本文主要研究内容
作者李如永,段苹,崔敏,王吉有,原安娟,邓金祥（2019）在《后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响》一文中研究指出：本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的（004）、（■）和（120）峰从无到有,（401）、（■）和（■）峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显著改变Mg掺杂Ga2O3薄膜的光致发光特性。
Abstract
ben wen cai yong shuang ba cai jiao ti jian she de she pin ci kong jian she fa sheng chang le gao zhi liang de Mgcan za yang hua jia bao mo ,bing jiang zhi bei de yang pin zai 1000℃tiao jian xia jin hang hou tui huo chu li ,yi yan jiu tui huo qian hou Mgcan za Ga2O3bao mo de xing zhi bian hua 。XRDjie guo biao ming ,tui huo hou de （004）、（■）he （120）feng cong mo dao you ,（401）、（■）he （■）feng you jiang bian ruo ,biao ming tui huo gai bian le Mgcan za Ga2O3bao mo de jie gou 。AFMjie guo biao ming ,tui huo hou de bao mo biao mian jun fang gen cu cao du you 1.3637nmzeng da dao 17.1133nm。EDSjie guo biao ming ,tui huo chu li hou de Mgyuan su chong liang bai fen bi you suo di gao 。zi wai ke jian tou she guang pu yan jiu biao ming ,tui huo qian bao mo zai 200-1500nmbo chang fan wei nei de ping jun guang tou guo lv jiao di ,da yao wei 80%,tui huo hou ping jun guang tou guo lv ming xian di gao dao 90%yi shang ,ci wai bao mo guang xue xi shou bian lan yi ,dai xi kuan du bian da ,biao ming tui huo you zhu yu gai shan bao mo jie gou ,zeng jiang guang tou xing 。guang zhi fa guang pu shi yan jie guo biao ming ,xiang bi jiao tui huo chu li hou de bao mo ,tui huo qian de guang zhi fa guang feng ji hu ke yi hu lve bu ji ,zhe shui ming tui huo ke xian zhe gai bian Mgcan za Ga2O3bao mo de guang zhi fa guang te xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自真空的李如永,段苹,崔敏,王吉有,原安娟,邓金祥，发表于刊物真空2019年03期论文，是一篇关于后退火论文,掺杂薄膜论文,光透过率论文,带隙宽度论文,光致发光谱论文,真空2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自真空2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。