导读:本文包含了混合物理化学气相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:HPCVD,MgB_2薄膜,SiC衬底,MgO衬底
混合物理化学气相沉积论文文献综述
马世成[1]（2015）在《基于不同衬底混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超导薄膜与特性的研究》一文中研究指出2001年发现了MgB2的超导电性,其超导转变温度超过39K,接近BCS超导体的极限。MgB2具有成本低廉、结构简单、晶界间不存在弱连接、较长的相干长度(ξ～5rnm)、较高的转变温度、高的临界电流密度和高的上临界磁场等优势,这使得MgB2薄膜在超导磁体及超导电子器件方面有着广泛的应用前景。本论文介绍了MgB2的基本结构、超导性质、应用及制备方法,并重点研究了用HPCVD法在SiC和MgO衬底上制备MgB2薄膜、超薄膜：通过对用HPCVD法在SiC和MgO衬底上制备的MgB2薄膜的研究,介绍了影响薄膜沉积速率和沉积质量的因素,并给出了相应的改进方法；用HPCVD法在SiC衬底上制备了MgB2超薄膜,并详细研究了其制备过程和超薄膜的超导特性,得到SiC衬底上MgB2超薄膜的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式,生长方向为c轴外延。且随着膜厚的增加,超薄膜的连接性和均匀性逐渐提高,临界温度随之提高,剩余电阻率随之降低。得到的20nm厚MgB2超薄膜各方面性能都比较优异,临界电流密度Jc(OT,5K)为0.82×107A/cm2,对超导电子器件方面实际应用方面已经足够,对MgB2在超导电子器件方面的应用很有意义。另外,本论文总结了MgB2薄膜制备的方法特点及今后工作的方向。(本文来源于《华北电力大学》期刊2015-03-01）
张焱,王越,马平,冯庆荣[2]（2014）在《混合物理化学气相沉积法制备MgB_2单晶纳米晶片的研究》一文中研究指出利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的Mg B2单晶纳米晶片.利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上,以便对其精细结构等物性进行表征.电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性:T c onset=38K,T c(0)=33K.扫描电子显微镜图像表明,晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间,宽度从几微米到上百微米;高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹.选区电子衍射数据与Mg B2已有的单晶衍射数据相符.这些测量结果证实了其确为高质量单晶Mg B2超导纳米晶片.本文不仅提出了一种全新的制备单晶Mg B2的方法,也观察到了纳米尺度Mg B2单晶的零电阻现象,为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材.(本文来源于《物理学报》期刊2014年23期）
黄煦,孙玄,王亚洲,冯庆荣[3]（2010）在《氢气流量对混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超薄膜的影响》一文中研究指出用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB2超薄膜.在背景气体压强、B2H6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,Tc分别是26K和33K与28K和37K.(本文来源于《低温物理学报》期刊2010年01期）
丁莉莉,陈莉萍,李芬,冯庆荣,熊光成[4]（2006）在《混合物理化学气相沉积法制备蓝宝石衬底外延MgB_2薄膜性质的研究》一文中研究指出我们用混合物理化学气相沉积(Hybridphysicalchemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在αAl2O3(00l)衬底上原位制备了一批超导性能良好的外延MgB2超导薄膜样品.用10%浓度的乙硼烷(B2H6)氢气混合气作为原料,研究了不同条件对MgB2薄膜沉积速率的影响.在一定条件下制备了一批MgB2薄膜,厚度为200nm左右,样品的零电阻转变温度(Tc0)最高达到39K.X射线衍射分析的θ～2θ扫描表明,MgB2薄膜的晶粒都具有较好的C轴取向,对样品的(101)面Φ扫描结果显示MgB2薄膜晶格与衬底有很好的外延取向,取向关系为[1010]MgB2∥[1120]Al2O3.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=9.8×106A/cm2.这些结果表明HPCVD技术在MgB2外延薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.(本文来源于《低温物理学报》期刊2006年02期）
姚丹,庄承钢,张开成,余增强,冯庆荣[5]（2006）在《混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜》一文中研究指出用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm~1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2006年03期）
丁莉莉,姚丹,陈莉萍,庄承钢,张开诚[6]（2005）在《混合物理化学气相沉积法制备Al_2O_3衬底MgB_2薄膜性质的研究》一文中研究指出我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)=40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R~T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.(本文来源于《低温物理学报》期刊2005年S1期）
庄承钢,安玲,陈莉萍,丁莉莉,张开诚[7]（2005）在《混合物理化学气相沉积法制备不锈钢衬底MgB_2超导厚膜样品的韧度研究》一文中研究指出我们用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备了一批不锈钢衬底的MgB2 超导厚膜样品,厚度在10～30 μm间,Tc(onset)是37.8～37.2K ,超导转变宽度ΔT在1.2K左右,是(10 1)方向织构的致密厚膜,并有少许MgO杂相.对样品进行弯折研究,随着弯曲角度的增加,膜面出现不同程度的条状裂纹,但仍能保持膜面的基本完整;虽然样品的超导起始转变温度降低、转变温区变宽,性能有所下降,但超导特性仍能保持在一个很好的水平上.这个结果表明了采用HPCVD方法制备不锈钢衬底带材将会很好地克服MgB2 超导膜由于硬脆的性质而无法绕制磁体的问题,有着十分重要的应用意义。(本文来源于《低温物理学报》期刊2005年02期）
贾璋,郭蕙璞,吕莹,王新峰,陈晋平[8]（2005）在《混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的MgB_2超导厚膜样品的成分分析》一文中研究指出本文介绍了基于混合物理化学气相沉积法 (HPCVD) ,以B2 H6 为硼源 ,在 (0 0 0l)取向的Al2 O3单晶衬底上 ,制备了MgB2 超导体厚膜样品 .该样品平均厚度约为 4 0 μm .其Tc(onset) =39K ,Tc(0 ) =37.2K .X光衍射图显示该膜沿 (10 1)方向生长 ,具有少量Mg和MgO杂相 .SEM图像、X射线能量损失谱以及背散射电子衍射图证实了这两种杂相的存在 ,并显示该样品成分富镁 .样品表面的镁与空气接触形成MgO膜 ,在一定程度上阻止了MgB2 样品进一步被氧化 .对于MgB2 厚膜成膜过程及反应机理 ,我们提出了一种新的推断 .(本文来源于《低温物理学报》期刊2005年01期）
王新峰,郭荆璞,贾璋,吕莹,朱萌[9]（2004）在《初探混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备不锈钢衬底MgB_2超导厚膜样品》一文中研究指出介绍用混合物理化学气相沉积法 (HPCVD)制备的不锈钢衬底MgB2 超导厚膜样品 .该样品的Tc(onset) =38K ,Tc( 0 ) =2 7K .X光衍射图形表明它是 (10 1)方向织构的致密厚膜 .这种膜具有较强的韧性 ,同时和衬底有高度的结合性 .当其被弯曲到约 2 0 0微米半径的弧度时 ,膜面会出现条状裂纹 ,但仍有少部分膜面未被破坏 ,保持完整 ,表现出较好的韧性(本文来源于《低温物理学报》期刊2004年04期）
混合物理化学气相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的Mg B2单晶纳米晶片.利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上,以便对其精细结构等物性进行表征.电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性:T c onset=38K,T c(0)=33K.扫描电子显微镜图像表明,晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间,宽度从几微米到上百微米;高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹.选区电子衍射数据与Mg B2已有的单晶衍射数据相符.这些测量结果证实了其确为高质量单晶Mg B2超导纳米晶片.本文不仅提出了一种全新的制备单晶Mg B2的方法,也观察到了纳米尺度Mg B2单晶的零电阻现象,为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
混合物理化学气相沉积论文参考文献
[1].马世成.基于不同衬底混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超导薄膜与特性的研究[D].华北电力大学.2015
[2].张焱,王越,马平,冯庆荣.混合物理化学气相沉积法制备MgB_2单晶纳米晶片的研究[J].物理学报.2014
[3].黄煦,孙玄,王亚洲,冯庆荣.氢气流量对混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超薄膜的影响[J].低温物理学报.2010
[4].丁莉莉,陈莉萍,李芬,冯庆荣,熊光成.混合物理化学气相沉积法制备蓝宝石衬底外延MgB_2薄膜性质的研究[J].低温物理学报.2006
[5].姚丹,庄承钢,张开成,余增强,冯庆荣.混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜[J].北京大学学报(自然科学版).2006
[6].丁莉莉,姚丹,陈莉萍,庄承钢,张开诚.混合物理化学气相沉积法制备Al_2O_3衬底MgB_2薄膜性质的研究[J].低温物理学报.2005
[7].庄承钢,安玲,陈莉萍,丁莉莉,张开诚.混合物理化学气相沉积法制备不锈钢衬底MgB_2超导厚膜样品的韧度研究[J].低温物理学报.2005
[8].贾璋,郭蕙璞,吕莹,王新峰,陈晋平.混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的MgB_2超导厚膜样品的成分分析[J].低温物理学报.2005
[9].王新峰,郭荆璞,贾璋,吕莹,朱萌.初探混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备不锈钢衬底MgB_2超导厚膜样品[J].低温物理学报.2004