导读:本文包含了高功率微波效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高功率微波,毫米波引信,前门耦合,联合仿真
高功率微波效应论文文献综述
陈凯柏,高敏,周晓东,岛新煜[1]（2019）在《高功率微波对毫米波引信耦合效应分析》一文中研究指出针对高功率微波对毫米波引信的前门耦合效应问题,利用电磁仿真软件对某型毫米波调频连续波引信模型进行辐照试验,并与引信前端限幅电路结合进行联合仿真。在此基础上,继续设计正交试验,对信号参数影响水平进行分析。通过仿真试验发现,在高功率微波信号频率和引信工作频率对准的情况下,辐照场强峰值为60kV/m时,天线末端耦合电压最大可达188V;当辐照场强峰值为40kV/m时,改变辐照信号特征参数,发现长脉宽信号更容易导致限幅器的热击穿效应;信号上升时间会影响天线末端耦合电压波形复杂程度,当信号峰值、脉宽一定时,上升时间为5ns的输入信号导致的尖峰泄漏电压约为5.94V,而当上升时间为0.1ns时,尖峰泄漏电压为18.4V,并且限幅电路更快达到饱和状态;通过正交试验发现,信号上升时间对尖峰泄漏峰值电压的影响最大,信号峰值对其的影响次之。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年11期）
靳文轩,柴长春,刘彧千,吴涵,杨银堂[2]（2019）在《硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）》一文中研究指出建立了叁种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,叁种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年10期）
吴涵,柴常春,刘彧千,李赟,杨银堂[3]（2019）在《SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理》一文中研究指出为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率微波的效应机理。结果表明,高功率微波注入集电极时,器件内部峰值温度呈现周期性的"上升-下降-上升-下降"趋势,直至最终烧毁,烧毁位置在集电结与氧化层交界处;当高功率微波注入基极时,由于器件的发射极尺寸很小,产生的电流密度很大,热量无法耗散,器件的多晶硅发射结最终被烧毁。SiGe异质结双极型晶体管的集电极抗高功率微波的能力要强于基极。(本文来源于《现代应用物理》期刊2019年03期）
闫民华,刘国强,杨杰,李跃波,潘征[4]（2019）在《S波段高功率微波对短波通信电台的损伤效应试验研究》一文中研究指出高功率微波能对短波通信电台等电子信息设备产生不同程度的损伤。利用高功率微波模拟试验系统,研究了S波段高功率微波对短波通信电台的损伤效应,通过改变微波源和短波通信电台设置得到了损伤规律,分析了损伤机理,确定了受试样本的损伤阈值,并通过叁参数威布尔函数法拓展得到了短波通信电台的损伤阈值范围。(本文来源于《防护工程》期刊2019年02期）
兰俊卿,杜国宏,代孝俊,曹小仁,杨岚[5]（2019）在《不同功率微波辐射下牛晶状体非热效应定量研究》一文中研究指出为实现对生物体微波非热效应的定量表征,提出通过测量微波辐射过程中生物组织的介电系数变化来定量表征微波生物非热效应。将基于二端口微波对消电路原理,通过测量S_(21)参数以及晶状体的透光度和折射率变化,来定量研究不同辐射功率下牛晶状体的微波非热效应。研究表明S_(21)参数在一定程度上可以用来量化的表征处于不同状态的牛晶状体。并且微波辐射功率越大,晶状体受损程度越大,S_(21)参数变化也越大。为定量研究眼睛和微波生物非热效应提供一种研究途径,同时相关研究成果也为针对微波生物非热效应的安全标准制定提供重要的参考数据。(本文来源于《成都信息工程大学学报》期刊2019年01期）
王哲,贺宇,武丹丹,张琪,宋滔[6]（2019）在《雷达接收机高功率微波效应试验研究》一文中研究指出雷达接收机是典型的高电磁敏感度"前门"设备。为了探究它在高功率微波电磁环境下的毁伤效应和机理,分别采用辐照法和注入法进行了试验研究。试验结果表明,高功率微波信号特征与雷达接收信号特征接近程度越高,干扰效应越明显,且越难以通过信号处理手段进行滤除。当高功率微波信号强度超过一定阈值时,将对雷达接收机接收通道的硬件造成损伤,且首先受到损坏的是接收通道的前置器件。最后,根据试验结果,提出了相应的防护措施建议。(本文来源于《通信技术》期刊2019年01期）
谢在鹏,丁昱凯,梁剑,何源,李永明[7]（2018）在《高功率微波系统中弧光效应诊断预警系统设计》一文中研究指出电弧放电效应是高功率微波系统中普遍存在的问题,为了确保微波系统的安全稳定工作,通常需要一种快速且稳定的诊断预警系统对电弧放电效应进行在线监测。利用开源硬件和LabVIEW数据采集软件设计了一套实时监测装置,该装置可以在数十微秒量级以内实现对腔体内电弧放电产生响应,从而达到保护高功率微波腔体的目的。该装置安装在耦合器的探测器室,并采用了一种冗余硬件设计方法来提高系统的稳定性。本文主要讨论该微波腔体电弧放电效应诊断预警系统的设计方案、软硬件架构和性能分析,并给出了该系统的初步实验结果。(本文来源于《核技术》期刊2018年11期）
王明[8]（2018）在《PIN限幅器高功率微波重复脉冲效应机理研究》一文中研究指出现代雷达、通信等用频系统面临的电磁环境越来越复杂,特别是高功率微波可直接作用于用频系统的射频前端,对电子设备的可靠性造成严重威胁。而PIN限幅器正是射频前端微波接收通道中重要的保护模块,因此研究PIN限幅器在高功率微波作用下的损伤机理对电子设备高功率微波防护技术和高功率微波效应技术的发展具有重要意义。本文针对高功率微波脉冲重复作用下PIN限幅器损伤机理进行理论和实验的研究,着重分析了低重频条件下高功率微波损伤的累积效应。对于不存在热量积累的情况,分析了器件在重复脉冲作用下性能的逐渐降级失效的现象,提出了线缺陷损伤增长过程的叁个阶段,并设计实验进行验证;对于存在明显热量积累的情况,以高功率微波脉冲作用下限幅器热效应的尖峰泄露和平顶泄露的不同阶段为基础设计组合脉冲,并进行了相关实验,证实了重复脉冲相对于单一体制矩形长脉冲作用效果的不同。这些是对PIN限幅器在更加真实复杂的电磁环境下的损伤情况的描述。开展的主要研究工作如下:1.对典型雷达射频前端器件损伤效应物理机理进行了深入分析。介绍了 PIN限幅器本征热效应的理论,讨论了其适用范围以及局限性,提出对微波脉冲重复作用的损伤效应进行研究的意义,进而从低重频和瞬时高重频两种情况进行分析。2.针对低重频情况下,热效应累积不明显,但是能出现积累损伤的现象,提出了器件由于微损伤积累效应的存在仍然会发生性能降级直至失效的概念。重点研究了线缺陷这一典型的微损伤形式,总结提出高功率微波脉冲作用下PIN二极管阳极表面存在的线缺陷的增长过程分为缺陷积累、加速生长和损伤扩大叁个阶段。将线缺陷的微观物理形貌与器件的宏观电学特性联系在一起,设计并开展了高功率微波重复脉冲效应实验,验证了微损伤积累的过程。3.针对瞬时高重频情况下,存在明显的热积累,对多体制组合脉冲的效应物理机理过程进行了多物理场仿真与分析,着重研究了脉冲间隔对多体制脉冲效应的影响;设计了高功率微波多体制组合脉冲效应实验。仿真结果和实验结果均显示:以合适的脉冲间隔的脉冲组合能够对PIN限幅器产生较严重的影响,其中最易造成损伤的脉冲间隔与PIN二极管的恢复时间相接近。论文分别从热积累不明显情况下的微损伤增长过程研究与热积累明显情况下输入能量造成损伤的效率研究这两个不同角度进行分析,给出了比较合理的效应机理层面的物理解释,获得了一些有指导意义的效应规律。给高功率微波脉冲防护设计提供了新的思路,具有重要的参考意义。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2018-05-01）
杨杰,李跃波,韩重建,黄刘宏,张耀辉[9]（2018）在《S波段高功率微波对警报发放控制器的损伤效应试验研究》一文中研究指出警报发放控制器对城市空防、人员疏散起着至关重要的作用。利用高功率微波(HPM)模拟试验系统,研究了S波段高功率微波对警报发放控制器的损伤效应,通过改变微波源和受试设备设置,得到了损伤规律,分析了损伤机制,确定了受试设备的损伤阈值,并通过叁参数威布尔函数法拓展得到了其损伤阈值范围。研究结果为以警报发放控制器为代表的城市防空系统的高功率微波防护技术研究提供了数据支撑和参考依据。(本文来源于《防护工程》期刊2018年02期）
杨杰,李跃波,闫民华,黄刘宏,潘征[10]（2018）在《L波段高功率微波对计算机的损伤效应试验研究》一文中研究指出高功率微波能对计算机等电子信息设备产生不同程度的损伤。利用高功率微波模拟试验系统,研究了L波段高功率微波对计算机主机和显示器的损伤效应,通过改变微波源和计算机设置,得到了损伤规律,分析了损伤机理,确定了受试样本的损伤阈值,并通过叁参数威布尔函数法拓展得到了计算机类设备的损伤阈值范围。研究结果为计算机等电子信息设备对高功率微波的防护技术研究和防护标准规范制定提供了数据支撑和参考依据。(本文来源于《微波学报》期刊2018年02期）
高功率微波效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
建立了叁种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,叁种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高功率微波效应论文参考文献
[1].陈凯柏,高敏,周晓东,岛新煜.高功率微波对毫米波引信耦合效应分析[J].强激光与粒子束.2019
[2].靳文轩,柴长春,刘彧千,吴涵,杨银堂.硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）[J].强激光与粒子束.2019
[3].吴涵,柴常春,刘彧千,李赟,杨银堂.SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理[J].现代应用物理.2019
[4].闫民华,刘国强,杨杰,李跃波,潘征.S波段高功率微波对短波通信电台的损伤效应试验研究[J].防护工程.2019
[5].兰俊卿,杜国宏,代孝俊,曹小仁,杨岚.不同功率微波辐射下牛晶状体非热效应定量研究[J].成都信息工程大学学报.2019
[6].王哲,贺宇,武丹丹,张琪,宋滔.雷达接收机高功率微波效应试验研究[J].通信技术.2019
[7].谢在鹏,丁昱凯,梁剑,何源,李永明.高功率微波系统中弧光效应诊断预警系统设计[J].核技术.2018
[8].王明.PIN限幅器高功率微波重复脉冲效应机理研究[D].中国工程物理研究院.2018
[9].杨杰,李跃波,韩重建,黄刘宏,张耀辉.S波段高功率微波对警报发放控制器的损伤效应试验研究[J].防护工程.2018
[10].杨杰,李跃波,闫民华,黄刘宏,潘征.L波段高功率微波对计算机的损伤效应试验研究[J].微波学报.2018