导读:本文包含了掺杂工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:离子注入掺杂,变化规律,N-PERT,注入剂量
掺杂工艺论文文献综述
袁雅静[1]（2019）在《基于N-PERT电池产业化离子注入掺杂工艺稳定性研究》一文中研究指出引言:目前国内外光伏企业研究的高效太阳能电池,都是基于N型衬底。N型电池具有少子寿命高、光致衰减低等优点。可制备双面电池,提高系统发电量优势是太阳能电池发展的趋势。普通N型双面电池的结构示意图如图1所示。(本文来源于《电子世界》期刊2019年21期）
占丽娜,刘耀,李昊,刘绍军[2]（2019）在《流延成型制备MoO_3掺杂BiSmMoO_6微波陶瓷基片的工艺研究》一文中研究指出以Bi_2O_3-Sm_2O_3-MoO_3为原料,使用固相反应法,制备BiSmMoO_6微波陶瓷,对浆料的流变性能、流延膜的微观结构和相组成进行表征。结果表明:在选择乙醇/异丙醇为溶剂的前提下,浆料在pH=6,固相含量为60%(质量分数,下同),添加剂分别为2%的磷酸叁丁酯分散剂,8%的PVB黏结剂,4.8%的聚乙二醇增塑剂时,流延浆料具有优异的流变学性能。烧结后流延膜片微观结构致密,物相组成相比于压制成型样品没有改变。(本文来源于《材料工程》期刊2019年10期）
酉琪,姜嫄嫄,彭浩然,张鑫,魏少红[3]（2019）在《不同喷涂工艺对Cr~(3+)掺杂Al_2O_3陶瓷涂层相结构及发光性能影响研究》一文中研究指出通过火焰喷涂工艺和等离子喷涂工艺制备了Cr~(3+)掺杂Al_2O_3陶瓷涂层。采用扫描电镜、X射线衍射、荧光光谱仪等方法表征了涂层的微观形貌、孔隙率、相结构及发光性能等。对比两种不同工艺制备的Cr~(3+)掺杂Al_2O_3陶瓷涂层性能结果表明:等离子喷涂制备的涂层形貌、颗粒熔化状态、厚度均一性均优于火焰喷涂涂层,但火焰喷涂工艺涂层的发光性能远优于等离子工艺涂层,其原因是火焰喷涂制备的涂层中Al_2O_3粒子的熔融状态更差,保留了更多的α-Al_2O_3相,未熔粒子部分将以喷涂原粉中稳定的α-Al_2O_3结构存在涂层中进而影响其光学性能。(本文来源于《热喷涂技术》期刊2019年02期）
王超[4]（2019）在《Fe/Cu/Ce离子掺杂二氧化钛制备工艺及光催化性能研究》一文中研究指出TiO_2半导体材料因其光催化活性高、化学性能稳定和具强氧化性的特点,成为最具应用潜力的催化剂材料。但TiO_2光催化材料存在两个严重的缺点:(1)在催化过程中,因其较宽的禁带宽度导致只能吸收太阳光中极少的紫外光;(2)TiO_2在光催化反应过程中电子空穴对极易复合。为此,本文采用溶胶-凝胶法制备了不同浓度Fe~(3+)、Cu~(2+)、Fe~(3+)+Cu~(2+)、Ce~(3+)掺杂改性的二氧化钛光催化样品粉体,并对其进行了组织、结构表征及性能分析。结论如下:450℃煅烧温度下制备得到锐钛矿相和金红石相共存的TiO_2,高温促使TiO_2晶粒尺寸变大,团聚现象加剧。掺杂Fe~(3+)的TiO_2粉末主要由锐钛矿相组成,Fe~(3+)促进金红石相向锐钛矿相TiO_2转变,且有细化晶粒的作用。Fe~(3+)掺杂含量为1.0%的TiO_2表面大量羟基(-OH)存在,且吸收带边发生红移,显着提高了TiO_2的光催化性能。调节反应体系初始pH和罗丹明B(RhB)的初始浓度可获得最佳的催化效果。在pH=9的反应溶液中,Fe~(3+)掺杂含量为1.0%的TiO_2对2.5 mg/L的RhB降解率最高为83.97%,比纯TiO_2的67.97%降解率提高了16.32%。掺杂Cu~(2+)的TiO_2为晶粒尺寸较小的的锐钛矿结构,紫外可见光谱分析得到其光谱响应范围明显增大。Cu~(2+)掺杂含量为1.0%的TiO_2对RhB的降解率最佳为87.65%,比纯TiO_2的降解率67.97%提高19.68%。Fe~(3+)和Cu~(2+)共掺杂对TiO_2的掺杂改性效果更佳,掺杂含量为0.5%Cu和0.5%Fe的TiO_2对RhB的降解率为89.40%,降解率提高了21.75%。Ce~(3+)掺杂改性形成了一定结晶度的锐钛矿型TiO_2,和Cu~(2+)改性机理相像,不形成金红石相。Ce~(3+)的掺入细化了TiO_2晶粒尺寸,改善了团聚现象。Ce~(3+)掺杂使TiO_2表面存在更多的羟基,TiO_2光吸收带边红移,且在紫外光区的吸收强度明显增强。通过Ce~(3+)对TiO_2进行掺杂显着提高了其催化活性。Ce~(3+)掺杂含量为1.0%的TiO_2对RhB的降解率最佳为85.79%,比纯TiO_2对RhB的催化降解率提高了18.14%。(本文来源于《安徽工业大学》期刊2019-05-28）
黄琴[5]（2019）在《基于FDSOI工艺的SELBOX器件性能的背板掺杂及BOX窗口位置相关性研究》一文中研究指出随着芯片的核心单元——器件尺寸的进一步降低,传统平面体硅MOS器件受到短沟道效应的挑战愈发严峻,生产率和性能均无法按照摩尔定律继续提升。全耗尽绝缘层上硅(FDSOI)器件以其短沟道效应小,寄生电容小,抗辐照性能好,动态多阈值,可彻底消除闩锁效应等优势,成为28 nm节点之后的低压低功耗核心器件。然而,FDSOI器件结构中,由于埋氧层(BOX)的热导率极低(1.4 W/m·K),几乎是体硅(148 W/m·K)的1%,BOX层严重阻碍了器件的热传导。尤其当绝缘层上硅(SOI)的厚度很薄时,SOI的热导率也远低于传统的体硅,器件的自热效应十分严重。此外,器件特征尺寸不断缩小造成半导体器件受单粒子效应的影响日益显着。器件对辐射更加敏感,设备在辐射环境中的失效概率逐渐升高。因此,研究器件单粒子效应的需求日益加剧。本论文研究了一种与FDSOI工艺兼容,且可减轻器件自热效应的选择性埋氧(SELBOX)器件。针对该器件,本论文分别从自热效应、直流特性以及单粒子瞬态特性等方面展开深入研究。具体研究内容及结果如下:第一,利用Sentaurus TCAD工具完成了SELBOX器件和FDSOI器件自热效应的仿真。仿真结果表明,BOX窗口的存在可显着降低SELBOX器件的自热效应,且BOX窗口与产热点之间的距离越近,散热效率越高,器件的自热效应改善作用越明显。当背板掺杂为N型时,BOX窗口紧靠产热点位置时的SELBOX器件,其饱和电流可达5.91e-4 A,而温度仅有317.82 K。SELBOX器件的饱和电流比背偏置电压为0.9 V的FDSOI器件(5.64e-4 A)高出5%,比背偏置电压为0 V的FDSOI器件(4.90e-4 A)高出21%;而温度比背偏置电压为0.9 V的FDSOI器件(342.30 K)低24.5 K,比背偏置电压为0 V的FDSOI器件(337.47 K)低20 K。而当背板掺杂为P型时,BOX窗口紧靠热点位置时的SELBOX器件,其饱和电流为1.22e-4 A,温度仅有304.13 K。SELBOX器件的饱和电流低于背偏置电压为0.9 V的FDSOI器件(4.18e-4 A)和背偏置电压为0 V的FDSOI器件(3.39e-4 A),同时温度比背偏置电压为0.9 V的FDSOI器件(331.93 K)低28 K,比背偏置电压为0 V的FDSOI器件(326.12 K)低22 K。第二,利用Sentaurus TCAD工具完成了SELBOX和FDSOI器件直流性能的进一步仿真分析。结果表明,背板掺杂类型与BOX窗口位置共同决定了窗口处的电压能否像背板偏置一样调控SELBOX器件的直流性能。与FDSOI器件的比较得出,当背板掺杂为N型时,BOX窗口位于源端下方时的SELBOX器件直流性能与背板偏置电压为0 V的FDSOI器件完全相同,而BOX窗口位于漏端下方时的SELBOX器件饱和电流与背偏置电压为0.9 V的FDSOI相等,其饱和电流值为6.40e-4 A,比BOX窗口位于源端下方时的饱和电流值(5.40e-4 A)高出25.5%;而当背板掺杂为P型时,BOX窗口远离沟道区域下方时,SELBOX器件的直流性能与背偏置电压为0 V的FDSOI器件完全相同。第叁,完成了SELBOX器件和FDSOI器件单粒子瞬态效应的仿真分析。结果表明,背板掺杂会影响SELBOX器件漏端电流峰值及收集电荷的量,但主要影响因素是入射离子的终点位置和BOX窗口位置。当BOX窗口位于源端下方时,不管入射离子的终点是否到达硅衬底,SELBOX器件的瞬态效应都与背偏置电压为0 V的FDSOI相当。而当BOX窗口位于漏端时,若入射离子终点未到达硅衬底,SELBOX器件的瞬态效应与背偏置电压为0.9 V的FDSOI相当,而当入射离子终点到达硅衬底之后,SELBOX器件受到单粒子瞬态效应的影响变大。分别采用SELBOX器件与FDSOI器件作为反相器的下拉管时,反相器受重离子的影响相当,因而可认为SELBOX器件同样具有单粒子瞬态效应加固能力。本论文工作涉及深纳米工艺VLSI核心器件,对纳米工艺代FDSOI器件的工艺、设计及可靠性等研究有着重要的指导意义。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-05-01）
付海时,彭昊,张晓东,张盛东[6]（2019）在《H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究》一文中研究指出采用氢(H)扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示,在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响。对刻蚀了SiO_2栅介质层的器件,发现其泄漏电流较大,这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的;短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小,则是由于严重的H横向扩散导致的。对未刻蚀SiO_2栅介质层的器件,发现其阈值电压相对偏正,应该是因为SiO_2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用,导致H的横向扩散得到了抑制;器件在经过退火后迁移率上升,开态电流增大,应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域,降低了源漏电阻。(本文来源于《光电子技术》期刊2019年01期）
上官同英,刘冬敏,陈志[7]（2019）在《激光透射焊接掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料工艺研究》一文中研究指出激光透射焊接塑料技术凭借其优良的焊接性能,广泛应用于医疗、电子、汽车和包装等领域。目前工业上,为提高塑料制品的使用性能,掺杂玻璃纤维是改性塑料的一个重要方式。然而,掺杂玻璃纤维会导致塑料的透光性大幅下降,不合适的焊接工艺极易导致焊接缺陷。针对这一问题,开展激光透射焊接掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料的工艺研究,旨在获得最佳的焊接工艺。首先,根据激光透射焊接的原理,指出焊接掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料的工艺难题;其次,对掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料进行初步焊接,获得适合的焊接工艺参数范围;随后,设计田口实验,提出面能量概念,综合分析工艺参数对剪切强度的影响规律。实验分析发现,提出的面能量概念能够较好地描述焊缝剪切强度与工艺参数之间的关系,此外,得出激光透射焊接掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料的最佳面能量为0.43 J/mm~2。(本文来源于《应用激光》期刊2019年01期）
李佳帅,张静,杨红,刘倩倩,闫江[8]（2018）在《Al掺杂HfO_2高k栅介质沉积后退火工艺研究》一文中研究指出为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。(本文来源于《电子器件》期刊2018年06期）
庞恒强[9]（2018）在《激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的工艺研究》一文中研究指出基于PERC (Passivated emitter and rear cell)电池的工艺基础,进行了激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的研究。以现有的PERC电池制造技术路线为基础,激光掺杂制作选择性发射极。研究了经激光掺杂后,选择性发射极对方块电阻、磷扩散结深及表面掺杂浓度、遮光比、激光能量密度、激光脉冲重迭率的影响。利用四探针测量仪、电化学电容-电压法(ECV)、扫描电子显微镜(SEM)、WT2000(μPCD-microwave photo conductivity decay)、二次离子质谱测量仪(SIMS)、WCT120测试仪、光致发光光谱仪(PL)、光谱响应(EQE)、二次元测长仪(Two dimensional length measuring instrument)对试样依次进行了表征。研究结果表明:激光掺杂后的PERC电池在短波波段具有更高的量子效率。方块电阻主要影响了PERC电池的表面复合速率。而PERC电池的开路电压主要取决于方块电阻、激光能量密度、激光脉冲重迭率。短路电流密度主要取决于方块电阻、磷扩散结深及表面掺杂浓度、遮光比、激光能量密度、激光脉冲重迭率。(本文来源于《材料导报》期刊2018年S2期）
王芹[10]（2018）在《掺杂光纤预制棒制造工艺的改进》一文中研究指出近些年光纤激光器输出功率日益增加,这对掺杂光纤提出了更高的要求。当前制作掺杂光纤主要采用化学气相沉积(MCVD)与溶液掺杂相结合的方法,采用传统的溶液掺杂工艺存在生产周期长、成本高等弊端,为此在原有溶液掺杂的基础上进行了改进,而且改进后的新工艺与传统的化学气相沉积(MCVD)设备兼容。与传统的溶液掺杂方法相比,新工艺显着增加了光纤中离子的浓度,可直接用于制造高功率大芯径稀土掺杂光纤。(本文来源于《天津科技》期刊2018年10期）
掺杂工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以Bi_2O_3-Sm_2O_3-MoO_3为原料,使用固相反应法,制备BiSmMoO_6微波陶瓷,对浆料的流变性能、流延膜的微观结构和相组成进行表征。结果表明:在选择乙醇/异丙醇为溶剂的前提下,浆料在pH=6,固相含量为60%(质量分数,下同),添加剂分别为2%的磷酸叁丁酯分散剂,8%的PVB黏结剂,4.8%的聚乙二醇增塑剂时,流延浆料具有优异的流变学性能。烧结后流延膜片微观结构致密,物相组成相比于压制成型样品没有改变。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺杂工艺论文参考文献
[1].袁雅静.基于N-PERT电池产业化离子注入掺杂工艺稳定性研究[J].电子世界.2019
[2].占丽娜,刘耀,李昊,刘绍军.流延成型制备MoO_3掺杂BiSmMoO_6微波陶瓷基片的工艺研究[J].材料工程.2019
[3].酉琪,姜嫄嫄,彭浩然,张鑫,魏少红.不同喷涂工艺对Cr~(3+)掺杂Al_2O_3陶瓷涂层相结构及发光性能影响研究[J].热喷涂技术.2019
[4].王超.Fe/Cu/Ce离子掺杂二氧化钛制备工艺及光催化性能研究[D].安徽工业大学.2019
[5].黄琴.基于FDSOI工艺的SELBOX器件性能的背板掺杂及BOX窗口位置相关性研究[D].华东师范大学.2019
[6].付海时,彭昊,张晓东,张盛东.H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZOTFT制备工艺研究[J].光电子技术.2019
[7].上官同英,刘冬敏,陈志.激光透射焊接掺杂玻璃纤维ABS和PP塑料工艺研究[J].应用激光.2019
[8].李佳帅,张静,杨红,刘倩倩,闫江.Al掺杂HfO_2高k栅介质沉积后退火工艺研究[J].电子器件.2018
[9].庞恒强.激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的工艺研究[J].材料导报.2018
[10].王芹.掺杂光纤预制棒制造工艺的改进[J].天津科技.2018