导读:本文包含了磁电弹复合材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:磁电复合材料,有限元,倍频效应,磁电效应
磁电弹复合材料论文文献综述
文建彪[1]（2019）在《磁电复合材料多场耦合有限元分析及器件设计》一文中研究指出磁电复合材料通过将两种功能型材料复合在一起,由两种材料的相互耦合实现磁能与电能的相互转换,在多种复合方式中,层合磁电复合材料由于结构简单,易于制备,磁电转换效率高等优势吸引了众多来自物理、力学等领域研究者的广泛关注。这使得磁电复合材料被广泛应用于多功能器件制造领域,例如磁场探测器、磁电俘能器、磁电存储器等。目前,对磁电复合材料的研究主要集中于提高磁电系数和拓宽磁电响应频率范围两个方面,近年来取得了重大的进步。之前的众多研究中,主要集中考虑应力、磁场、温度等因素对磁电效应的影响。也有部分研究关注结构尺寸对磁电系数的影响规律,但大多数都是厚度方向,即通过考虑组分材料的体积比,很少涉及到其他两个维度的影响,因为理论模型多数局限于二维情形,而且考虑时都假设两种组分材料的长度相等,对于长度不一致则无法计算,这也是目前众多理论模型的不足之处。此外,理论模型大多只考虑了稳态情形下的磁电响应,但实际上磁电结构所处的真实环境为一个瞬态过程,而且在实际中,磁电结构都是叁维。另外,拓宽磁电响应范围也是一个重要的研究课题,传统的磁电器件只在较窄的范围内系数较大,但环境中的瞬态磁场的频率变化范围较大,因此为了更好的收集周围环境中的能量,需要磁电器件在较宽的范围内保持良好性能。近来有研究表明磁电效应可以应用于调控压电半导体的载流子输运过程,但缺乏相关的理论研究。鉴于此,本文首先针对层合磁电复合材料的磁-力-电耦合问题建立了叁维有限元动态分析模型。其次,通过结构设计,提出了一种拓宽磁电响应范围的新型结构。随着多功能纳米器件的发展,有学者提出可以利用磁电效应实现非接触控制方式调控压电半导体内载流子移动。具体研究如下:首先,基于磁致伸缩材料的非线性本构关系以及压电材料的线性本构方程,针对层合磁电复合材料动态响应行为建立了一个磁-力-电多场耦合叁维有限元模型。通过将模拟的结果和他人的实验进行对比,吻合较好,说明建立的有限元模型可以有效预测磁电复合材料的磁电响应行为。通过选取材料内部截面,给出了磁电复合材料内部磁通密度、位移、电压、应力的分布云图,由于退磁效应以及边界效应的存在,导致上述变量在磁电复合材料内部为非均匀分布。另外,在结构长度不变的情形下,发现改变结构的宽度对磁电响应也具有重要影响,长宽比越小,结构的退磁效应越明显。而且长宽比对磁电响应的影响在低、中、高磁场下的影响规律有所区别。在瞬态磁场作用下,磁电系数随时间的变化趋势是逐渐增强,最后趋于稳定,通过对磁电响应和瞬态磁场进行傅里叶分析,发现磁电响应频率为瞬态磁场频率的两倍,即出现倍频现象。两种材料通过界面耦合,材料内部应力的分布形式将直接影响压电层中的电压分布形式,并且在结构达到共振后,界面处的切应力较大,可能会导致脱粘现象。其次,为了拓宽磁电效应的响应频率,设计了一种新型磁电器件。由于新结构的自由度比传统层合结构更多,因此也会产生更多的共振模态。相比于传统的磁电器件,本文设计的新型磁电器件不仅可以在较宽的频率范围内出现多个共振峰,而且共振频率较低,避免高频情形下的涡流损耗对磁电响应的影响。由于各个共振峰相邻比较近或者有重迭部分,导致该磁电器件可以在较宽的频率范围内保持优良的磁电性能。另外,通过有限元的方法模拟了该磁电器件的共振模态,和实验结果吻合良好。通过有限元分析和实验测量,说明本文设计的新型磁电结构可以有效实现在低频情形下的宽频磁电响应,这种新型磁电器件在宽频磁电器件的应用具有巨大潜力。最后,由于压电半导体多功能纳米器件的发展,在压电半导体中存在力-电-载流子的耦合关系,而磁电复合材料的磁电响应也是一个多物理场耦合的问题,因此,把压电半导体和磁电复合材料组合成新的多功能纳米器件将会是一个复杂的多物理场耦合问题。目前,已有部分实验将磁电效应引入到压电半导体器件中,用以实现非接触式的调控压电势的新方式,但相关的理论研究十分少。所以建立了相关的理论模型预测各种因素对压电半导体的性能的影响十分重要。接着,考虑到p-n结在半导体器件中存在普遍的应用,研究了p-n结对压电半导体的电势分布的影响规律。另外,由于结构尺寸为纳米量级,表面应力将成为影响压电半导体多功能纳米器件性能的一个重要因素,本文基于Gurtin-Murdoch理论研究了在考虑表面效应对压电半导体器件的压电势的影响规律。总之,本文建立的磁电复合材料叁维有限元多场耦合动态模型完善了磁电效应的理论研究;并提出了新的磁电构型,为拓宽磁电响应频率范围提供了新的思路;将磁电复合材料的多场耦合和压电半导体多场耦合相结合,为纳米器件的非接触式调控方式提供理论指导。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-06-30）
尹亚玲[2]（2019）在《CoFe_2O_4/P（VDF-TrFE）磁电复合材料性能研究》一文中研究指出多铁性复合材料特别是兼具铁电和铁磁性的磁电复合材料,其在室温下具有较高的磁电效应,因此在微电子器件领域有着十分广阔的应用前景。其中,柔性聚合物基磁电复合材料很好的中和了无机陶瓷与聚合物材料的优点,比如陶瓷的高压电与介电值,聚合物.的柔性以及高击穿场强等。本文采用具有高压电值(d31～20 pC/N)的聚(偏氟乙烯-叁氟乙烯)(P(VDF-TrFE))作为磁电复合材料的压电相,高饱和磁致伸缩系数的铁酸钴CoFe204(CFO)作为铁磁相,分别采用2-2型层状复合和0-3型核-壳结构颗粒复合两种不同的连通方式制备了P(VDF-TrFE)聚合物基磁电复合膜,利用XRD、SEM、铁电测试仪、宽频介电谱仪和VSM对复合膜的晶相、组成成分、显微结构、铁电性能、介电性能、铁磁性能和磁电性能进行了测试分析。取得研究成果如下:1)采用溶胶-凝胶法在Si衬底上旋涂制备了CFO薄膜,发现在旋涂9层,700℃的退火温度下,CFO薄膜具有较好的磁性能。将CFO薄膜与P(VDF-TrFE)复合,采用275 NMV/m电场极化后,P(VDF-TrFE)层表现出本征铁电体特征;此外,发现极化后的CFO/P(VDF-TrFE)薄膜的磁化强度增大,这是因为极化电场导致了薄膜磁各向异性的变化,说明薄膜中存在强磁电耦合。最后对复合薄膜的磁电电压系数(αE31)进行理论拟合,发现当界面耦合系数k为0.5时,可以得到508.5mV/cm·Oe的大的磁电耦合系数。2)以P(VDF-TrFE)为基体,分别添加纯CFO、CFO@BT和CFO@BT@PDA纳米颗粒,制备了叁种0-3型复合磁电薄膜。与添加纯CFO的薄膜相比,填充CFO@BT@PDA的薄膜表现出增强的介电、铁电与铁磁(FM)特性。尤其是CFO@BT@PDA/P(VDF-TrFE)薄膜,在低频(10-1Hz)下介电常数(εr)达到了85.7;在75MV/m的电场下,最大极化值(Pm)达到了49.5μC/c.m2;在5MV/m的电场下110℃油浴中极化30min,发现极化后复合薄膜饱和磁化值(Ms)由52.1emu/g增大到了61.7emu/g,从而说明了磁电复合膜具有强的磁电耦合效应。最后对CFO@BT/P(VDF-TrFE)复合膜的磁电电压系数通过非自洽理论(NSC)进行了显式计算,得出在CFO体积分数f为0.075时,αE33为150.58mV/cm·Oe。以上结果表明,无论是2-2型的CFO/P(VDF-TrFE)薄膜还是核壳结构的0-3型CFO@BT@PDA/P(VDF-TrFE)薄膜都具有较高的磁电电压系数,为多铁性复合膜作为存储和磁电传感器件提供了潜在的候选者;此外,这种核壳结构的柔性磁电膜也为今后研究高磁电效应的复合材料提供了一个很好的参考。(本文来源于《西安理工大学》期刊2019-06-30）
李纯健,周勇,潘昱融,焦东宏[3]（2019）在《磁电复合材料结构对磁电系数的影响》一文中研究指出利用基于压电效应和磁致伸缩效应的本构方程,采用有限元法分别对矩形、半圆形、凸半圆形以及梯形4种不同几何形状的磁致伸缩/压电/磁致伸缩层迭复合材料的磁电响应进行研究,分析复合材料的磁电特性。结果表明:稳态时,两端为半圆形的磁电复合结构的输出电压最大,在外加直流磁场为1 000 Oe时可达76.25 V。频域分析中,两端为凸半圆形的磁电复合结构的共振频率最低,为76.5 kHz。在1 kHz时,两端为梯形结构的磁电复合结构磁电系数最大,为7.63 V/(Oe·cm),在共振时,磁电系数达到126.34 V/(Oe·cm)。进一步分析了磁电压电材料不同层迭顺序对半圆形结构复合材料磁电系数的影响,结果表明PTN层迭顺序的磁电复合结构的磁电系数最大,为5.48 V/(Oe·cm),而TPN层迭顺序型磁电复合材料的磁电系数最小,为1.64 V/(Oe·cm)。(本文来源于《陕西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
刘普昌[4]（2019）在《CoNi/PZT层状磁电复合材料的制备及其性能研究》一文中研究指出磁电复合材料因其具有良好的磁电耦合效应的特性而被广泛应用在换能器、滤波器和信息存储等领域。磁电复合材料的复合方式有多种,其中层状磁电复合材料因为具有相对较高的磁电耦合系数和更为简单的制备工艺,而获得了较多科学研究工作者的青睐。然而大量相关研究工作中对层状磁电复合材料磁电耦合的理论解析模型只是建立在假定磁致伸缩层和压电层具备相同长度和宽度的基础之上,忽略了磁致伸缩层和压电层的长度、宽度比等几何效应对磁电耦合系数的影响。CoNi和PZT分别是具备典型应用价值的磁致伸缩材料和压电材料。为了对CoNi/PZT层状磁电复合材料器件的设计和应用提供依据,本文对CoNi/PZT层状复合结构的磁电耦合效应进行了数值仿真分析,并考虑了几何效应对磁电耦合系数的影响;同时,为了满足电子器件在微型化和集成化程度上不断提高的要求,本文还对磁控溅射法制备PZT薄膜、CoNi薄膜以及CoNi/PZT层状复合薄膜的工艺条件进行了研究。论文的主要工作和结论有以下几点:(1)根据弹性理论建立了磁电耦合理论模型,由材料的本构方程和力学平衡条件方程推导出了CoNi/PZT层状复合结构磁电耦合系数的求解表达式,并通过数值仿真分析了磁电耦合系数与两种材料参数和不同几何尺寸分数的关系。(2)数值仿真结果显示磁电耦合系数先随压电层厚度分数的增大而增大到一个极大值处,然后随厚度分数的进一步增大而逐渐减小,且磁电耦合系数取值几乎总在压电层厚度分数取值0.4左右时取得最大值;压电层的宽度分数和长度分数均在(0,1)区间做取值变化时,宽度分数的变化相对长度分数变化引起的磁电耦合系数的变化更为显着。(3)通过磁控溅射法沉积制备PZT薄膜,实验发现经过热处理之后的Pt电极,使得PZT薄膜附着性更好;650℃退火5min得到的PZT薄膜结晶良好,表面致密且粗糙度减小;晶胞取向呈现较多的(111)晶相,通过PFM测试得到退火并电极化处理后的PZT薄膜样品具有良好的压电性能。(4)采用磁控溅射法制备了单相CoNi和CoNi/PZT层状复合薄膜,当真空退火温度为400℃时,CoNi薄膜的饱和磁化强度取得最大值为206.23emu/cc,其矫顽力为105Oe。XRD特征峰分别在2θ=44.36°、51.68°、76.37°时较大幅度的出现,分别对应于面心立方结构CoNi的晶面取向为(111)、(200)、(220)。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-01-01）
张小丽,梁波[5]（2018）在《L-L模式磁电双层复合材料的正、逆磁电效应研究》一文中研究指出基于纵向磁化磁致伸缩材料的压磁本构方程、纵向极化压电材料的压电本构方程及磁电材料的运动方程,分别建立了正、逆磁电效应的磁机电等效电路,并推导了纵向磁化与极化(L-L)模式磁电双层复合材料的正、逆磁电系数的计算公式。获得了正、逆磁电效应随频率的变化关系;同时,该计算公式还能研究压电材料参数或磁致伸缩材料参数对正、逆磁电效应的影响。研究表明,对于L-L模式磁电双层复合材料产生的纵向振动模式,理论结果与实验有很好的一致性,因此,期望该理论能在磁电换能器件及能量捕获器件的设计中获得应用。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2018年12期）
丁本杰,陈剑斌,黄斌,杜建科[6]（2018）在《磁电复合材料PMN-PT/Terfenol-D/PMN-PT磁电耦合性能的有限元分析》一文中研究指出由铁电相和铁磁相组成的磁电复合材料被证明有非常显着的磁电耦合效应,近年来受到越来越多的关注。利用有限元PDE的方法对磁电复合材料PMN-PT/Terfenol-D/PMN-PT的磁电耦合性能进行了分析,主要研究了边界条件、结构尺寸对磁电耦合性能的影响。研究发现,当上下表面y方向固定,其它表面自由时,磁电复合材料长度方向伸缩更加明显,具有更大的磁电耦合系数;铁电相和铁磁相厚度比与磁电耦合系数程非线性关系,当铁电相厚度为1.1mm,铁磁相厚度为1.9mm时,磁电耦合系数具有最大值3.354((V/m)/A/m));当铁电层尺寸保持不变,铁磁层长度超过10mm后,铁磁层长度对磁电耦合系数影响不明显。该理论结果可以用于提高磁电耦合性能同时达到节省材料的目的。(本文来源于《功能材料》期刊2018年10期）
徐瑞成,王振华,陈刚,李春月,高荣礼[7]（2018）在《多铁性复合材料磁电耦合效应研究进展》一文中研究指出多铁性材料由于同时具有铁电有序和磁性有序并且在这两种有序态之间存在耦合效应,使其在电容器、传感器、存储器、自旋电子器件等领域具有广泛的应用前景而备受关注。然而,单相多铁性材料难以在室温下实现强的磁电耦合效应从而限制其实际应用。通过将具有强压电效应的铁电相与强磁致伸缩效应的铁磁相复合而成的多铁性材料理论上可获得室温下强的磁电耦合效应。但是,复合多铁性材料的磁电耦合效应与组成复合材料自身的性能、磁电相的体积比、测试条件(电磁场大小、频率)以及磁电相的连接方式等因素相关。其中,连接方式是调控磁电耦合效应的重要因素,也是目前研究的热点问题。目前连接方式也较多,如何通过连接方式的调控提高复合多铁性材料的磁电耦合效应极其重要。为此,综述了国内外通过连接方式来调控多铁性材料磁电耦合效应的研究进展,并提出了一些亟待解决的问题。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2018年09期）
辛成舟,马健男,马静,南策文[8]（2018）在《伸缩-剪切模式自偏置铌酸锂基复合材料的磁电性能和高频谐振响应》一文中研究指出选用多种切型铌酸锂(LiNbO_3)单晶,研究了铁基非晶合金(Metglas)/LiNbO_3迭层复合材料基于伸缩-剪切模式的磁电耦合性能,揭示了铌酸锂单晶压电系数与复合材料剪切磁电耦合系数的对应关系,在使用铌酸锂xzt/30~?切型时得到了最优化剪切磁电系数.通过SrFe12O19薄磁带提供偏置磁场,Metglas/LiNbO_3磁电复合材料可在没有外加直流磁场时实现剪切磁电响应,并在0.991 MHz和3.51 MHz频率时分别测出了谐振磁电系数,有望将铌酸锂基剪切磁电复合材料用于高频磁场探测.(本文来源于《物理学报》期刊2018年15期）
虞锦远[9]（2018）在《磁电复合材料结构与性能研究》一文中研究指出单相磁电材料的匮乏及在室温下的低性能使磁电复合材料成为制备新一代电子器件的理想材料。压电/磁致伸缩复合材料由于具备优异的力电/力磁转化功能、快速响应特性等优点,在磁场感应器、磁电换能器、微波器件、谐振器等领域有着广泛而重要的应用。获得更大的磁电耦合系数关键在于选择合适的材料及器件结构。本文结合巨磁致伸缩材料Terfenol-D的非线性本构关系,利用有限元软件Comsol分析了PZT/Terfenol-D/PZT复合材料在偏置磁场作用下的谐振频率变化,并以此为基础设计致力于齿轮转速传感的磁电式传感器,并进行了实验验证。本论文立足于结构设计角度,提出了Z型磁电装置,并建立了此结构的理论模型。结果表明,磁致伸缩材料Terfenol-D长度越长,压电材料PZT越短,Z型装置的磁电效应则越大。同时实验表明,该装置在低频下的磁电系数可达0.283V/cm×Oe,磁电耦合性能强于大多数的磁电装置。多功能化和小型化是电子器件必然的发展趋势,具有多种特性共存并相互耦合的多铁材料成了研究的热点。本文将常见的铁电材料Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)和磁致伸缩材料Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4(NZFO)复合,利用磁控溅射法制备了PZT-NZFO复合磁电薄膜。在薄膜制备过程中,通过控制溅射功率和时间、基板温度以及溅射氩氧比,实现体系晶粒的纳米化和两相晶粒的均匀分布。实验结果表明,基片温度800℃,氧分压比0.4,溅射功率160W比较适合PZT-NZFO薄膜生长。SEM测试结果表明,在该条件下溅射而成的薄膜具有清晰的1-3维纳米结构。过高的溅射功率将会导致1-3维结构转变为无规则的0-3维结构,而适当的氧分压比则有助于NZFO相的形成。当基片温度为800℃时,PZT和NZFO成相更为明显,如进一步升高温度则会导致Pb挥发,从而减弱了PZT的成相。(本文来源于《宁波大学》期刊2018-06-25）
田文祥,仲政[10]（2018）在《层状磁电复合材料界面共线裂纹平面问题分析》一文中研究指出本文研究了面内电磁势载荷作用下双层压电压磁复合材料中共线界面裂纹问题.考虑了压电材料的导磁性质和压磁材料的介电性质,引入了界面电位移和磁感强度的连续性条件.利用Fourier变换得到一组第二类Cauchy型奇异积分方程.进一步导出了相应问题的应力强度因子、电位移强度因子和磁感强度强度因子的表达式,给出了应力强度因子的数值结果.结果表明电磁载荷会导致界面裂纹尖端I、II混合型应力奇异性,同时还伴随着电位移和磁感强度的奇异性.比较了双裂纹左右端的应力强度因子,发现在面内极化方向上施加面内磁势载荷时共线裂纹内侧尖端区域的两个法向应力场发生互相干涉增强.(本文来源于《力学季刊》期刊2018年02期）
磁电弹复合材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
多铁性复合材料特别是兼具铁电和铁磁性的磁电复合材料,其在室温下具有较高的磁电效应,因此在微电子器件领域有着十分广阔的应用前景。其中,柔性聚合物基磁电复合材料很好的中和了无机陶瓷与聚合物材料的优点,比如陶瓷的高压电与介电值,聚合物.的柔性以及高击穿场强等。本文采用具有高压电值(d31～20 pC/N)的聚(偏氟乙烯-叁氟乙烯)(P(VDF-TrFE))作为磁电复合材料的压电相,高饱和磁致伸缩系数的铁酸钴CoFe204(CFO)作为铁磁相,分别采用2-2型层状复合和0-3型核-壳结构颗粒复合两种不同的连通方式制备了P(VDF-TrFE)聚合物基磁电复合膜,利用XRD、SEM、铁电测试仪、宽频介电谱仪和VSM对复合膜的晶相、组成成分、显微结构、铁电性能、介电性能、铁磁性能和磁电性能进行了测试分析。取得研究成果如下:1)采用溶胶-凝胶法在Si衬底上旋涂制备了CFO薄膜,发现在旋涂9层,700℃的退火温度下,CFO薄膜具有较好的磁性能。将CFO薄膜与P(VDF-TrFE)复合,采用275 NMV/m电场极化后,P(VDF-TrFE)层表现出本征铁电体特征;此外,发现极化后的CFO/P(VDF-TrFE)薄膜的磁化强度增大,这是因为极化电场导致了薄膜磁各向异性的变化,说明薄膜中存在强磁电耦合。最后对复合薄膜的磁电电压系数(αE31)进行理论拟合,发现当界面耦合系数k为0.5时,可以得到508.5mV/cm·Oe的大的磁电耦合系数。2)以P(VDF-TrFE)为基体,分别添加纯CFO、CFO@BT和CFO@BT@PDA纳米颗粒,制备了叁种0-3型复合磁电薄膜。与添加纯CFO的薄膜相比,填充CFO@BT@PDA的薄膜表现出增强的介电、铁电与铁磁(FM)特性。尤其是CFO@BT@PDA/P(VDF-TrFE)薄膜,在低频(10-1Hz)下介电常数(εr)达到了85.7;在75MV/m的电场下,最大极化值(Pm)达到了49.5μC/c.m2;在5MV/m的电场下110℃油浴中极化30min,发现极化后复合薄膜饱和磁化值(Ms)由52.1emu/g增大到了61.7emu/g,从而说明了磁电复合膜具有强的磁电耦合效应。最后对CFO@BT/P(VDF-TrFE)复合膜的磁电电压系数通过非自洽理论(NSC)进行了显式计算,得出在CFO体积分数f为0.075时,αE33为150.58mV/cm·Oe。以上结果表明,无论是2-2型的CFO/P(VDF-TrFE)薄膜还是核壳结构的0-3型CFO@BT@PDA/P(VDF-TrFE)薄膜都具有较高的磁电电压系数,为多铁性复合膜作为存储和磁电传感器件提供了潜在的候选者;此外,这种核壳结构的柔性磁电膜也为今后研究高磁电效应的复合材料提供了一个很好的参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁电弹复合材料论文参考文献
[1].文建彪.磁电复合材料多场耦合有限元分析及器件设计[D].兰州大学.2019
[2].尹亚玲.CoFe_2O_4/P（VDF-TrFE）磁电复合材料性能研究[D].西安理工大学.2019
[3].李纯健,周勇,潘昱融,焦东宏.磁电复合材料结构对磁电系数的影响[J].陕西师范大学学报(自然科学版).2019
[4].刘普昌.CoNi/PZT层状磁电复合材料的制备及其性能研究[D].华中科技大学.2019
[5].张小丽,梁波.L-L模式磁电双层复合材料的正、逆磁电效应研究[J].仪表技术与传感器.2018
[6].丁本杰,陈剑斌,黄斌,杜建科.磁电复合材料PMN-PT/Terfenol-D/PMN-PT磁电耦合性能的有限元分析[J].功能材料.2018
[7].徐瑞成,王振华,陈刚,李春月,高荣礼.多铁性复合材料磁电耦合效应研究进展[J].中国陶瓷.2018
[8].辛成舟,马健男,马静,南策文.伸缩-剪切模式自偏置铌酸锂基复合材料的磁电性能和高频谐振响应[J].物理学报.2018
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[10].田文祥,仲政.层状磁电复合材料界面共线裂纹平面问题分析[J].力学季刊.2018