导读:本文包含了场发射效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:第一性原理,氧化锌纳米锥,场发射效应因子,电子输运
场发射效应论文文献综述
何银花,王发展[1]（2015）在《ZnO纳米锥场发射效应因子计算及其第一性原理研究》一文中研究指出建立ZnO-NC(氧化锌纳米锥)数学模型,对静电场中其尖端的电势和电场进行数值计算,得到场发射效应因子表达式为β=H/8πε0·h/d(其中h和d分别为ZnO-NC的高度和尖端直径);在此基础上,采用第一性原理计算方法,进一步研究了不同高度ZnO-NC的场发射性能,结果表明:在ZnO-NC结构稳定的情况下,随着h的增加其尖端场发射效应因子β增大,根据DOS(态密度)、电子密度、Mulliken电荷、能隙及有效功函数的计算,可知h对尖端场发射性能影响显着,通过控制ZnO-NC的高度可有效提高其场发射性能。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年12期）
严飞,李男男,金大志,陈磊,向伟[2]（2015）在《热累积效应对碳纳米管场发射特性的影响》一文中研究指出为进一步提高碳纳米管阴极的场发射能力,分析了不同条件下碳纳米管的场发射测试结果,研究了热累积效应对碳纳米管场发射性能的影响。实验结果表明,通过抑制场发射测试过程中阳极的热累积,可获得更大的发射电流和发射电流密度。该研究为进一步提高碳纳米管阴极场发射能力提供了参考。(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2015年04期）
吕双宝[3]（2015）在《金纳米线的结晶性和晶体学取向及场发射效应研究》一文中研究指出由于电子元器件和机械微型化的巨大发展和推动,人们越来越重视对纳米材料结构的基础研究。当材料的尺寸降低到纳米尺寸(约100nm),由于量子尺寸效应,它们的各种物理化学性质甚至生物活性等都变得非常奇特。基于可控的材料制备、结构和特性研究,人们渴望能根据环境和性能需要,设计并剪裁出具有特殊功能的处于纳米尺度的新材料。这些具有独特性能的纳米材料,在信息、能源、化工、环境、医药、国防及社会安全领域都有着广泛的应用前景,同时也为物理,化学,生命等基础学科的研究与发展带来巨大的机遇。结晶性和晶体学取向是材料的两个很重要的结构特性,对它们的研究可以拓展贵金属等纳米材料的潜在应用。本文首先介绍了纳米材料的性质和应用,以及场发射的概念,接着简单介绍了纳米材料的制备方法和表征方法。最后主要讨论了沉积电压、温度、纳米线直径对纳米线结晶性和晶体学取向的影响。通过使用无氰的环保电解液,采用模板辅助的电化学沉积法制备出了结晶性和晶体学取向可控的金纳米线。并分析了沉积电压、沉积温度和纳米线直径对这两个结构特性的影响机制。并进一步研究了金纳米线阵列的场发射效应。本文研究发现:低的电压有助于单晶的生长,而温度对纳米线的结晶性有着双重影响,在单晶和多晶纳米线中扮演着不同的角色。在单晶生长过程中,温度场的存在促进了生长面上原子的扩散;多晶生长过程中,温度场的存在使生长速率显着提高,促进叁维成核。电压的不同会导致纳米线择优取向的不同,这主要是高的电压引起H离子的吸附导致不同晶面的晶面能发生变化。具体表现为:高电压时具有[100]取向,低电压时具有[111]取向。在保持其他条件不变的情况下,不同直径的纳米线具有不同的择优取向,这个主要是不同直径的纳米线在生长的过程中,两种不同的界面所占的主导地位不同所引起的。具体表现为:小直径时,纳米线具有[111]取向,大直径时具有[100]取向。此外还发现,金纳米线阵列可以有效促进场发射,单晶纳米线顶部的脊状结构和非密排面的低功函数是可能的两个因素。(本文来源于《中国科学院研究生院（近代物理研究所）》期刊2015-04-01）
丁沭沂,雷威[4]（2014）在《基于SOI场效应管控制的背栅极碳纳米管场发射结构研究》一文中研究指出针对目前碳纳米管场发射电子源存在的问题,以提高碳纳米管场发射阵列的大电流发射能力、电流均匀性和稳定性以及电流调制灵敏度为目标,基于绝缘硅(SOI)技术,提出并制备出一种独立场效应管控制的碳纳米管场发射阵列叁极结构,并通过理论分析和实验验证等手段,发现其具有良好的栅极调制效果、优良的发射均匀性和稳定性。(本文来源于《电子器件》期刊2014年04期）
董长昆,罗海军,蔡建秋[5]（2013）在《氢气对多壁碳纳米管场发射的增强效应》一文中研究指出本文讨论了氢气、氧气、氮气对多壁碳纳米管(MWNT)场致发射的影响。MWNTs通过化学气相沉积法(CVD)在含催化金属的本征金属基底上直接合成。本工作包含实验和第一性理论研究两部分。实验证实MWNT场发射性能在氢环境下得到了增强。同时,在10-9Torr以上的氢气氛中,低电流发射随时间增长,增长速率正比于氢的分压。原子或离子氢在表面的化学吸附引起的功函数下降可能是造成场发射增强的主要因素。基于小电流发射的增强效应,我们展示了一种新型低压氢传感器。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
邓记才,王广军,刘军海,张兵临[6]（2007）在《碳基薄膜场发射中的电阻效应》一文中研究指出研究了接触电阻和薄膜体电阻对场发射的影响,计算机仿真和场发射实验表明电阻的大小直接影响强电场下的场发射而对开启电场基本没有影响,随着电阻的增大场发射逐渐偏离Fowler-Nordheim特性而向线性变化过渡。在场发射模型分析的基础上,给出了平面碳基薄膜阴极的等效电路发射模型,分析表明接触电阻的大小严重影响发射的均匀性,因此优化碳膜的制备条件,保证碳膜与金属电极的良好电接触对提高发射性能、改善发射均匀性有重要的意义。(本文来源于《半导体光电》期刊2007年03期）
陈红升,齐俊杰,张跃,廖庆亮,张晓梅[7]（2007）在《四针状纳米ZnO场发射性能及H_2热处理效应》一文中研究指出通过热蒸发反应沉积的方法制备了大面积的四针状ZnO纳米结构材料.四针状纳米结构具有细小的尖端尺寸,为六方纤锌矿晶体结构.在不同极间距下测试了样品的场发射性能,其开启电场约为3.7V/μm,并利用Fowler-Nordheim方程对场发射特征进行了分析.进一步采用在H2气氛中退火的方法优化了四针状纳米ZnO材料的场发射性能,降低了开启电压.研究结果表明,四针状纳米ZnO体现出较低的开启电压和高的发射电流密度,是具有广泛应用前景的冷阴极场发射材料.(本文来源于《科学通报》期刊2007年07期）
黄静华,李德杰[8]（2002）在《平面型场发射显示器的自聚焦效应》一文中研究指出用有限差分法分析了平面型场发射显示器中的电场分布 ,给出了发射电子的运动轨迹 ,证明了在薄膜结构的平面阴极器件中存在自聚焦效应。聚焦效果取决于上电极宽度、上电极电压、阳极电压、以及阳极和上电极的间距。由于电子束的自聚焦作用 ,上电极和阳极的间距可以加大 ,因此可以使用CRT高压荧光粉 ,这是平面器件与微尖型器件相比具有的优点之一。(本文来源于《微细加工技术》期刊2002年02期）
刘卫东,罗恩泽,雷志凌[9]（1994）在《硅场发射阴极阵列的储存效应研究》一文中研究指出本文研究了硅场发射阴极阵列的储存效应，发现长期储存会使其性能下降。(本文来源于《电子器件》期刊1994年03期）
场发射效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为进一步提高碳纳米管阴极的场发射能力,分析了不同条件下碳纳米管的场发射测试结果,研究了热累积效应对碳纳米管场发射性能的影响。实验结果表明,通过抑制场发射测试过程中阳极的热累积,可获得更大的发射电流和发射电流密度。该研究为进一步提高碳纳米管阴极场发射能力提供了参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射效应论文参考文献
[1].何银花,王发展.ZnO纳米锥场发射效应因子计算及其第一性原理研究[J].人工晶体学报.2015
[2].严飞,李男男,金大志,陈磊,向伟.热累积效应对碳纳米管场发射特性的影响[J].太赫兹科学与电子信息学报.2015
[3].吕双宝.金纳米线的结晶性和晶体学取向及场发射效应研究[D].中国科学院研究生院（近代物理研究所）.2015
[4].丁沭沂,雷威.基于SOI场效应管控制的背栅极碳纳米管场发射结构研究[J].电子器件.2014
[5].董长昆,罗海军,蔡建秋.氢气对多壁碳纳米管场发射的增强效应[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[6].邓记才,王广军,刘军海,张兵临.碳基薄膜场发射中的电阻效应[J].半导体光电.2007
[7].陈红升,齐俊杰,张跃,廖庆亮,张晓梅.四针状纳米ZnO场发射性能及H_2热处理效应[J].科学通报.2007
[8].黄静华,李德杰.平面型场发射显示器的自聚焦效应[J].微细加工技术.2002
[9].刘卫东,罗恩泽,雷志凌.硅场发射阴极阵列的储存效应研究[J].电子器件.1994