导读:本文包含了真空化学气相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:锗硅,外延生长,超高真空化学气相沉积
真空化学气相沉积论文文献综述
赵瓛,张彬庭[1]（2013）在《超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用》一文中研究指出综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2013年04期）
葛洪,张晓丹,岳强,赵静,赵颖[2]（2008）在《甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究》一文中研究指出采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导.(本文来源于《物理学报》期刊2008年08期）
吴贵斌,叶志镇,赵星,刘国军,赵炳辉[3]（2006）在《金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜》一文中研究指出采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明1)在420—500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500—600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.(本文来源于《物理学报》期刊2006年07期）
罗广礼,陈培毅,林惠旺,刘志农,钱佩信[4]（2000）在《一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统》一文中研究指出研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,本底真空度可达 2× 10 -6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好 ,界面清晰平直 ;利用Ge组分渐变技术还能够实现低位错密度弛豫SiGe外延层的生长(本文来源于《真空科学与技术》期刊2000年05期）
卢炯平[5]（1995）在《固体薄膜的超高真空化学气相沉积》一文中研究指出描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．关＠词##4化学气相淀积;;固体薄膜;;氧化钛;;砷化镓;;铑;;铁;;硅;;模型催化剂;;超高真空;;俄歇电子能谱;;X-射线光电子能谱(本文来源于《物理化学学报》期刊1995年12期）
真空化学气相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
真空化学气相沉积论文参考文献
[1].赵瓛,张彬庭.超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用[J].电子工业专用设备.2013
[2].葛洪,张晓丹,岳强,赵静,赵颖.甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究[J].物理学报.2008
[3].吴贵斌,叶志镇,赵星,刘国军,赵炳辉.金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜[J].物理学报.2006
[4].罗广礼,陈培毅,林惠旺,刘志农,钱佩信.一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统[J].真空科学与技术.2000
[5].卢炯平.固体薄膜的超高真空化学气相沉积[J].物理化学学报.1995
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