于流体模型的COMSOL软件仿真,建立一维等离子体放电模型,以Ar气为工作气体,研究了不同气压以及不同射频输入功率下等离子体电子温度和电子密度的分布规律。实验上,依据仿真模型设计制作了相同尺寸的密闭玻璃腔体和平板电极,采用13.56 MHz射频放电技术电离腔体内的工作气体Ar气,测量了不同气压、不同射频输入功率时放电等离子体的发射光谱。通过分析和选择适当的ArⅠ和ArⅡ的特征谱线,分别利用玻尔兹曼斜率法以及沙哈-玻尔兹曼方程计算了等离子体的电子温度与电子密度,并结合模拟仿真结果对光谱诊断结果进行了修正。结果表明:当气体压强为300~400Pa、输入功率为600~800 W时,等离子体近似服从玻尔兹曼分布,此时利用光谱法得到的等离子体参数与仿真结果相符合。仿真模拟与光谱实验诊断相结合的方法可初步诊断出中等气压下等离子体的放电参数,增加了玻尔兹曼斜率法和沙哈-玻尔兹曼方程在等离子体放电中的使用范围,扩大了光谱法在低电子密度容性耦合等离子体参数诊断的应用场合,为中等气压容性耦合等离子体在工业与军事上的应用研究提供了重要物理状态的分析手段。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2018年04期）
杨郁[10]（2018）在《甚高频激发的容性耦合Ar/O_2等离子体的激光诱导诊断研究》一文中研究指出容性耦合电负性等离子体在表面处理领域中应用广泛,例如,在微电子行业中通过等离子体刻蚀来得到特定的表面形貌,在聚合物表面生成一些功能性基团等。负离子的形成对反应性等离子体的动力学与动态演变影响很大,尤其是对带电粒子平衡和电子能量分布函数(EEDF)影响显着。因此,我们有必要对容性耦合电负性等离子体中的电负特性进行深入的研究。本实验主要利用探针辅助的脉冲激光诱导负离子剥离诊断技术对掺入5%O2的容性耦合Ar等离子体电负特性进行了诊断分析。首先,我们详细解析了脉冲激光剥离后的探针的电信号,分析了探针偏压在低于或高于空间电位下的探针收集信号特征;根据探针偏压与探针收集信号之间的关系,用来描述Ar+5%O2等离子体电负特性的等离子体电负度被定义为脉冲激光剥离出的电子电流与偏压高于空间电位的探针收集到背景电子电流的饱和比值,并为此对等离子体电负度随放电气压、射频功率以及轴向位置的变化进行了诊断测量。实验结果表明等离子体的电负度随着射频功率增加而减小、随着放电气压上升而变大。由于非对称电极分布特性,等离子体电负度随轴向位置并不呈中心对称分布。另外,由于电子与分子碰撞的负离子产生与负离子与分子碰撞的负离子消失是一对竞争反应过程,因而导致了电负度在鞘层边界附近呈现较高的趋势而在等离子体放电中心表现出较低的趋势。其次,为进一步地了解Ar+5%O2电负性等离子体,我们对Langmuir探针的I-V特性曲线进行分析,并通过电子能量几率函数(EEPF)推算出了等离子体电子密度,最后结合电负度计算出了负离子密度。结果表明,电子密度和负离子密度的轴向分布均呈非中心对称,在接近电极处的电子密度较大,在腔室中心的电子密度较小,而负离子密度只有接近功率电极处的负离子密度较高,且两者在功率电极附近的分布受气压影响显着。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-04-01）
容性耦合等离子体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对工业生产与军事应用上低气压、低温非热平衡等离子体的制备和实验诊断问题,采用COMSOL软件等离子体模块进行仿真模拟,建立容性耦合射频等离子体放电的一维流体模型,设定He气为工作气体,数值研究不同电压、不同气压条件下等离子体电子数密度和电子温度的轴向分布。搭建等离子体产生及诊断实验平台,根据均匀射频放电的等效回路计算得到电子密度ne与电子温度Te,将所得数据与流体模型仿真模拟相比较,得到了一致的结果。研究表明:当气体压强为100～250Pa时,极板间电子密度沿轴向先增大后减小,平均电子密度随驱动电压与输入功率的增加而增加;电子温度在极板中心处取得最小值,极板边缘存在两个峰值,平均电子温度仅是气压与腔体尺寸的函数,随驱动电压和功率的变化不明显,仅随气压的增大而减小。随着输入功率的增加,电子密度由逐渐上升转变为迅速上升,且在不同气压下这种电子密度的跃变出现在不同的电压幅值处,这标志着容性耦合放电中的α-γ模式转变。所得结论扩大了模拟仿真与实验快速无干扰诊断的应用范围,为进一步研究低温等离子体放电性质提供了技术支持。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
容性耦合等离子体论文参考文献
[1].朱寒,何湘,王春旺,陈秉岩,陈建平.基于均匀离子密度的容性耦合射频放电等离子体的实验诊断研究[J].真空科学与技术学报.2019
[2].朱寒,何湘,陈秉岩,陈建平.容性耦合射频放电等离子体的仿真模拟与实验诊断研究[J].电工技术学报.2019
[3].袁强华,孟祥国,殷桂琴,吴良超,刘珊珊.13.56MHz/94.92MHz双频容性耦合氩等离子体特性研究[J].西北师范大学学报(自然科学版).2019
[4].庞佳鑫,何湘,陈秉岩,刘冲,朱寒.容性耦合射频氩等离子体放电诊断研究及仿真模拟[J].强激光与粒子束.2019
[5].李豪,黄晓江,王墅.碰撞辐射模型诊断双频容性耦合等离子体[J].东华大学学报(自然科学版).2019
[6].杨莎莉.磁化容性耦合等离子体的PIC/MCC模拟研究[D].华中科技大学.2019
[7].贾文柱.射频容性耦合硅烷混合气体放电中等离子体化学的数值模拟[D].大连理工大学.2018
[8].刘刚虎.射频容性耦合等离子体中放电模式的实验研究[D].大连理工大学.2018
[9].刘冲,何湘,张亚春,陈建平,陈玉东.射频容性耦合等离子体放电特性的光谱诊断[J].光谱学与光谱分析.2018
[10].杨郁.甚高频激发的容性耦合Ar/O_2等离子体的激光诱导诊断研究[D].苏州大学.2018