导读:本文包含了导电缓冲层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:ZnO∶Al(AZO),磁控溅射法,ZnO缓冲层,Al2O3缓冲层
导电缓冲层论文文献综述
田力,陈姗,蒋马蹄,廉淑华,杨世江[1]（2012）在《ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。(本文来源于《压电与声光》期刊2012年04期）
刘静静[2]（2011）在《缓冲层在提高透明导电膜性能方面的实验与理论研究》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上成功制备出了具有TiO2缓冲层的AZO薄膜。利用XRD和扫描电镜(SEM)等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征；利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量。分析了缓冲层厚度对AZO薄膜特性的影响；对样品进行了真空快速退火处理,研究了快速退火对不同厚度缓冲层的AZO薄膜的影响以及退火前后样品性质的变化；在空气气氛下对样品进行了热处理,研究了温度变化对薄膜特性的影响,以及缓冲层厚度对薄膜稳定性的影响。具体结果如下：1.衬底温度为室温下,制备了具有不同厚度缓冲层的AZO薄膜样品,膜层总厚度为610nm,X射线衍射实验结果表明：glass/TiO2/AZO薄膜是多晶薄膜。在衍射角20=20°-80°范围内的X射线衍射图谱中,可以明显观察到ZnO的(0 0 2)衍射峰,并发现随TiO2缓冲层的厚度增大,薄膜晶粒有增大的趋势。测量薄膜样品的电学特性发现glass/TiO2/AZO薄膜为n型半导体,当Ti02缓冲层厚度为3.6 nm时,薄膜电阻率达到最小值5.9×10-4Ω-cm,与相同厚度的glass/AZO薄膜相比,电阻率下降了65.3%,透过率也高于glass/AZO薄膜。glass/AZO薄膜和glass/TiO2(3.6 nm)/AZO薄膜的禁带宽度分别为3.52 eV和3.58 eV。2.将制备的薄膜样品放在快速退火炉中退火,真空度为0.1 Pa,退火温度为500℃,退火时间为120 s。退火后的薄膜与退火前的薄膜做对比研究发现,退火处理后,所有glass/TiO2/AZO薄膜的品质因子都明显变大,并发现具有TiO2缓冲层的AZO薄膜与单层AZO薄膜相比,其(00 2)衍射峰强度明显变强,电阻率下降,平均透过率略有增大。比较glass/TiO2(3 nm)/AZO薄膜退火前后的性能,发现退火后薄膜衍射峰峰位更接近于标准值,晶粒尺寸增大,应力减小,电阻率由9.45×10-4Ω·cm减小为4.57×10-4Ω·cm,退火后的样品透过率曲线出现蓝移,退火前后的光学能隙分别为3.58 eV和3.61eV。3.在空气气氛下对薄膜样品进行了热处理,研究其稳定性。发现加热温度低于300℃时,薄膜性能几乎没有变化。当温度高于300℃时,薄膜性能变差,但随着TiO2缓冲层厚度的增加,方块电阻增大变缓,透过率变化不大,其大小为90%左右。相同处理温度下,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的晶粒尺寸要大于单层AZO薄膜晶粒尺寸。经400℃热处理后,薄膜性能变化较大,薄膜的吸收边均发生红移现象,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的光学带隙较单层AZO薄膜的宽。(本文来源于《山东大学》期刊2011-05-23）
李英楠,李凤华,沈悦,樊占国,李成山[3]（2011）在《MOD法在LaAlO_3单晶上沉积La_(0.4)Sr_(0.6)CoO_3导电缓冲层》一文中研究指出用金属有机物沉积(MOD)法在LaAlO3(100)单晶基底上制备了立方钙钛矿型导电缓冲层La0.4Sr0.6CoO3(LaSrCoO)薄膜。根据热分析曲线确定前驱膜的热处理工艺,其中前驱膜的热分解温度为620～800℃,涂膜的结晶温度为825℃。由X射线衍射(XRD)分析可知,热处理后涂膜的主相是LaSrCoO,其择优取向为<100>;另外还有La2CO5和LaCoO3等杂相。由φ扫描和(100)极图可知,所制备的涂膜有较强双轴织构。用标准四引线法测量了涂膜的室温和低温电阻率,在77K时达到1.04×10-4?·m,实现了沉积导电缓冲层的目的。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2011年04期）
李凤华,罗清威,李英楠,樊占国[4]（2010）在《采用钙钛矿导电缓冲层提高YBCO涂层导体临界电流密度的可行性研究》一文中研究指出以Ni合金为基底的YBCO涂层导体具有叁明治结构,从下至上分别是:Ni合金、缓冲层、YBCO涂层与稳定层.在实用超导薄膜内部,局域超导电流由于晶粒弱连接、缺陷或裂纹等原因突然消失的情况下,一旦能量耗散超过临界值将会导致超导薄膜失超.在典型的YBCO涂层导体结构中,由于缓冲层是绝缘的氧化物,只能通过顶层的Ag或Cu稳定层的分流来实现电流传输方向的调整.如果在YBCO与正常金属基底之间存在连续的导体连接,即缓冲层导电,就可以不需稳定层,减少涂层导体的整体厚度,提高工程临界电流密度JE.如果钙钛矿导电缓冲层均匀无裂纹且足够厚,就可以起到隔离、外延、电流传输叁重功效,同时提高JE.采用全化学溶液法制备了具有(00l)择优取向的BaPbO3,La0.5Sr0.5TiO3钙钛矿导电缓冲层与YBCO涂层,对于探索低成本的实用化工艺路线具有重要的实际应用价值.(本文来源于《材料与冶金学报》期刊2010年03期）
罗清威[5]（2009）在《Ni-W基带上沉积导电缓冲层及YBCO超导层的初步研究》一文中研究指出高温超导材料以其独特的特性,将成为21世纪最具有发展前途的新型材料。要想制备出高质量的超导带材,缓冲层及YBCO超导层的制备技术是极其关键的。金属有机沉积(MOD)法因不需要真空环境,制备的薄膜厚度均匀,设备简单,成本低,而被广泛应用。本论文采用MOD法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5at.%W)基带上制备La_(1-x)Sr_xTiO_3导电缓冲层薄膜及YBCO超导薄膜,同时也探讨了采用磁控溅射法在Ni-W基底上制备银薄膜的技术。采用MOD法在Ni-W基底上沉积了La_(1-x)Sr_xTiO_3(LSTO)薄膜,讨论不同热处理温度和热处理时间对薄膜生长和性质的影响。结果表明:在相同条件下,900℃时LSTO衍射峰的强度增强;热处理时间对LSTO薄膜的取向和表面形貌影响不大。磁控溅射法在Ni-W基底上制备Ag缓冲层的实验中,讨论了不同热处理温度及不同降温速率对薄膜取向的影响。实验初步发现:随着热处理温度的提高,银的(200)取向逐步增强,本实验所确定的最佳热处理温度为900℃。较慢的降温速率条件下制备的银薄膜(200)取向的晶粒择优生长。在采用无氟的MOD法在LSTO/Ni-W结构上制备YBCO超导层的实验中,研究了前驱液的稳定性、热处理温度和升温速率对薄膜性能的影响。经实验初步发现:本实验所配置的前驱液是比较稳定的(至少一个月以内)。850℃下制备的薄膜织构得到优化,取向进一步改善。但是衍射图谱中存在其它取向的衍射峰,因而薄膜电阻较大,不具有超导电性。不同的升温速率对薄膜性能的影响不大,相对较慢的升温速率对YBCO(00l)取向的形成有利。在无氟的MOD法在Ag/Ni-W结构上制备YBCO超导薄膜的实验中,研究了银的取向对YBCO薄膜取向和表面形貌的影响。实验初步表明,在其他条件不变的情况下,银(200)择优的薄膜上生长的YBCO的取向趋于优化,其它取向的衍射峰被弱化。(本文来源于《东北大学》期刊2009-06-30）
张聪聪[6]（2009）在《MOD法在LaAlO_3单晶衬底上沉积La_（1-x）Sr_xTiO_3导电缓冲层及YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导层研究》一文中研究指出采用叁氟乙酸-金属有机沉积(TFA-MOD)法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导带材,由于工艺成本低廉、无需真空条件并且能够制备出高J_c的YBCO薄膜,被认为是目前涂层超导最有发展前景的制备工艺。本论文旨在采用TFA-MOD法制得具有钙钛矿结构的致密YBCO薄膜,探讨LaAlO_3(LAO)基底上薄膜沉积技术,并采用La_(1-x)Sr_xTiO_3(LSTO)这一种材料作为缓冲层,在其上直接制备高温超导薄膜。进一步用X射线衍射仪和扫描电镜SEM研究了薄膜结构、结晶情况和表面形貌,分析了不同热处理条件对薄膜结构、形貌及性能的影响。首先本论文开展了TFA-MOD法在LAO基底上生长YBCO薄膜的工艺研究,系统研究了各种工艺参数对YBCO薄膜微观结构和性能的影响规律,优化了YBCO薄膜的生长工艺。在制备YBCO薄膜的实验中,通过改变生长温度775℃～850℃,发现在825℃生长温度下,生成的YBCO薄膜c轴取向最好,薄膜纯净,不存在其它杂相。通过标准四引线法测量在825℃下生长的薄膜临界电流密度为3480A/cm~2(77K,0T),超导临界转变温度为89K。随后,本实验选用在LAO基底上利用MOD法生长LSTO缓冲层,确定了以乙酸锶、乙酸镧和钛酸丁酯为反应物,冰乙酸和甲醇为溶剂,乙酰丙酮为稳定剂,制备LSTO前驱溶液,讨论了退火温度对不同La和Sr配比下LSTO薄膜结构的影响,对比了前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、升温速度及乙酰丙酮作溶剂对La_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3薄膜结构的影响,结果表明:制备LSTO缓冲层薄膜的优化工艺条件为La和Sr配比为4∶6,退火温度950℃,保温时间120min,采用快速升温法,制备的LSTO薄膜(l00)衍射峰的强度最高,有良好的a轴取向,薄膜平整致密,构成颗粒细小。最后,采用TFA-MOD法在La_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3/LAO结构上沉积YBCO层,结果表明,在La_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3/LAO结构上可沉积出具有明显(00l)取向的YBCO层,薄膜以c轴取向晶粒为主,同时存在非c轴取向晶粒。样品存在初始转变温度,但在液氮温度下超导薄膜内仍存在残余电阻,有待进一步改进。(本文来源于《东北大学》期刊2009-06-25）
张化福,李雪,类成新,刘汉法,袁长坤[7]（2009）在《缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)》一文中研究指出利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年05期）
高锋[8]（2008）在《化学溶液法制备YBCO超导层及钙钛矿结构导电缓冲层的研究》一文中研究指出目前大多数YBCO涂层导体的缓冲层都为绝缘材料,而本实验制备的BaPb03和LaxSr1-xTiO3膜不但具备作为缓冲层的基本条件,并且由于它们具有良好的导电性,也具备了作为涂层导体导电缓冲层的潜力。它们一旦成功地应用于涂层导体当中,将在超导层与金属基底之间架起电流流通的桥梁,在YBCO超导层瞬时电流过载时,起到分流、散热作用,避免YBCO层受到破坏,维护整个带材的稳定性,这样不仅可以显着地增加涂层导体的稳定性,同时也会提高整个涂层导体总的电流密度JE。金属基底不再仅扮演载体的角色,同时也扮演稳定和载流的多重角色,届时,稳定层的厚度将明显减小或完全被去除,涂层导体结构将发生重大改进。本实验选用铅酸钡(BaPbO3)和钛酸锶镧(La1-xSrxTiO3)作为YBCO的导电缓冲层是因为其与YBCO之间具有相似结构、一定的晶格匹配性和良好的化学兼容性。实验采用新型的化学溶液沉积法在单晶LaAl03基底上生长BaPb03和La1-xSrxTiO3薄膜。在制备BaPbO3薄膜的实验中,通过配制不同的前驱液,改变热处理过程中的热处理步骤、烧结温度、升温速率、热处理气氛等因素,最终获得了生成纯净的BaPb03薄膜的最佳参数。结果表明采用“两步法”进行热处理,在氧气或氩气的环境下以10℃/min的升温速率于700℃烧结30 min可以生成连续、致密的有少许(l00)取向的BaPb03薄膜,其室温电阻率为1.0×10-5O.m。在制备Lal_xSrxTi03的实验中,采用了一种新型的前驱液,在氩气气氛下于890℃至990℃之间,均能制备出纯净的La1-xSrxTiO3 (l00)取向的薄膜。为了能够采用全化学溶液沉积法制备YBCO涂层导体,实验以Y、Ba、Cu的乙酸盐为前驱物,以丙酸为溶剂,以吡啶为螯合剂配制了一种新型的YBCO前驱液,以单晶LaAl03为基底,在氩气环境中于830℃至870℃的烧结温度下进行热处理,均能够生成纯c轴取向的YBCO薄膜,薄膜非常纯净,没有其它化学法制备YBCO中常见的BaC03等杂相存在,同时具有连续致密的结构。通过标准四引线法测量830℃烧结的薄膜极限电流密度Jc值为2.4×104A/cm2(77 K,0 T),超导临界转变温度为89 K。在制备YBCO膜热处理过程中,升温速率和氧分压都会对制备的YBCO薄膜结构产生影响,较快的升温速率(72℃/min)可以提高薄膜的晶化程度,但不利于YBCO(001)择优取向的形成。热处理气氛中氧的存在不利于形成纯净的YBCO相,即使采用较小的氧分压(Ar-(0.02%)O2),也会降低YBCO薄膜的纯度。实验中配制了另一种YBCO前驱液,这种前驱液虽然采用的前驱体与第一种前驱液相同,但是前驱液中溶剂性质存在较大差异,有利于在性质不同的隔离层上沉积YBCO层。采用这种前驱液分别在830℃和850℃的热处理条件下制备了纯净的YBCO(00l)取向薄膜,薄膜表面平整光滑。通过对830℃制备的样品超导性能测试,其极限电流密度Jc值为2×104A/cm2。采用这两种YBCO的前驱液在BaPbO3/LaAlO3和La1-xSrxTiO3/LaAl3两种结构上均能生成具有c轴取向的YBCO薄膜,但是由于薄膜中有非(00l)取向的YBCO相以及少量杂相存在,影响了YBCO的超导性能,在液氮温度和零磁场下,极限电流密度Jc值分别为6000为A/cm2和3200 A/cm2。(本文来源于《东北大学》期刊2008-11-01）
高锋,王娜,李凤华,戴民,单玉桥[9]（2008）在《用MOD法制备BaPbO_3导电缓冲层》一文中研究指出BaPbO3晶体为钙钛矿结构,与YBCO晶格具有一定的匹配性,属于半共格界面。在高温下化学性质稳定,不与YBCO反应,并且具有良好的导电性,因此很可能成为YBCO超导涂层的导电隔离层。实验采用乙酸钡和乙酸铅为原料,以丙酸为溶剂,制得了稳定均匀的涂层前驱液。经过旋转涂覆和适当的热处理工艺,在LaAlO3(100)单晶基底上生长了BaPbO3薄膜。经XRD分析其物相组成是单相的具有少许织构的BaPbO3;通过SEM观察其表面均匀致密,厚度约800nm;用四引线法测得薄膜室温电阻率为1×10-3Ω·cm。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2008年S4期）
王立铎,李扬,常春,段炼,邱勇[10]（2004）在《聚酰亚胺缓冲层改善氧化铟锡导电阳极在聚乙烯基对苯二酸酯柔性基片上附着力的研究》一文中研究指出在柔性有机电致发光器件中通常使用的柔性聚乙烯基对苯二酸酯(PET)基片上, 制备了一层聚酰亚胺(PI)缓冲层以改善氧化铟锡(ITO)阳极在基片上的附着力. 经过划痕法的测试, 柔性导电基片的临界载荷值大大提高, 基片抗弯折的能力也有很大的改善. 与使用普通 PET 基片制备的有机电致发光器件相比, 使用复合基片制备的器件的电流密度和发光亮度均提高了 4 倍左右.(本文来源于《科学通报》期刊2004年24期）
导电缓冲层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上成功制备出了具有TiO2缓冲层的AZO薄膜。利用XRD和扫描电镜(SEM)等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征；利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量。分析了缓冲层厚度对AZO薄膜特性的影响；对样品进行了真空快速退火处理,研究了快速退火对不同厚度缓冲层的AZO薄膜的影响以及退火前后样品性质的变化；在空气气氛下对样品进行了热处理,研究了温度变化对薄膜特性的影响,以及缓冲层厚度对薄膜稳定性的影响。具体结果如下：1.衬底温度为室温下,制备了具有不同厚度缓冲层的AZO薄膜样品,膜层总厚度为610nm,X射线衍射实验结果表明：glass/TiO2/AZO薄膜是多晶薄膜。在衍射角20=20°-80°范围内的X射线衍射图谱中,可以明显观察到ZnO的(0 0 2)衍射峰,并发现随TiO2缓冲层的厚度增大,薄膜晶粒有增大的趋势。测量薄膜样品的电学特性发现glass/TiO2/AZO薄膜为n型半导体,当Ti02缓冲层厚度为3.6 nm时,薄膜电阻率达到最小值5.9×10-4Ω-cm,与相同厚度的glass/AZO薄膜相比,电阻率下降了65.3%,透过率也高于glass/AZO薄膜。glass/AZO薄膜和glass/TiO2(3.6 nm)/AZO薄膜的禁带宽度分别为3.52 eV和3.58 eV。2.将制备的薄膜样品放在快速退火炉中退火,真空度为0.1 Pa,退火温度为500℃,退火时间为120 s。退火后的薄膜与退火前的薄膜做对比研究发现,退火处理后,所有glass/TiO2/AZO薄膜的品质因子都明显变大,并发现具有TiO2缓冲层的AZO薄膜与单层AZO薄膜相比,其(00 2)衍射峰强度明显变强,电阻率下降,平均透过率略有增大。比较glass/TiO2(3 nm)/AZO薄膜退火前后的性能,发现退火后薄膜衍射峰峰位更接近于标准值,晶粒尺寸增大,应力减小,电阻率由9.45×10-4Ω·cm减小为4.57×10-4Ω·cm,退火后的样品透过率曲线出现蓝移,退火前后的光学能隙分别为3.58 eV和3.61eV。3.在空气气氛下对薄膜样品进行了热处理,研究其稳定性。发现加热温度低于300℃时,薄膜性能几乎没有变化。当温度高于300℃时,薄膜性能变差,但随着TiO2缓冲层厚度的增加,方块电阻增大变缓,透过率变化不大,其大小为90%左右。相同处理温度下,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的晶粒尺寸要大于单层AZO薄膜晶粒尺寸。经400℃热处理后,薄膜性能变化较大,薄膜的吸收边均发生红移现象,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的光学带隙较单层AZO薄膜的宽。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
导电缓冲层论文参考文献
[1].田力,陈姗,蒋马蹄,廉淑华,杨世江.ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响[J].压电与声光.2012
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[3].李英楠,李凤华,沈悦,樊占国,李成山.MOD法在LaAlO_3单晶上沉积La_(0.4)Sr_(0.6)CoO_3导电缓冲层[J].稀有金属材料与工程.2011
[4].李凤华,罗清威,李英楠,樊占国.采用钙钛矿导电缓冲层提高YBCO涂层导体临界电流密度的可行性研究[J].材料与冶金学报.2010
[5].罗清威.Ni-W基带上沉积导电缓冲层及YBCO超导层的初步研究[D].东北大学.2009
[6].张聪聪.MOD法在LaAlO_3单晶衬底上沉积La_（1-x）Sr_xTiO_3导电缓冲层及YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导层研究[D].东北大学.2009
[7].张化福,李雪,类成新,刘汉法,袁长坤.缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)[J].半导体技术.2009
[8].高锋.化学溶液法制备YBCO超导层及钙钛矿结构导电缓冲层的研究[D].东北大学.2008
[9].高锋,王娜,李凤华,戴民,单玉桥.用MOD法制备BaPbO_3导电缓冲层[J].稀有金属材料与工程.2008
[10].王立铎,李扬,常春,段炼,邱勇.聚酰亚胺缓冲层改善氧化铟锡导电阳极在聚乙烯基对苯二酸酯柔性基片上附着力的研究[J].科学通报.2004
标签：ZnO∶Al(AZO); 磁控溅射法; ZnO缓冲层; Al2O3缓冲层;