导读:本文包含了封装热阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:芯片,双热阻,热分析,封装
封装热阻论文文献综述
申海东,张泽,陈科雯,欧永[1]（2018）在《基于双热阻模型的典型芯片封装热分析及评估方法》一文中研究指出目的研究基于双热阻模型的芯片封装热分析及评估方法,并对比分析芯片封装不同建模方式对热分析结果的影响。方法采用双热阻模型建立某ECU产品的芯片封装模型,并与"集总参数法"建模法的计算结果进行对比分析与评价。根据案例中典型的实测环境(试验箱),建立等效环境模型,并进行对比分析。结果采用双热阻模型建模的器件热仿真结果更精确,且能较好地反映芯片封装的实际热分布,从而便于发现芯片散热措施的热设计缺陷。集总参数法在应用与芯片封装建模分析时,计算误差相对较大,且无法准确表现芯片的实际散热情况。另一方面,是否建立实测环境的等效模型对计算结果影响较大。结论双热阻模型能较好地适用于芯片封装简化建模,在应用于封装芯片热分析时具有更高的精确度,且参数获取难度不大,具备较大的工程应用价值。(本文来源于《装备环境工程》期刊2018年07期）
高巍,殷鹏飞,李泽宏,张金平,任敏[2]（2018）在《功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析》一文中研究指出热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及结到管壳热阻(R_(thj-c)),并采用结构函数分析法,分析热量从芯片到管壳外的热传导过程发现,随着芯片面积的增大,热阻线性减小,利于器件散热;芯片与框架间过厚的焊锡层非常不利于热量的传导;铜框架厚度间接影响了外部包裹树脂厚度,从而改变了树脂所占器件热阻R_(thj-c)的比例,树脂材料越厚,器件热阻会明显增大。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年07期）
温文辉,罗洪庆[3]（2017）在《小封装二极管的热阻测试研究》一文中研究指出本文主要对封装外形SOD-323小电流整流二极管进行研究,对结温环境和结温引线的热阻测试方法进行介绍。测量不同温度下被测样品和小尺寸二极管芯片焊接在引线端部的热敏电压,使小封装器件的引线温度和二极管本身的结温测量的精度有了很大的提高。(本文来源于《科学家》期刊2017年08期）
高辉,仝良玉,蒋长顺[4]（2016）在《多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法》一文中研究指出随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(Si P)受到了越来越多的关注。由于多芯片的存在,Si P的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性。介绍了多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法,通过热阻矩阵来描述多芯片封装的散热特性。采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片封装样品,并分别采用有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析此款样品的散热特性,最终获得封装的热阻矩阵。(本文来源于《电子与封装》期刊2016年07期）
余昭杰,于迪,任艳,周军连,许实清[5]（2016）在《FloTHERM仿真技术在提取集成电路封装双热阻模型中的应用》一文中研究指出集成电路封装双热阻模型(RJC和RJB)可以用于电子产品散热分析时计算集成电路结温,然而基于实验测试来获取热阻模型需要花费大量经费和时间,因此可以借助仿真技术获取热阻参数。本文首先介绍仿真技术提取集成电路封装双热阻模型的流程,最后通过搭建符合JEDEC测试标准的虚拟热阻测试环境,对一款PBGA封装的集成电路进行双热阻模型提取。(本文来源于《科技视界》期刊2016年05期）
赵群[6]（2016）在《基于有限元分析的功率器件封装热阻研究》一文中研究指出随着人们对于半导体功率器件性能参数要求的不断提高,半导体功率器件不断朝着高电压大电流的方向发展,不断增加的热功耗所引发的结温升高以及器件相关可靠性能降低等问题逐渐成为制约其发展应用的障碍。结温升高不仅会造成半导体功率器件电学参数的漂移,也会影响器件可靠性,缩短其使用寿命。在电路设计的过程中,为了保证器件工作时的结温被控制在规定范围内,将器件封装热阻以及外部散热条件纳入考虑就显得非常重要。因此,半导体功率器件的封装热阻是器件生产制造厂商和设计者需要关注的重要参数。本文综述了工业生产中功率器件热阻的相关测试标准与测试方法,还建立了功率器件的有限元热分析模型,对其封装热阻进行理论研究。一方面,本文依据JEDEC组织于1995年12月在文件JESD51中提出的热阻的概念,描述了热阻测试的基本原理。本文根据JESD51-1中规定的基于电学参数的动态热阻测试方法,使用AnaTech Phase 11热分析仪测试了不同封装不同型号的功率器件的结壳热阻以及结到环境的热阻值。实际测量获得的大量测试结果表明：首先,结壳热阻值与管芯的面积有关,管芯面积越大,结壳热阻值越小；其次,结到环境的热阻与封装主体的体积有关,封装体体积越大,结到环境的热阻值越小；最后,结到环境的热阻值与封装结构有关,塑封料和铜框架的改变对结到环境的热阻值均有影响。另一方面,本文利用有限元分析软件ANSYS对TO-220F封装形式的功率器件进行了建模和稳态热分析仿真。以此模型为基础,本文探究了边界条件、管芯面积、封装体尺寸、焊料种类、焊层缺陷等因素对仿真热阻值的影响。仿真结果表明：首先,结壳热阻值会随着管芯尺寸的减小、焊锡料热导率的减小或者焊锡层厚度的增加而变大；其次,结温也会随着铜框架面积的减小而升高；最后,锡层空洞的的大小和位置对结壳热阻也各有影响。根据仿真所得的结果,本文建议封装制造厂商,减小塑封体体积、合理选择焊锡料类型以及改善贴片工艺,都可以在不削弱器件整体性能前提下,较少开支节约成本。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2016-01-01）
李汝冠,周斌,许炜,曾畅,廖雪阳[7]（2016）在《基于结构函数的大功率整流管封装内部热阻分析》一文中研究指出在对大功率整流管(以下简称器件)进行瞬态热阻抗测试的基础上,基于结构函数分析技术建立器件由热阻、热容组成的RC热模型,并结合器件的封装结构对其内部热阻进行分析,得到了器件各层材料的内部热阻分别为:芯片0.12℃/W、焊接层0.18℃/W、绝缘层0.21℃/W、管座0.67℃/W。研究表明,利用结构函数分析大功率整流管内部热阻是一种可靠、有效的方法,对于器件封装结构的热设计具有重要意义。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2016年01期）
李良海,仝良玉,葛秋玲[8]（2015）在《AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响》一文中研究指出共晶焊接装片以其稳定可靠的性能在微电子封装领域得到了越来越广泛的应用。在焊接过程中,由于界面氧化、沾污等原因产生的焊接层空洞对芯片的散热有较大的影响。研究了影响空洞率大小的因素,并采用有限元方法仿真分析了不同空洞对热阻的影响。根据仿真结果可以看出:空洞率在小于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大没有显着的变化;当空洞率大于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大而线性增加;当空洞率相同时,连续空洞的热阻几乎是分散空洞的热阻的两倍。实验结果表明利用等离子清洗机对焊接界面清洗能有效地降低焊接空洞率,芯片表面要有适当的压力来控制空洞率和焊接层厚度。(本文来源于《电子与封装》期刊2015年04期）
张哲[9]（2014）在《大功率LED低热阻封装技术进展》一文中研究指出大功率LED是照明行业的重要技术之一,其具有很多优势,比如体积小、寿命长、耐候性强、发热小、方向性好等,这些特点使得其在行业内得到了各使用单位的广泛认可。在大功率LED技术的研发中,封装技术是其主要的研究项目之一。封装技术的先进性与可行性,直接决定着大功率LED使用性能以及其寿命。因此,相关单位必须要高度重视大功率LED低热阻封装技术的研究。(本文来源于《科技传播》期刊2014年05期）
杨凯龙[10]（2014）在《功率分立器件封装热阻与热可靠性试验数值模拟研究》一文中研究指出功率器件控制电气驱动不可避免地会有频繁的开通和关断过程，此过程会产生大量的功率耗散并以热的形式自芯片向外传导。因而功率器件封装的热阻要求和可靠性考核标准较IC器件更严格。首先，本文依据JEDEC51-1和51-2A标准采用电学测量方法对功率器件热管理的重要参数-封装热阻进行了测量，同时校准了不同IGBT与功率MOSFET器件的温度敏感参数，优化了电学热阻测试方法。随后对典型的功率器件封装体(TO-247、TO-220FP、TO-3P)和结-环境热阻测试箱进行建模，采用计算流体动力学软件FloTHERM分析了稳定功率耗散条件下，叁种封装类型插装条件下的结-环境热阻。实验结果、仿真结果以及商用封装产品标识值间误差在合理范围以内，说明仿真参数和测试系统基本可靠。其后，为研究温度变化对封装体内部结构的影响，采用了ANSYSWorkbench软件对温度循环和热冲击过程中功率分立器件内部应力场进行了有限元仿真求解；模拟分别采用了静力结构分析和顺序热-结构耦合分析方法，实验设计比较了不同的焊料材料和芯片尺寸参数以及封装缺陷对封装内部应力的影响。结果表明，封装缺陷会改变封装体内部应力分布状况，形成温度循环失效隐患；芯片减薄能减小循环热冲击过程中芯片和焊料层的内部应力；传统的高铅焊料和绿色无铅焊料相比，低的形变抗力导致了温度循环中塑性应变的积累更快，温度循环可靠性寿命更低。(本文来源于《上海交通大学》期刊2014-01-07）
封装热阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及结到管壳热阻(R_(thj-c)),并采用结构函数分析法,分析热量从芯片到管壳外的热传导过程发现,随着芯片面积的增大,热阻线性减小,利于器件散热;芯片与框架间过厚的焊锡层非常不利于热量的传导;铜框架厚度间接影响了外部包裹树脂厚度,从而改变了树脂所占器件热阻R_(thj-c)的比例,树脂材料越厚,器件热阻会明显增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
封装热阻论文参考文献
[1].申海东,张泽,陈科雯,欧永.基于双热阻模型的典型芯片封装热分析及评估方法[J].装备环境工程.2018
[2].高巍,殷鹏飞,李泽宏,张金平,任敏.功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析[J].电子元件与材料.2018
[3].温文辉,罗洪庆.小封装二极管的热阻测试研究[J].科学家.2017
[4].高辉,仝良玉,蒋长顺.多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法[J].电子与封装.2016
[5].余昭杰,于迪,任艳,周军连,许实清.FloTHERM仿真技术在提取集成电路封装双热阻模型中的应用[J].科技视界.2016
[6].赵群.基于有限元分析的功率器件封装热阻研究[D].西安电子科技大学.2016
[7].李汝冠,周斌,许炜,曾畅,廖雪阳.基于结构函数的大功率整流管封装内部热阻分析[J].电子元件与材料.2016
[8].李良海,仝良玉,葛秋玲.AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响[J].电子与封装.2015
[9].张哲.大功率LED低热阻封装技术进展[J].科技传播.2014
[10].杨凯龙.功率分立器件封装热阻与热可靠性试验数值模拟研究[D].上海交通大学.2014