导读:本文包含了隔离二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:柔性太阳电池阵,隔离二极管,热分析
隔离二极管论文文献综述
陈志宁[1]（2017）在《空间柔性太阳电池阵用隔离二极管热分析》一文中研究指出空间柔性太阳电池阵用隔离二极管是专为空间柔性太阳电池阵电池电路设计的,用于电路间隔离的器件,安装在每个单串电路的正极输出端位置,以避免由于太阳电池阵中某串电路发生短路引起所在分流电路其它电池串功率损失,起到故障隔离作用。通过开展仿真分析结合试验验证工作,验证了隔离二极管产品设计状态的合理性及环境适应性,为后续太阳电池阵的设计提供了数据支持。(本文来源于《电源技术》期刊2017年09期）
[2]（2014）在《理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障》一文中研究指出利用凌力尔特的产品系列LTC4225、LTC4227和LTC4228,通过控制外部N沟道MOSFET,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能,同时,还具有严格的5%电路断路器门限准确度和快速响应电流限制,可保护电源免受过流故障影响。(本文来源于《电源世界》期刊2014年02期）
Chew,Lye,Huat[3]（2013）在《理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障》一文中研究指出为降低冗余电源系统的功耗,LTC4225、LTC4227和LTC4228采用外部N沟道MOSFET作为传递组件,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。从而在这些MOSFET接通时,最大限度地减小了从电源到负载的压降。同时提供了快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能。(本文来源于《电子技术应用》期刊2013年03期）
崔新宇,金海雯,于辉,周德鑫[4]（2012）在《半刚性太阳电池阵用隔离二极管热分析》一文中研究指出介绍了半刚性太阳电池阵用二极管的功能、特点和所处力学环境,以及通过开展仿真分析结合试验验证的方式,获得了隔离二极管在轨的工作温度以及产品设计状态的合理性及适应性的情况。简述了半刚性太阳电池阵用二极管的基本结构、工作原理,详细进行了开展仿真分析的结果及数据,并对循环试验验证结果进行了说明。充分分析验证了半刚性太阳电池阵用二极管对热环境的适应性。(本文来源于《电源技术》期刊2012年04期）
陈虹吉[5]（2012）在《基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究》一文中研究指出在微波通信系统中，PIN开关是一种主流的微波半导体控制器件，受装配工艺的限制，承受功率大、隔离度高以及超宽的工作频带是开关电路设计的主要方向。是否能够对PIN开关的电路建立准确的仿真模型是开关设计的关键，而要实现准确仿真就必须对影响开关电路性能的串联谐振、耦合等因素进行准确分析。论文简要介绍了PIN二极管和开关的基本理论，并对开关电路中存在的各种非线性因素进行分析，同时提出了在开关电路中抑制这些因素的方法。随后，对电路模型采取二、叁维联合仿真的方法，详细的介绍了利用ADS、HFSS等仿真软件对宽频带开关电路进行仿真优化的设计流程。并根据所建电路模型，实现了一种高功率、超宽带、高隔离度SP4T PIN开关，开关实测结果表明:在4-18GHz工作频带内插损≤3dB,隔离度＞70dB，驻波＜1.8，开关延迟时间≤120nS,指标达到论文要求。文中将详细描述开关的组装测试过程，给出实际测试结果。论文中还将以SP4T PIN开关为例简要介绍两种不同组成结构的4×4开关矩阵及其应用。(本文来源于《电子科技大学》期刊2012-04-01）
谯劼[6]（2011）在《大功率高隔离PIN二极管收发开关电路设计与软件仿真研究》一文中研究指出在各种雷达、通信系统中,收发开关是一种不可或缺的重要部件。本论文介绍的收发开关,实现了收发信道共用一副天线,大大减小了系统的体积与重量,特别适合在机载雷达系统中应用,对超短波大功率通信系统实现轻小型化和全固态化具有重要意义。本论文主要从以下几个方面进行研究:1.从PIN二极管的等型电路模型入手,分析其实现开关功能的工作原理,从原理上弄清其等效电路参数中对开关性能具有关键影响的一系列参数。对大功率应用条件下收发开关组件中PIN二极管的选择展开讨论,推导出减少收发开关开通通道损耗和提高关断通道隔离度,以及提高开关工作带宽的设计方法。2.通过对基本的PIN二极管开关电路结构进行分析对比,确定了采用两路PIN二极管串并联开关构成一组单刀双掷(STDP)实现收发开关功能的电路结构,通过对隔离度、插入损耗、电压驻波比、开关时间及功率容量指标的分析,结合本收发开关的实际工作频率特性,确定了各通道PIN二极管的正反偏置工作参数。同时对偏置控制电路进行设计分析,确定出控制电路的结构形式及相关的元件参数。3.根据分析计算得到的PIN二极管正反向偏置工作点,以及控制电路的一些具体要求,结合接口供电情况,讨论组件内部电源系统的组成,确定出各路电源的具体参数,并对电源系统进行设计。4.通过理论计算和计算机软件仿真相结合,建立由PIN二极管构成的单刀双掷开关电路的软件仿真模型,对电路进行仿真优化,确定开关组件中各部分电路的最佳参数值。经过对实际样品进行功率加载和多项环境试验后测试表明,样品综合项性能稳定,各项技术指标完全满足设计要求。(本文来源于《电子科技大学》期刊2011-03-03）
[7]（2010）在《采用TO-220 FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出英飞凌科技股份公司推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。(本文来源于《电子设计工程》期刊2010年06期）
李艳武,刘彭义,侯林涛,吴冰[8]（2010）在《阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响》一文中研究指出制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。(本文来源于《光电子.激光》期刊2010年05期）
吴茹菲,张海英,尹军舰,张健,刘会东[9]（2008）在《X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管(英文)》一文中研究指出报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz~12.1GHz范围内,正向电流为10 mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10 V时开关电容小于20fF.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年05期）
韩春林,张杨,曾一平,高建峰,薛舫时[10]（2007）在《InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究》一文中研究指出本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。(本文来源于《2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2007-10-01）
隔离二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用凌力尔特的产品系列LTC4225、LTC4227和LTC4228,通过控制外部N沟道MOSFET,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能,同时,还具有严格的5%电路断路器门限准确度和快速响应电流限制,可保护电源免受过流故障影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
隔离二极管论文参考文献
[1].陈志宁.空间柔性太阳电池阵用隔离二极管热分析[J].电源技术.2017
[2]..理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障[J].电源世界.2014
[3].Chew,Lye,Huat.理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障[J].电子技术应用.2013
[4].崔新宇,金海雯,于辉,周德鑫.半刚性太阳电池阵用隔离二极管热分析[J].电源技术.2012
[5].陈虹吉.基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究[D].电子科技大学.2012
[6].谯劼.大功率高隔离PIN二极管收发开关电路设计与软件仿真研究[D].电子科技大学.2011
[7]..采用TO-220FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管[J].电子设计工程.2010
[8].李艳武,刘彭义,侯林涛,吴冰.阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响[J].光电子.激光.2010
[9].吴茹菲,张海英,尹军舰,张健,刘会东.X波段低损耗高隔离开关应用的GaAsPIN二极管(英文)[J].半导体学报.2008
[10].韩春林,张杨,曾一平,高建峰,薛舫时.InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究[C].2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2007