导读:本文包含了碳化硅纳米晶论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:等离激元,二维二元碳化硅,含时密度泛函理论
碳化硅纳米晶论文文献综述
尹海峰,曾春花,陈文经[1]（2019）在《二维二元碳化硅纳米结构的等离激元激发》一文中研究指出基于含时密度泛函理论,研究两种构型的二维二元碳化硅(SiC)纳米结构的等离激元激发.SiC纳米结构有两个等离激元共振带.由于键长的改变,相对于硅烯纳米结构和石墨烯纳米结构,SiC纳米结构的两个等离激元共振带分别发生蓝移和红移.一种SiC纳米结构的等离激元共振激发依赖于边界的构型和纳米结构形貌;另一种SiC纳米结构的等离激元共振激发对于边界构型和纳米结构形貌的依赖性降低.沿不同方向激发时,等离激元共振特性基本相同.(本文来源于《计算物理》期刊2019年05期）
姜海越,张振宇,黄思玲[2]（2019）在《碳化硅纳米线拉伸断裂及断裂表面接触的分子动力学模拟》一文中研究指出一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料。基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25?,长150?的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线。通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合。(本文来源于《硬质合金》期刊2019年04期）
张肇伟[3]（2019）在《缸套表面沉积镍基碳化硅纳米镀层研究》一文中研究指出为了改善钻井泥浆泵缸套表面综合性能,采用超声-电沉积方法在40Cr钢缸套试件表面制备Ni-SiC纳米镀层。利用原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜、显微维氏硬度计、摩擦磨损试验机和涂层附着力划痕仪对Ni-SiC纳米镀层的表面形貌和性能进行测试,研究超声场强度对Ni-SiC纳米镀层性能的影响。结果表明:随着超声场强度的增加,Ni-SiC纳米镀层的晶粒逐渐细化,表面粗糙度逐渐降低,镀层的孔隙直径逐渐减小;当超声场强度为180 W时,Ni-SiC纳米镀层表面晶粒的尺寸最小,其表面粗糙度Ra和摩擦因数均达到最小值34. 687 nm和0. 236,纳米镀层的界面结合力达到最大值63. 22 N,其摩擦因数平均值达到最小值0. 236。(本文来源于《兵器装备工程学报》期刊2019年04期）
骆芳,杜琳琳,张群莉,叶琛,卢献钢[4]（2019）在《激光辐照碳化硅颗粒原位生成碳化硅纳米纤维的条件与特征》一文中研究指出目的通过优化制备碳化硅纳米纤维的工艺及激光工艺参数,获得一种制备碳化硅纳米纤维的新方法。方法利用500 W振镜式光纤激光器,在氩气的保护下,以一定的激光工艺参数辐照预置在镍基板上的纳米碳化硅颗粒,采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)分别对所得产物的形貌、元素组成、物相以及微观结构进行分析。结果激光工艺参数对所得产物的形貌以及结构有一定的影响,当激光能量密度在7.71～8.75 kJ/cm2之间时,制备出的碳化硅纳米纤维由多晶和非晶结构组成,其直径范围在5～10 nm之间;当激光能量密度为7.92～8.33 kJ/cm2时,样品中除Si C外,还有少量的C元素。结论激光辐照Ni基板上的碳化硅纳米颗粒,在优化的激光工艺参数下,可以制备出形貌良好的纳米纤维,为制备纳米材料提供了一种新途径。(本文来源于《表面技术》期刊2019年02期）
荀涛,孙晓亮,李公义,胡天娇,杨汉武[5]（2018）在《一种碳化硅纳米线强流脉冲电子束源阴极》一文中研究指出强流电子束源是高功率微波系统的核心部件之一,为满足系统重频、长寿命运行的需求,强流束源需要吸纳新型强场材料。SiC纳米线其外观类似于传统天鹅绒阴极,同时具备高熔点、良好的热稳定性、化学稳定性、高的力学强度及电击穿强度。论文在成功制备SiC纳米线阴极的基础上,将其应用于高功率二极管,在450 kV、120 ns脉冲加载下,对比研究了常规天鹅绒和SiC纳米线的等离子体特性,包括阴极启动过程、阴极等离子体膨胀、宏观稳定性及运行寿命等。结果显示,SiC纳米线阴极的电子发射阈值场强为17±3 kV/cm,约为常规天鹅绒阴极的2/3;电场强度上升率相同时,SiC纳米线阴极比常规天鹅绒阴极启动时间短10-15 ns;SiC纳米线阴极在不同时刻的等离子体发光更强烈也更均匀,对应的二极管电流也更大;在100 kV/cm、230 A/cm~2的强场条件下,SiC纳米线阴极能够改善二极管的宏观电稳定性且运行寿命更长。论文研究结果对于拓展SiC纳米线应用和提高强流电子束源的技术性能都具有重要意义。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集》期刊2018-08-23）
付新[6]（2018）在《碳化硅纳米粒子改性环氧树脂影响因素的研究》一文中研究指出通过先强力磁力搅拌再超声波分散的方式制备了均匀分散的碳化硅纳米粒子改性环氧树脂复合材料。采用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜以及力学性能测试研究了强力磁力搅拌时间、超声波振荡时间和碳化硅纳米粒子添加量对复合材料性能的影响。结果表明:当强力磁力搅拌、超声波分散时间分别为2 h时,碳化硅纳米粒子的分散效果最佳,复合材料的拉伸强度和弯曲强度均为最大值。随着碳化硅纳米颗粒用量增加,复合材料的拉伸性能和弯曲性能都出现了先增加后减小的趋势。当碳化硅纳米颗粒的质量分数为2%时,材料的拉伸模量、弯曲强度、弯曲模量和弯曲应变达到了最大值1 390.7 MPa,110.53 MPa,3 269.4 MPa和6.62%,较纯环氧树脂分别提高了24.3%,36.8%,28.6%和30.1%。其质量分数为3%时,拉伸强度和断裂伸长率分别达到最大值70.51 MPa和5.09%,比纯环氧树脂提高了49%和20.3%。(本文来源于《热固性树脂》期刊2018年04期）
李辉[7]（2018）在《利用表面修饰方法调控碳化硅纳米条带电学和磁学性质的理论研究》一文中研究指出石墨烯在实验上的成功制备,开启了纳米材料研究的又一个黄金时代,维度的减少使石墨烯及其衍生物表现出一般传统材料不具备的特性,这些奇特的性质让人们看到了石墨烯等低维材料广阔的应用前景,并成为材料领域研究的热点之一。随着计算机性能的快速提升和计算模拟方法的日益进步,研究者们可以更加精确的设计和模拟低维纳米材料的结构和物理化学等性质。对高性能材料的追求是研究者们不懈奋斗的目标,在一维纳米材料中,碳化硅纳米条带的结构与石墨烯纳米条带类似且具有独特的电学和磁学性质,其优越的热稳定性和化学稳定性及良好的加工性能等特性吸引了大量理论和实验研究者们的关注,使其在纳米电子器件等领域有着广泛的应用前景。本论文借助第一性原理的密度泛函理论计算,系统研究了利用聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)、3d过渡金属原子和磁性超卤素MnCl_3对一维碳化硅纳米条带的表面修饰,及对碳化硅纳米条带的几何结构、电学性质和磁学性质的影响。对现有材料的功能化修饰是拓宽材料应用前景的最有效途径,而表面功能化修饰是理想的策略之一,在不破坏材料内在结构和原本性质的同时,进一步丰富其性质。我们将主要研究成果总结如下:聚合物聚偏氟乙烯以非共价相互作用的方式表面修饰锯齿型碳化硅纳米条带,利用聚偏氟乙烯内在的偶极性质和吸电子能力来打破锯齿型碳化硅纳米条带磁态能量简并的问题,并调控其电学和磁学性质。聚偏氟乙烯能够稳定的吸附在碳化硅纳米条带表面(吸附能为-0.436~-1.315 e V),并与基底碳化硅纳米条带之间发生了显着的电荷转移,聚偏氟乙烯的内在偶极矩和吸电子作用使纳米条带平面的静电势发生了明显变化,有效的调节其能带结构并克服了磁性简并的缺点。聚偏氟乙烯以四种不同空间构型分别吸附在锯齿型碳化硅纳米条带表面,均能打破碳化硅纳米条带的磁性简并问题,并获得单独的铁磁态金属性体系或反铁磁态半金属性体系。利用3d过渡金属原子(Ti、Cr、Mn、Fe和Co)表面修饰锯齿型碳化硅纳米条带,详细研究了3d过渡金属原子对锯齿型碳化硅纳米条带的电学、磁学性质和稳定性的影响。过渡金属原子具有独特的d电子结构和内在磁矩,当3d过渡金属原子作用在纳米条带中心时,由于过渡金属原子的部分d电子转移到基底并引起基底碳化硅纳米条带平面静电势的降低,进而打破了其磁性简并,使体系显示出单独的铁磁态或反铁磁态的金属性行为,且获得的性质与纳米条带宽度的变化无关。当过渡金属原子由纳米条带中心移到纳米条带边缘时,依然能打破其磁性简并,并获得有趣的铁磁态或反铁磁态的半金属性行为。由于条带中心和硅/碳边的活性不同以及过渡金属d电子的成键不同等原因,过渡金属原子在条带中心、碳边、硅边的稳定吸附位点略有不同,但都能稳定的吸附在纳米条带表面,吸附能在-0.872~-4.304 e V之间,具有非常高的结构稳定性。所以表面吸附过渡金属原子在调控锯齿型碳化硅纳米条带电学和磁学性质方面是一种十分有效的策略,这些结果将提升碳化硅基材料在纳米电子自旋器件等领域的应用潜能。超卤素是一种具有比卤素原子的电子亲和能更高的一类基团或分子。因其具有很高的电子亲和能,可以作为构建安全性好、性能稳定的新型高能密度材料的结构单元。在过去的一段时间里,人们主要关注如何设计和合成新型的超卤素,而在如何应用超卤素来调控材料的物理化学性质,以增强或实现材料的功能化是尚未深入研究的领域。因此,我们详细研究了磁性超卤MnCl_3对锯齿型和扶手椅型两种碳化硅纳米条带的表面修饰。结果显示MnCl_3吸附在纳米条带表面可引入较大磁矩,并伴随着电子由基底到MnCl_3的转移,引起纳米条带平面静电势的显着升高。对于锯齿型碳化硅纳米条带,可有效克服其磁性简并,并获得有趣的铁磁金属性质和半金属性质,而对于扶手椅型碳化硅纳米条带,其非磁态的半导体性质被调控为铁磁态半金属和自旋无带隙半导体性质。在MnCl_3修饰的体系中,铁磁态半金属和自旋无带隙半导体性质不受纳米条带宽度的影响。MnCl_3修饰的所有体系都显示出非常好的热力学稳定性,吸附能范围是-1.430~-3.915 e V。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
张恒[8]（2018）在《聚乳酸/碳化硅纳米复合材料的制备及性能表征》一文中研究指出聚乳酸(PLA)是一种可生物降解的热塑性脂肪族半结晶聚酯,由可再生资源如玉米淀粉,木薯根和甜菜糖等合成。PLA表现出类似于聚乙烯,聚丙烯,聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯等一些石油基热塑性塑料的强度性能;因此,它被开发成传统石油基聚合物的潜在替代品。此外,PLA其加工方法简单且便捷,如挤出,注塑,热成型和压缩成型。因此,PLA被应用于包装,生物医学,工业车辆内部和工程应用。然而,PLA的几个缺点,如低冲击强度和高价格,限制了它的广泛应用。为了克服这些限制,PLA通常用相容的改性剂、添加剂或填料改性。最近,纳米填料增强聚合物的复合材料已经引起了学术界和工业界的研究人员的兴趣。这些纳米复合材料通过将具有几纳米量级的填料分散到聚合物基质中来制备。将纳米粒子结合到聚合物中形成大量的界面并增强填料和聚合物基体之间的分子间相互作用。本文通过使用不同偶联剂改性纳米碳化硅(SiC),经过溶液共混法制备PLA基复合材料,并对纳米颗粒和复合材料的热稳定性、断裂韧性、力学性能和形态学进行研究。本论文研究工作总结为以下两方面:硅烷偶联剂处理SiC增韧PLA的研究结果:随着硅烷偶联剂表面修饰SiC加入,复合材料的的热稳定性与纯PLA相比略微降低。PLA/S-SiC复合材料的断裂韧性和冲击强度相较于纯PLA有明显提高,分别提高18%和56%。随着改性SiC加入,复合材料的弯曲强度和弯曲模量都呈先增大后保持在稳定水平。SEM图片表明PLA/SiC和PLA/S-SiC复合材料的冲击断面较纯PLA有更粗糙不平的冲击断裂面。钛酸酯偶联剂处理SiC增韧PLA的研究结果:随着钛酸酯偶联剂表面修饰SiC加入,复合材料的热稳定性与纯PLA相比略微降低。与纯PLA相比,PLA/SiC复合材料的断裂韧性和冲击强度相较于纯PLA有明显提高,分别提高52%和68%。随着改性SiC加入,复合材料的弯曲强度和弯曲模量都呈先增大后保持在稳定水平。SEM图片表明PLA/SiC和PLA/T-SiC复合材料的冲击断面较纯PLA有更粗糙不平的冲击断裂面。(本文来源于《吉林化工学院》期刊2018-06-01）
艾文思[9]（2018）在《离子束辐照导致纳米晶碳化硅非晶化的研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)是未来先进核能系统中极具潜力的核结构材料。提高SiC材料的抗辐照能力对它们在反应堆中的应用具有重要意义。由于晶粒边界(grain boundaries,GBs)对辐照产生的可移动点缺陷具有吸收和湮灭的作用,一般认为晶粒尺寸小于100 nm的纳米晶材料相比单晶材料可能具有更强的抗辐照能力。迄今,国内外对纳米晶SiC(nc-Si C)辐照损伤效应的研究还十分有限,对其相关损伤机制的认识尚不完全清楚。本工作分别使用5 MeV Xe、60 keV C和18 keV He离子在室温下对叁种平均晶粒尺寸分别为2.7 nm、6.0 nm和19.7 nm的nc-SiC及单晶Si C薄膜进行辐照,然后利用Raman光谱技术研究了离子辐照导致薄膜的非晶化过程。Raman光谱的结果显示随着离子辐照剂量的增大,nc-SiC及单晶SiC表征Si-C振动的特征峰强度逐渐减弱,而与同核Si-Si和C-C键相关的振动峰强度逐渐增强,直至薄膜被完全非晶化,光谱形状不再发生明显变化。我们使用Raman光谱中Si-C振动峰的相对强度来表征受辐照薄膜的相对结构无序度,发现:(1)对于叁种离子辐照,nc-SiC的非晶化剂量随着晶粒尺寸的增大而增加,但都明显小于单晶SiC的非晶化剂量。对于我们研究的生长在非晶Si C基体中的SiC晶粒,辐照过程中非晶基体向晶粒内部的外延生长可能是导致Si C晶粒快速非晶化的主要原因。(2)在相同的原子移位剂量(dpa)下,Xe、C和He离子辐照造成nc-SiC的结构无序度相差不大,它们导致nc-SiC薄膜非晶化的速率几乎相同。这可能与质量较轻的离子使用了较大的辐照束流强度以及高能Xe离子的电子能量沉积对辐照缺陷的恢复作用有关。我们的研究结果表明对于不同质量的离子辐照,nc-Si C的抗辐照能力随着晶粒尺寸的增大而增强,单晶Si C相比nc-SiC具有更强的抗辐照能力。研究结果将为nc-SiC材料在未来核能系统中的应用提供重要的理论和实验依据。(本文来源于《兰州大学》期刊2018-06-01）
支明蕾[10]（2018）在《修饰型单壁碳化硅纳米管热导率的分子动力学模拟》一文中研究指出作为碳化硅材料中的一种,碳化硅纳米管(SiCNTs,SiC纳米管)不仅具有叁代宽带隙半导体材料的耐高温、高压性,也沿袭了纳米管的六角结构。自SiCNTs问世以来,就有学者研究发现,掺杂以及空位等因素会对碳化硅纳米管的物理、化学性质造成一定的影响。由于Si CNTs高温下表现出极强的热稳定性,决定了SiCNTs光明的应用前景,SiCNTs的热导率也因此成为研究的热点。但是,由于尺寸过小、制备工艺复杂,利用实验方法测量SiCNTs热导率具有一定困难,所以本论文致力于运用非平衡分子动力学方法预测了替位、单空位、单键带断裂修饰型SiCNTs的热导率。(1)替位修饰型SiCNTs:室温下,替位原子选择N、P原子。掺杂原子百分比在0-0.104%范围内变化,N、P替位SiCNTs的热导率变化范围分别为:74.057-82.904Wm~(-1)K~(-1)、70.3232-82.9040Wm~(-1)K~(-1)。系统温度变化范围在10-600K之间,以掺杂原子百分比为0.052038%的N、P替位Si CNTs为例,其热导率变化范围分别为:69.7460-75.8920Wm~(-1)K~(-1)、67.8230-75.8670Wm~(-1)K~(-1)。P替位修饰型SiCNTs的热导率要略小于N替位Si CNTs的热导率,掺杂原子百分比越大,热导率越小;而系统温度越高,声子热运动就越快,热导率随之变大;不同掺杂原子数占总原子数的百分比不同,声子散射概率也就不同,声子与替位原子间的散射概率增加,热导率减小。(2)单空位、单键带断裂修饰型SiCNTs:室温下,管长为13.01-78.15 nm的两种修饰型SiCNTs热导率为:单键带断裂修饰SiCNTs为34.725-76.821Wm~(-1)K~(-1)、单空位修饰SiCNTs为31.668-76.602Wm~(-1)K~(-1)。空位、键带断裂修饰是一种静态散射因素,它会降低声子平均自由程。管长在小于声子平均自由程时,尺寸效应较为明显。在温度为10-700K时,管长为65.05nm的单空位、单键带断裂修饰型SiCNTs热导率为:单键带断裂修饰SiCNTs为67.3220-70.7460Wm~(-1)K~(-1)、单空位修饰SiCNTs为66.283-70.222Wm~(-1)K~(-1)。激发SiC纳米管内部含有高频声子,随着系统温度的升高,高频声子的阈值会降低,热导率增大。本文的研究对人们进一步研究修饰型SiCNTs的热物性提供了有益参考。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2018-05-01）
碳化硅纳米晶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料。基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25?,长150?的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线。通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
碳化硅纳米晶论文参考文献
[1].尹海峰,曾春花,陈文经.二维二元碳化硅纳米结构的等离激元激发[J].计算物理.2019
[2].姜海越,张振宇,黄思玲.碳化硅纳米线拉伸断裂及断裂表面接触的分子动力学模拟[J].硬质合金.2019
[3].张肇伟.缸套表面沉积镍基碳化硅纳米镀层研究[J].兵器装备工程学报.2019
[4].骆芳,杜琳琳,张群莉,叶琛,卢献钢.激光辐照碳化硅颗粒原位生成碳化硅纳米纤维的条件与特征[J].表面技术.2019
[5].荀涛,孙晓亮,李公义,胡天娇,杨汉武.一种碳化硅纳米线强流脉冲电子束源阴极[C].中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集.2018
[6].付新.碳化硅纳米粒子改性环氧树脂影响因素的研究[J].热固性树脂.2018
[7].李辉.利用表面修饰方法调控碳化硅纳米条带电学和磁学性质的理论研究[D].吉林大学.2018
[8].张恒.聚乳酸/碳化硅纳米复合材料的制备及性能表征[D].吉林化工学院.2018
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