导读:本文包含了中频磁控反应溅射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Al2O3薄膜,中频反应磁控溅射,靶电压迟滞回线,靶电压控制点
中频磁控反应溅射论文文献综述
王庆富,方立平,刘清和,陈林,王勤国[1]（2017）在《中频反应磁控溅射Al2O3薄膜的靶电压迟滞回线与控制点研究》一文中研究指出采用中频磁控溅射离子镀技术制备了Al_2O_3薄膜,采用反应溅射控制器测定了不同氩分压与靶功率下的靶电压迟滞回线,采用X-射线衍射仪、扫描电镜、EDS能谱、俄歇电子能谱仪对不同电压控制点下制备的Al_2O_3薄膜的组织结构与化学组分进行了研究。结果表明,中频磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜靶电压迟滞回线具有典型的反应溅射靶电压迟滞回线特性,在不同氩分压、靶功率下,靶电压的迟滞回线特性相似,都存在O_2流量升高达到某一临界值时,溅射模式由金属态向化合物态的转变,靶电压出现快速下降的现象;当O_2流量下降达到某一临界值时,溅射模式由化合物态向金属态转变,靶电压出现快速上升。靶电压控制点在25%～40%之间,均可以获得致密的主要以非晶态存在的Al_2O_3薄膜。(本文来源于《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2017-08-19）
甘贵贤[2]（2016）在《中频反应磁控溅射法沉积柔性ZnO/PET薄膜的光学、电学性质及其激光辐照效应》一文中研究指出本文采用中频反应磁控溅射技术在柔性PET衬底上室温沉积了ZnO薄膜。通过改变溅射功率、氩氧流量比以及溅射时间等工艺参数,制备出具有不同性能的柔性ZnO薄膜。通过霍尔测试仪(Hall)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、吸收透射谱以及X射线能量色散仪(EDS)分别研究了柔性ZnO/PET薄膜的电学性质、晶体结构、表面形貌、光学性质以及表面组分。获得溅射功率20w和氩氧流量比1：1为室温下沉积柔性ZnO/PET薄膜的优化工艺条件。由于柔性PET衬底受热易变形,本文提出一种新颖的激光辐照后处理方法,研究了激光辐照能量对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性质的影响。实验结果表明：激光辐照有效改善了柔性ZnO/PET薄膜的晶体结构和电学性能,使薄膜表面ZnO颗粒产生团聚融合,并在(100)和(101)晶面上产生明显的取向生长,薄膜由非晶转为多晶结构；同时有效提高了柔性ZnO/PET薄膜的载流子浓度,降低电阻率,改善室温下沉积柔性ZnO薄膜导电性能。对开发柔性ZnO薄膜的应用具有重要的意义。(本文来源于《华东理工大学》期刊2016-04-20）
毕寒[3]（2013）在《中频反应磁控溅射纳米TiO_2薄膜及激光辐照效应》一文中研究指出本文采用中频反应磁控溅射技术于较低温度下在玻璃基底上生长了TiO2纳米薄膜,并采用新颖的激光辐照后处理方法,有效改善薄膜结晶质量和光电性质。通过改变沉积过程中Ar：O2比、基底温度和沉积时间等工艺参数,制备不同结构和性能的TiO2纳米薄膜。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及X射线能量色散仪(EDS)等方法,分别研究分析不同制备条件下生长的TiO2纳米薄膜的表面形貌、晶体结构、组成等；同时研究了不同TiO2纳米薄膜的光学电学性质,包括光吸收特性、光催化性以及霍尔效应等。系统分析制备条件对薄膜结构性能的影响规律,优化工艺参数。激光辐照处理具有局域快速加热、能量密度高、样品热暴露少、能耗低、可控性强、对薄膜基底影响和损伤小等特点,研究激光辐照处理对薄膜结构和光电性质的作用效应,筛选辐照参数,通过激光辐照处理获得低温沉积高质量TiO2纳米薄膜。为开发低温生长TiO2薄膜光学电学性质应用、以及低温沉积柔性基底氧化物半导体薄膜提供指导和依据。(本文来源于《华东理工大学》期刊2013-12-04）
丁安邦[4]（2013）在《中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其结构与光学性能的研究》一文中研究指出二氧化硅薄膜具有折射率低、消光系数小、附着力强、在可见光和近红外区域均为透明等特点,是一种理想光学薄膜,被广泛的应用于微电子、光学器件等领域。另外,二氧化硅薄膜以硬度大、耐磨损、绝缘性好、抗腐蚀等机械性能广泛应用于半导体、机械等领域。近年来,随着平板显示器、太阳能电池的迅速发展,要求作为缓冲层的二氧化硅薄膜具有更低消光系数和更稳定的折射率,并具有电阻高、附着力强、表面平整等特点。目前制备二氧化硅的方法主要有热氧化法、电子束蒸发、溶胶凝胶法等,但这些传统的方法在制备应用于光学领域的薄膜时都有各自的缺点。而磁控溅射有着沉积温度低、致密性好、可大面积沉积等优点,在沉积光学薄膜方面有独特的优势。因此本论文采用中频磁控溅射法制备二氧化硅薄膜,并对样品做了退火工艺,通过大量实验和多种检测手段研究分析了氧分压、溅射功率和退火工艺对薄膜结构和性能的影响,测试结果表明：中频磁控溅射制备的Si02薄膜均为非晶态。随着氧分压的增大,薄膜的沉积速率整体上呈现下降,表面形貌趋于光滑,均方根粗糙度降低,折射率和消光系数都明显降低,当氧分压大于15%时,薄膜在600nm波长处的折射率约为1.45～1.6,消光系数小于10-4；随溅射功率的增大,薄膜的沉积速率几乎呈现线性增加；表面均方根粗糙度增大,在溅射功率为2.8kW时明显增大至2.26nm；折射率和消光系数都有所减小,当溅射功率从0.8kW增加到2.8kW时,薄膜在600nm波长处的折射率从1.5减小到1.45。退火处理后的测试结果表明：退火温度和时间对Si02薄膜的结构和光学性能有明显的影响。退火处理调整薄膜结构,促使氧化硅薄膜中Si-Si键的形成,形成的Si-Si化学键直接导致了薄膜折射率和消光系数的增加。实验结果表明,中频磁控溅射可以制备出满足作为缓冲层要求的二氧化硅薄膜,综合考虑到薄膜的腐蚀性能、表面平整度、膜基结合力等因素,最佳的工艺参数为：恒流模式I=2.5A(溅射功率P=2.0kW),氧气流量为30seem,氩气流量为170seem,溅射气压为0.6Pa。(本文来源于《大连理工大学》期刊2013-05-01）
刘兰兰,林松盛,曾德长,代明江,胡芳[5]（2012）在《离子源对中频反应磁控溅射AIN薄膜结构和性能的影响》一文中研究指出采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AIN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了离子源对中频反应磁控溅射AIN薄膜结构和性能的影响。研究结果表明:离子源的辅助沉积有利于AIN相的合成,当离子源功率大于0.7kW时,AIN沿(100)晶面择优取向明显,当离子源功率为1.3kW时,所沉积膜层有向非晶化转变的趋势。同时,随着离子源功率的增加,所沉积的AIN薄膜致密度和膜/基结合力均显着提高,而膜层沉积速率和硬度则呈先上升后降低的规律。(本文来源于《2012年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2012-12-01）
刘兰兰,林松盛,曾德长,代明江,胡芳[6]（2012）在《离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响》一文中研究指出采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响。结果表明:离子源的辅助沉积有利于AlN相的合成,当离子源功率大于0.7kW时,AlN沿(100)晶面择优取向明显,当离子源功率为1.3kW时,所沉积膜层有向非晶化转变的趋势。同时,随着离子源功率的增加,所沉积的AlN薄膜致密度和膜/基结合力均显着提高,而膜层沉积速率和硬度则呈先上升后降低的规律。(本文来源于《中国表面工程》期刊2012年06期）
林松盛,刘兰兰,曾德长,代明江,胡芳[7]（2012）在《偏压对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构与性能的影响》一文中研究指出采用离子束辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及YG6硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了偏压对中频反应溅射沉积AlN薄膜结构和性能的影响。研究结果表明:所制备的AlN薄膜是由AlN相和Al相组成的,偏压的增大,有利于薄膜结晶度的提高,AlN沿(100)晶面择优取向增强;同时,随着偏压的增加,所沉积的AlN薄膜致密度和膜/基结合力均显着提高,而膜层沉积速率和膜基复合硬度则呈降低的规律。(本文来源于《真空》期刊2012年06期）
刘兰兰[8]（2012）在《中频反应磁控溅射法制备AlN薄膜》一文中研究指出AlN的高热导率特性使得它成为理想的散热材料之一，此外，AlN还具有高击穿场强、高禁带宽度、高化学和热稳定性、良好的光学和力学性能以及与GaAs等常用半导体材料相近的热膨胀系数等，AlN也因此在很多领域得到了广泛的应用。由于AlN薄膜的制备方法有很多，不同的方法制备的膜层性能各异，为了获得低成本和综合性能佳的AlN薄膜，本研究采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术制备AlN薄膜，首先利用正交法，设计了一个叁因素（N_2流量、偏压、工作气压）四水平的正交实验来初步探索AlN薄膜的制备工艺，通过极差分析法选出最优的制备工艺，然后在选出的最优制备工艺基础上，进一步研究偏压、离子源功率、温度等单一参数对AlN薄膜质量的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪、闪光热导仪等对薄膜结构和性能进行表征。研究结果表明，在对AlN薄膜制备工艺初步探索的正交实验中，N_2流量对薄膜沉积速率以及膜/基结合力起主导作用；偏压对薄膜的硬度影响最大，在偏压所选的四个水平当中，其最优水平是100V；工作气压对薄膜质量（膜层沉积速率、硬度、膜/基结合力等）的影响虽然不占主导地位，但是较高的工作气压会降低沉积速率；通过对正交实验样品性能的综合分析考虑，最优的工艺参数为：工作气压0.3Pa，偏压100V，N_2流量50sccm。在单一工艺参数对AlN薄膜质量影响的探究中：（1）当偏压为100V时，AlN薄膜厚度、硬度均有最大值，偏压的增加，有利于AlN薄膜与基体结合力的增强以及薄膜表面质量的提高，但是，薄膜的厚度与硬度反而降低。（2）离子源的辅助沉积有利于AlN相的合成，当离子源功率大于0.7kW时，AlN沿（100）晶面择优取向明显，当离子源功率为1.3kW时，所沉积膜层有向非晶转变的趋势，同时，随着离子源功率的增加，所沉积的AlN薄膜致密度和膜/基结合力均显着提高，而膜层沉积速率和硬度则呈先上升后降低的规律。（3）升高温度能够提高AlN薄膜的硬度，AlN薄膜的厚度与膜/基结合力随温度的升高，前者是先增加后降低，后者是先降低后增加，薄膜的表面质量在200℃时最好，过高的温度会促使沉积在薄膜表面的部分晶体发生晶格畸变。（4）未镀膜前基体材料Al的热导率是195.23W/(m·K)，镀膜后材料的热导率显着提高。（5）在选择的偏压、离子源功率、沉积温度叁个工艺参数中，离子源功率对AlN薄膜质量的影响最大。(本文来源于《华南理工大学》期刊2012-11-01）
王军生,童洪辉,韩大凯,王治安[9]（2012）在《PEM控制中频孪生反应磁控溅射沉积TiO_2薄膜的研究》一文中研究指出在中频孪生靶反应磁控溅射实验装置上,用PEM控制沉积TiO2薄膜,实验了靶基距、电流与沉积速率的关系。实验得出,靶基距为112 mm时沉积速率最大,沉积速率与电流基本成线性比例关系。在溅射电流30 A,靶基距112 mm,设置点2.5时,测量了基片随时间的温升变化。然后以自然温升的单晶硅为基片,实验研究了设置点对TiO2薄膜晶体结构、折射率的影响。实验结果表明,设置点越高溅射沉积的薄膜金红石相越多,折射率也越高。(本文来源于《真空》期刊2012年04期）
翟玉涛,戴彬,王军生,韩大凯,王治安[10]（2011）在《大面积PET基中频反应磁控溅射沉积TiN隔热薄膜实验研究》一文中研究指出本文讨论在柔性基材PET上沉积氮化钛(TiN)阳光控制膜——作为隔热薄膜。"隔热"是指对红外光区的有效阻隔。氮化钛(TiN)薄膜具有光谱选择透过性,因此可以作为阳光控制薄膜使用。实验采用中频孪生靶磁控溅射实验装置,在等离子体辐射监视系统(PEM)的控制下,在大面积PET柔性基材上沉积TiN隔热薄膜。实验主要研究了制备不同透光率的PET基TiN隔热膜并观察薄膜表面状况;对沉积的TiN薄膜用分光光度仪进行光谱透过率分析并计算各种透过率薄膜的光学性能参数,比较不同透过率的隔热效果;为了对该隔热薄膜的化学稳定性进行分析,还做了耐酸碱性测试。通过本实验为以后的大规模工业产业化发展奠定良好的基础。(本文来源于《真空》期刊2011年06期）
中频磁控反应溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用中频反应磁控溅射技术在柔性PET衬底上室温沉积了ZnO薄膜。通过改变溅射功率、氩氧流量比以及溅射时间等工艺参数,制备出具有不同性能的柔性ZnO薄膜。通过霍尔测试仪(Hall)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、吸收透射谱以及X射线能量色散仪(EDS)分别研究了柔性ZnO/PET薄膜的电学性质、晶体结构、表面形貌、光学性质以及表面组分。获得溅射功率20w和氩氧流量比1：1为室温下沉积柔性ZnO/PET薄膜的优化工艺条件。由于柔性PET衬底受热易变形,本文提出一种新颖的激光辐照后处理方法,研究了激光辐照能量对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性质的影响。实验结果表明：激光辐照有效改善了柔性ZnO/PET薄膜的晶体结构和电学性能,使薄膜表面ZnO颗粒产生团聚融合,并在(100)和(101)晶面上产生明显的取向生长,薄膜由非晶转为多晶结构；同时有效提高了柔性ZnO/PET薄膜的载流子浓度,降低电阻率,改善室温下沉积柔性ZnO薄膜导电性能。对开发柔性ZnO薄膜的应用具有重要的意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
中频磁控反应溅射论文参考文献
[1].王庆富,方立平,刘清和,陈林,王勤国.中频反应磁控溅射Al2O3薄膜的靶电压迟滞回线与控制点研究[C].TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2017
[2].甘贵贤.中频反应磁控溅射法沉积柔性ZnO/PET薄膜的光学、电学性质及其激光辐照效应[D].华东理工大学.2016
[3].毕寒.中频反应磁控溅射纳米TiO_2薄膜及激光辐照效应[D].华东理工大学.2013
[4].丁安邦.中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其结构与光学性能的研究[D].大连理工大学.2013
[5].刘兰兰,林松盛,曾德长,代明江,胡芳.离子源对中频反应磁控溅射AIN薄膜结构和性能的影响[C].2012年广东省真空学会学术年会论文集.2012
[6].刘兰兰,林松盛,曾德长,代明江,胡芳.离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响[J].中国表面工程.2012
[7].林松盛,刘兰兰,曾德长,代明江,胡芳.偏压对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构与性能的影响[J].真空.2012
[8].刘兰兰.中频反应磁控溅射法制备AlN薄膜[D].华南理工大学.2012
[9].王军生,童洪辉,韩大凯,王治安.PEM控制中频孪生反应磁控溅射沉积TiO_2薄膜的研究[J].真空.2012
[10].翟玉涛,戴彬,王军生,韩大凯,王治安.大面积PET基中频反应磁控溅射沉积TiN隔热薄膜实验研究[J].真空.2011