本文主要研究内容
作者邸君杰（2019）在《Re1-xMoxS2纳米结构的制备及特性研究》一文中研究指出：近年来,MoS2因其独特的层状晶体结构、优异的电学、光学、力学、电化子、催化等特性,在微电子、光电子、传感器、电化学储能、电催化制氢等领域展现出极大的应用潜力,引起了研究者的广泛兴趣。纵使MoS2用武之地很广阔但是由于在实现能带单组分连续调控方面受到了极大的制约而限制了它在部分领域的应用。为使MoS2面向更广泛的纳米电子器件和光电器件应用,它的能带调控就变得十分重要。对这一问题有研究指出合金和掺杂是可以用于调控二维材料能隙的方法,且半导体三元合金材料还具有极其稳定的热力学性质。但是,由于金属铼的熔点高达3180℃而很少有人使用其作为掺杂剂或者反应源来调控MoS2的能隙。鉴于此,本文探索三元合金硫化钼铼(Re1-xMoxS2)的可控制备,并对其特性表征分析,主要研究工作和成果如下:1、采用化学气相淀积法获得了Re1-xMoxS 的花状形貌与薄膜形貌的制备工艺,通过干法转移将具有花状形貌的Re1-xMoxS2转移至载玻片并测得其光能隙为1.77eV。2、实现了在云母衬底生长Re1-MoxS2薄膜,直接测得其光能隙为1.73eV。除此之外比较研究了不同衬底对Re1-xMoxS2薄膜形貌的影响。3、完成了以高熔点铼作为铼源制备ReS2的工艺探索,并成功制备出了ReS2(Re1-xMoxS2中x=0),实验测试表明ReS2光能隙为1.5eV,与文献报道中由Te辅助Re作为铼源制备出的ReS2多层薄膜光能隙一致。
Abstract
jin nian lai ,MoS2yin ji du te de ceng zhuang jing ti jie gou 、you yi de dian xue 、guang xue 、li xue 、dian hua zi 、cui hua deng te xing ,zai wei dian zi 、guang dian zi 、chuan gan qi 、dian hua xue chu neng 、dian cui hua zhi qing deng ling yu zhan xian chu ji da de ying yong qian li ,yin qi le yan jiu zhe de an fan xing qu 。zong shi MoS2yong wu zhi de hen an kuo dan shi you yu zai shi xian neng dai chan zu fen lian xu diao kong fang mian shou dao le ji da de zhi yao er xian zhi le ta zai bu fen ling yu de ying yong 。wei shi MoS2mian xiang geng an fan de na mi dian zi qi jian he guang dian qi jian ying yong ,ta de neng dai diao kong jiu bian de shi fen chong yao 。dui zhe yi wen ti you yan jiu zhi chu ge jin he can za shi ke yi yong yu diao kong er wei cai liao neng xi de fang fa ,ju ban dao ti san yuan ge jin cai liao hai ju you ji ji wen ding de re li xue xing zhi 。dan shi ,you yu jin shu lai de rong dian gao da 3180℃er hen shao you ren shi yong ji zuo wei can za ji huo zhe fan ying yuan lai diao kong MoS2de neng xi 。jian yu ci ,ben wen tan suo san yuan ge jin liu hua mu lai (Re1-xMoxS2)de ke kong zhi bei ,bing dui ji te xing biao zheng fen xi ,zhu yao yan jiu gong zuo he cheng guo ru xia :1、cai yong hua xue qi xiang dian ji fa huo de le Re1-xMoxS de hua zhuang xing mao yu bao mo xing mao de zhi bei gong yi ,tong guo gan fa zhuai yi jiang ju you hua zhuang xing mao de Re1-xMoxS2zhuai yi zhi zai bo pian bing ce de ji guang neng xi wei 1.77eV。2、shi xian le zai yun mu chen de sheng chang Re1-MoxS2bao mo ,zhi jie ce de ji guang neng xi wei 1.73eV。chu ci zhi wai bi jiao yan jiu le bu tong chen de dui Re1-xMoxS2bao mo xing mao de ying xiang 。3、wan cheng le yi gao rong dian lai zuo wei lai yuan zhi bei ReS2de gong yi tan suo ,bing cheng gong zhi bei chu le ReS2(Re1-xMoxS2zhong x=0),shi yan ce shi biao ming ReS2guang neng xi wei 1.5eV,yu wen suo bao dao zhong you Tefu zhu Rezuo wei lai yuan zhi bei chu de ReS2duo ceng bao mo guang neng xi yi zhi 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自西安理工大学的邸君杰，发表于刊物西安理工大学2019-07-19论文，是一篇关于化学气相淀积论文,花状形貌论文,薄膜形貌论文,光学带隙论文,西安理工大学2019-07-19论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自西安理工大学2019-07-19论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：化学气相淀积论文; 花状形貌论文; 薄膜形貌论文; 光学带隙论文; 西安理工大学2019-07-19论文;