导读:本文包含了超级化学镀铜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:超级化学镀铜,道勾填充,抑制剂,化学镀铜
超级化学镀铜论文文献综述
王旭[1]（2011）在《超级化学镀铜方法填充微道沟的基础研究》一文中研究指出金属铜由于其具有较低的电阻率和较高的抗电迁移能力,已被广泛地应用于超大规模集成电路的大马士革铜互联线工艺中。其铜互联线工艺的微孔和道沟的完全填充是通过超级电镀技术来实现的。随着集成电路芯片中铜互联线宽度迅速减小,均匀铜种子层很难获得,而使得电镀铜填充变得越来越困难。超级化学镀铜具有化学镀铜和超级填充的双重特点,无需种子层,能够实现无空洞完全填充,从而受到广泛关注。本文在乙醛酸作为还原剂的化学镀铜溶液中,通过对大量的抑制剂、加速剂的单独、协同加入对化学铜溶液超级填充的影响,实现了体系的超级化学铜填充。研究、总结了超级化学铜填充实现的方法,并通过电化学方法对其形成超级化学填充的机理进行探究。本论文首先选择了较大的大分子量的添加剂,研究添加剂的单独加入对化学铜溶液沉积速率的影响。发现分子量为3100的PPG-PEG-PPG叁段聚醚(简称PEP-3100),对化学镀铜沉积速率具有较强的抑制作用。没有添加任何添加剂的化学镀铜沉积速率是8.2μm/h,当PEP-3100的浓度仅为1.0 mg/L时,化学镀铜的沉积速率降低至2.1μm/h。当化学铜溶液中PEP-3100浓度为1.0 mg/L,研究其添加对不同宽度微道沟的化学镀铜填充的影响。断面SEM图结果表明宽度100-380 nm、深度430nm的道沟均被化学铜完全填充。线性扫描伏安法测定结果进一步证明PEP-3100对抑制化学镀铜的沉积速率有较大的影响；作为对比,研究了添加EPE-8000(1.0 mg/L)作为抑制剂的化学镀铜溶液对微道勾填充能力的影响,发现EPE-8000对深径比较小的道勾能有效填充,而对深径比较大的微道勾,填充时底部容易出现了空洞。本论文的重要内容为设计、实现完全的超级化学填充体系。在对超级电镀铜沉积速率研究的基础上,我们设计出了实现完全超级化学铜沉积的方案。即通过加速剂加速底部化学铜的沉积,通过抑制剂和加速剂的协同作用,共同抑制化学铜在道沟口部和表面的沉积,从而实现化学铜对微孔和道沟的完全填充。在大量添加剂研究实验的基础上,我们发现单独添加SPS对化学镀铜沉积速率有加速作用；虽然PEG-4000单独加入对化学铜有抑制作用,而SPS和PEG-4000的共同加入,极大的抑制了化学铜的沉积速率。利用SPS分子量小,水溶性好,具有较高的扩散系数,能均匀分散在溶液中,而PEG-4000具有较大的分子量和低的扩散系数,从而使PEG-4000在道勾内部形成一定的浓度梯度的特点,使得PEG-4000在微孔表面和口部具有较大的浓度,微孔底部浓度很小。利用SPS和PEG-4000的协同作用,我们成功的实现了超级化学镀铜的完美填充。线性扫描伏安曲线表明,PEG和SPS混合添加对铜离子的还原和乙醛酸的氧化都有抑制作用。但添加添加剂SPS和PEG沉积的铜膜电阻率较大,不利于超大规模集成电路的应用。JGB在低浓度时具有加速化学镀铜沉积速率的作用,而在高浓度时对化学沉积速率具有抑制作用。在化学镀铜溶液中同时加入JGB和EPE-8000(分子量大约为8000),对化学镀铜沉积速率具有协同抑制作用。利用EPE-8000有较小的扩散系数,在道勾中形成一定的浓度梯度和JGB分子量较小的特点,EPE-8000抑制道沟口部、表面的化学镀铜沉积速率和JGB加速微道沟底部的化学镀铜沉积速率的协同作用,实现了超级化学镀铜的完美填充。化学镀铜填充道沟断面SEM图表明,宽度从130到520 nm,深度450到770 nm的道沟都能被完美填充。线性扫描伏安法和混合电位理论研究显示,单独添加JGB能加速乙醛酸的氧化,而当单独添加叁段聚醚EPE-8000时能抑制乙醛酸的氧化。当JGB和EPE-8000混合添加时,能协调抑制了乙醛酸的氧化。大分子的抑制剂具有较低的扩散系数,小分子的加速剂具有较高的扩散系数,往化学铜溶液中添加小分子的加速剂和大分子的抑制剂,利用抑制剂对道沟口部、表面的化学镀铜的沉积速率具有抑制作用和加速剂对道沟底部的化学铜的沉积速率加速的作用,从而能够实现超级化学铜的完美填充。利用该实验原理,通过实验设计,利用小分子的JGB、SPS作为加速剂,利用大分子的聚合物PEP-3100、PEG-4000作为抑制剂,利用大分子聚合物PEP-3100、PEG-4000、EPE-8000和JGB对微道沟底部的化学镀铜沉积速率的协同抑制作用,同样能实现完美的超级化学镀铜的完美填充。利用该实验原理不仅可用于超级化学镀铜填充体系,也可以用于其他超级化学镀填充体系。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2011-12-01）
高剑[2]（2011）在《以亚氨基二乙酸为络合剂的新型化学镀铜体系以及超级化学镀镍的初步研究》一文中研究指出化学镀铜作为当今表面处理技术中的主要技术之一,已得到了广泛应用。但目前,化学镀铜还原剂大多还是采用甲醛,虽然甲醛镀铜具有成本低廉、工作温度低等优点,但甲醛镀液不稳定,在碱性镀液中还会发生氧化还原反应而消耗,更重要的是甲醛毒性较大,对环境会产生污染等缺点,使其应用受到限制。而以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜由于具有镀液使用寿命长、没有有毒气体析出,是一种比较环保的还原剂而倍受青睐。目前,次磷酸钠化学镀铜体系又多采用柠檬酸钠作为络合剂,所得沉积铜膜色泽黯红、含镍量较高,电阻率大,不利于实际应用。为改善铜膜质量,本研究确定了亚氨基二乙酸(IDA)为络合剂的次磷酸钠化学镀铜新体系,研究镀液pH、施镀温度以及镀液中各组分对化学镀铜沉积速率以及镀液稳定性的影响。并通过电化学方法研究不同pH对化学铜沉积速率的影响,探讨其作用机理。实验所得铜膜采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射仪(XRD)等进行表征。实验结果表明,化学镀铜沉积速率随着镀液温度、硫酸铜浓度和次磷酸钠浓度的升高而升高,沉积速率随着络合剂亚氨基二乙酸浓度和镀液pH的增加而降低。电化学研究结果表明：随着pH的降低,阴极还原峰电位正移,峰电流密度增大,从而加速了阴极还原反应,提高化学铜沉积速率。实验最终确定基本镀液组成为：硫酸铜0.04～0.05 mol/L；亚氨基二乙酸0.06～0.08 mol/L；次磷酸钠0.32～0.36 mol/L；醋酸钠0.2 mol/L；pH为4.5～5.0；镀液温度为80℃,在该条件下化学镀铜溶液的稳定性高,镀液沉积速率可达到2.5μm/h,所得铜膜结晶度好,且铜膜中不含镍,提高了铜膜质量,降低了铜膜的电阻率。本文的另一个重要内容是超级化学镀镍体系的初步研究,该研究在确定基本化学镀镍溶液的基础上,根据超级化学镀的特点,确定以PAA3000-5000(聚丙烯酸3000-5000)为抑制剂,以乳酸为络合剂的超级化学镀镍溶液。利用添加剂PAA3000-5000对化学镍的抑制作用和低扩散速率,使化学镍沉积速率在微道沟中自下而上逐渐减小,形成速度梯度,从而进行化学镍填充。实验结果表明,PAA对化学镀镍的沉积速率有抑制作用,没有添加任何添加剂时,化学镀镍沉积速率是5.5 gm/h,当加入PAA浓度仅为2.0 mg/L时,化学镀镍沉积速率降低至2.5μm/h。随着PAA浓度进一步增大,化学镀镍沉积速率有所下降,但其下降幅度明显减小,为了在加入较少添加剂的情况下得到较大的沉积速率下降幅度,实验选择PAA浓度为2.0 mg/L的化学镀镍溶液,研究其对不同宽度微道沟化学镀镍填充的影响。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2011-05-01）
杨志锋[3]（2010）在《新型超级化学镀铜体系的研究》一文中研究指出金属铜具有较低的电阻率和较高的抗电迁移能力,被广泛应用在超大规模集成电路中。在大马士革工艺中,微孔和道沟的填充是通过超级电镀铜技术来完成的。但是随着互联线宽度迅速变窄,电镀铜填充变得越来越困难,超级化学镀铜技术应运而生。本文在以甲醛作还原剂的化学镀铜溶液中,研究了不同种类,不同浓度的添加剂对化学镀铜溶液超级填充行为的影响。首次研究了在化学镀铜溶液添加分子量为8000的PEG-PPG-PEG叁段共聚物(简称EPE-8000)对化学镀铜溶液沉积速率和不同规格微道沟的超级化学铜填充的影响。结果表明,EPE-8000对化学铜沉积有强的抑制作用,没有添加任何添加剂的化学铜沉积速率是8.6μm/h,当EPE-8000的浓度仅为1.0 mg/L时,化学铜沉积速率降低至3.7μm/h。随着EPE-8000浓度的进一步增大,虽然化学铜的沉积速率有所下降,但其降幅明显减小。为此,我们选择EPE-8000浓度为1.0 mg/L,研究其对不同宽度微道沟的化学铜填充的影响。由填充道沟断面图可知,宽度从110到640 nm的道沟都被完全填充；线性扫描伏安法测定结果证明EPE-8000通过抑制阴极和阳极反应来降低化学铜的沉积速率。接着研究了另一类型的PEG-PPG叁段共聚物[其两端基为氧丙烯基,中间端基为氧乙烯基,分子量为3100(简称PEP-3100)]对不同微道沟的超级化学铜填充的影响。沉积速率测定表明,当添加PEP-3100的浓度由0 mg/L增大到1.5 mg/L时,化学铜沉积速率由8.6μm/h降低到5.0μm/h,随着PEP-3100浓度的进一步增大,化学铜的沉积速率几乎没有变化；研究了1.5 mg/L的PEP-3100的化学镀铜溶液对不同微道沟填充行为的影响。化学铜填充道沟断面SEM图表明,宽度为175-290 nm间规格的道沟被完全填充,没有出现任何空洞或缝隙；但是对于宽度为105 nm的道沟却出现一些空洞。这结果说明,含PEP-3100的化学铜溶液的超级填充能力弱于含EPE-8000的化学铜溶液的超级填充能力。这由于PEP-3100对化学铜的抑制作用弱于EPE-8000; PEP-3100的扩散系数大于EPE-8000的扩散系数,这使得在道沟底部和口部间所形成的速率梯度较小。线性扫描伏安法测定结果证明PEP-3100通过抑制阴极和阳极反应来降低化学铜的沉积速率；采用了视频光学接触角测量仪(OCA)测定添加各种添加剂后的化学镀铜溶液对铜片润湿性的影响。另外,我们比较了含有不同结构单元的嵌段共聚物对微道沟的超级化学铜填充的影响。沉积速率和电化学结果都表明,相对于具有相同分子量的PEG、PPG, EPE对化学镀铜有更强的抑制作用；研究含有浓度为2.0 mg/L不同共聚物的化学镀铜溶液对宽度相当的道沟填充行为的影响,化学铜填充道沟断面SEM图表明,无论是往化学镀铜溶液中添加PEG-2000还是PPG-2000，化学铜填充后的道沟都出现一些空洞；但是添加EPE-2000的化学镀铜溶液能实现对宽度约为280 nm的道沟完全填充,没有出现任何空洞或缝隙。这由于相对于PEG、PPG,EPE对化学镀铜有更强的抑制作用；兼有亲水性基团(EO)和相对疏水性基团(PO)的EPE结构相对独特性,使其在表面的吸附性能改变,可能使之在道沟中形成的浓度梯度较大。本文的另一个重要研究是首次发现在化学镀铜溶液中添加SPS和PEG,利用其抑制微道沟口部、表面的化学沉积铜和加速微道沟底部的化学沉积铜的协同作用,从而实现完美的超级化学铜填充。化学铜填充道沟断面SEM图表明,宽度从100到290 nm的道沟都被完全填充；这归因以下叁方面的共同作用,仅添加SPS时,加速化学铜沉积铜速率；当SPS和PEG共同加入时,大大抑制化学沉积铜；由于大分子的PEG有低的扩散系数,从而使PEG在道沟中形成浓度梯度。另外使用线性扫描伏安法和混合电位理论研究测定PEG、SPS对铜的还原及甲醛的氧化的极化的影响。最后,我们在二氧化锰／硫酸微蚀体系下,研究硫酸浓度和超声辅助时间对ABS塑料板表面粗糙度和粘结强度的影响。当硫酸浓度为11.8-12.7mol/L时,得到较好的表面微蚀效果；当使用超声辅助微蚀20 min时,ABS塑料板表面出现更多,分布更均匀的小孔,平均表面粗糙度和最大表面粗糙度从386nm、397 nm分别降低到278nm、285 nm,低于由Cr03-H2SO4微蚀得到平均表面粗糙度和最大表面粗糙度(分别是420 nm和510 nm)；但是平均粘结强度却从1.29 kN/m升高到1.39 kN/m；表面接触角测量结果表明ABS塑料板表面的极性基团密度随着超声辅助时间的延长而增大。这些结果表明,使用超声辅助表面微蚀不仅可以提高凹坑在ABS板表面的均匀性,而且可以促进ABS塑料板的氧化速率,从而得到高的粘强强度和低的表面粗糙度。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2010-05-01）
杨志锋,高彦磊,李娜,王旭,殷列[4]（2009）在《超级化学镀铜填充微道沟的研究》一文中研究指出超级化学铜填充技术不仅可以应用于半导体超大集成电路铜互连线,而且可以应用于叁维封装.研究了不同浓度、不同分子量的PEG对以甲醛为还原剂的化学镀铜溶液中铜的沉积速率的影响.随着添加剂PEG浓度和分子量的增大,化学铜的沉积速率明显降低.电化学研究结果表明PEG通过抑制甲醛的氧化反应降低化学铜的沉积速率,PEG分子量越大,对化学铜的抑制作用越强.利用PEG-6000对化学铜的抑制作用和在溶液中低的扩散系数,采用添加PEG-6000的化学镀铜溶液,成功地实现了宽度在0.2μm以下微道沟的超级化学填充.就PEG的分子量、微道沟的深径比等因素对超级化学铜填充的影响也做了研究.(本文来源于《化学学报》期刊2009年24期）
王旭,李娜,杨志锋,王增林[5]（2009）在《PEG和SPS对超级化学镀铜微孔填充影响的新体系研究》一文中研究指出大马士哥艺铜互连线工艺已经广泛的应用于超大规模集成电路铜互联线的制造过程。而为填充高深径比、直径在0.1微米左右的道沟,需要镀铜在微孔底部的沉积速率大于口部的沉积速率,即超级电化学沉积。Madoka Hasegawa等以乙醛酸为还原剂,PEG为抑制剂实现了超级填充;王增林等以乙醛酸为还原剂,(本文来源于《2009年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集》期刊2009-11-01）
石凯[6]（2009）在《超级化学镀铜的计算机模拟》一文中研究指出在半导体芯片铜互连线的制造过程中,存在着不同孔径和深度的微孔。为了最有效的完全填充这些微孔,减少CMP工艺的困难,计算机模拟超级化学铜填充过程,不仅具有很大理论价值,而且具有直接的应用价值。虽然关于超级化学铜沉积的计算机模拟研究已有文献报道,但关于超级化学铜填充机理的数学模型,尤其动态分析沉积过程的研究未见相关的研究报道。本文采用理论分析和数值模拟的方法模拟化学镀铜的沉积过程。由于化学铜溶液中添加剂SPS对化学铜的沉积速度有直接影响,故只有完全了解了超级化学铜填充机理以及化学镀溶液中SPS为主要添加剂的化学形态和浓度变化规律,才能实现超级化学镀铜工艺工业化。根据控制容积法的理论和吸附的特点,建立扩散—吸附体系的数学模型;运用统计学方法进行数据处理,建立化学镀铜的沉积速度与SPS浓度的相互关系;采用动网格技术,仿真研究了不同时间下边界的运动速度以及微孔内的扩散场。通过计算表明,这种技术可以非常好地捕捉由于扩散引起的界面运动和变形的位置,能获得准确的镀层厚度、浓度及时间的演化过程。本文的研究内容如下:首先,根据微孔本身的特点和控制容积法的概念,根据流体力学、传质学以及化学动力学的基础理论,导出了适用于微孔内的扩散控制方程式。同样,根据铜膜沉积的特点和吸附理论,建立了微孔边界的吸附模型。对建立的数学模型进行分析和简化,选择符合实际情况的边界条件,采用有限体积法的数值模拟方法进行仿真,通过后期验证,所建立的数学模型合理的描述了微孔内的传质环境。其次,对于新探索的系统和过程,通过一些机理和假设得到多个数学模型,需要通过合理安排试验数据,利用统计理论进行分析,从多个模型中辨识选(或筛选)出最合适的一个模型。文中根据实测数据,采用相关分析和拟合统计方法对不同的符合函数进行采样数据分析和检验,最终确定化学镀速和添加剂SPS的定量关系,为后阶段的模拟提供数值依据。再次,运用有限体积的数值模拟方法,以孔深和孔径分别为1.2μm和0.4μm的微孔为例,对建立的控制方程进行分离算法求解,分析了不同时间内微孔内二维浓度场的分布情况。最后,考虑到铜膜的动态生长过程,本文采用弹簧方法和局部网格重构相结合的动网格技术,实现快速、优质的模拟微孔边界的大位移运动,阐述了动网格的生成原理和方法,多次尝试适用于微孔填充的适当参数,成功地解决微孔底部由于SPS浓度消耗而导致生长速度的即时模拟,确保网格生成的质量。以C语言为基础,编制了用户自定义程序,实现了对微孔填充的动态模拟。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2009-05-01）
高彦磊[7]（2008）在《超级化学镀铜溶液研究》一文中研究指出Ⅰ酸性镀铜溶液中氯离子的测定电子产品向更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制板铜互联线宽度越来越窄,微孔内无空洞无缝隙镀铜成为印刷电路板铜互联线制造技术中的一个关键问题。要想实现微孔的超级填充,镀液中添加剂的作用至关重要。本方法以乙二醇为增溶剂,硝酸银作沉淀剂,采用氯化银比浊法,在不分离有机添加剂的条件下,研究了各种测定条件对该方法的影响,并直接测定酸性镀铜液中微量氯离子。研究了在不添加有机添加剂和添加SPS、PEG的条件下,不同放置时间、不同浓度氯离子浓度范围对吸光度线性范围的影响。研究发现不同浓度氯离子与SPS、PEG共同存在的情况下,吸光度随时间的变化较大,氯离子浓度较大时吸光度随时间变化较大。因此,该方法不适合测定氯离子浓度大于10 mg/L的镀液。为了提高测量准确度我们采用求第21、23、25 min吸光度的平均值来作为最终吸光度值。最后,两次测定了每次电镀微孔后电镀液中氯离子的浓度,平均值作为最终的结果。并分析了微孔填充情况与氯离子浓度的关系。我们还研究了不同分子量PEG对电镀液阴极极化曲线的影响。研究发现PEG的分子量越大抑制作用越强。Ⅱ超级化学镀铜溶液研究铜具有较低的电阻率和较高的抗电迁移能力而被广泛应用在超大规模集成电路中。在大马士革工艺中,微孔和道沟的填充是通过超级电镀铜技术来完成的。但是随着互联线宽度迅速变窄,电镀铜填充变得越来越困难,超级化学镀铜应运而生。本文采用重量法研究了不同分子量PEG在甲醛为还原剂的化学镀铜溶液中的沉积速率;研究表明随着PEG浓度和分子量的增加,化学铜的沉积速率明显降低。线性扫描伏安法测定结果表明,PEG的加入抑制了化学铜的沉积,随着PEG分子量越大,PEG对化学铜的抑制作用越强。采用PEG-6000和PEG-8000实现了直径在0.2微米以下微孔的超级化学镀铜。研究表明PEG的分子量、PEG的浓度,和道沟的规格等因素影响超级化学铜填充。探索添加叁乙醇胺-SPS化学镀铜溶液的微孔填充行为,虽然没有完全实现超级化学镀铜,但是实验证明该体系在SPS浓度为0.5 mg/L时,具有超级化学镀铜现象。研究了SPS、SPS与联二吡啶、SPS与PEG的加入对化学镀铜沉积速率的影响。SPS单独使用时促进化学铜的沉积,而SPS与联二吡啶及PEG共同使用时却抑制化学铜的沉积。研究了PEG-6000对含有叁乙醇胺体系的化学镀铜沉积速率的影响,PEG-6000抑制该体系的沉积,但是当浓度大于1 mg/L后抑制作用几乎不再改变。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2008-05-01）
王增林,王秀文,刘宗怀,杨祖培[8]（2007）在《超级化学镀铜沉积机理的研究》一文中研究指出大马士革铜互连线已经广泛的应用于超大集成电路铜互连线的制造过程。为了填充高深径比、直径在0.1微米左右的微孔,需要电镀铜在微孔底部的沉积速率大于在微孔开口处的沉积速率,即超级电化学沉积。然而,随着芯片的集成度越来越高,物理气相沉积(PVD)很难在微孔的底部形成连续的铜种子层,从而导致不完全填充。我们通过向化学镀铜溶液中添加以 SPS 为主要成分的添加剂,在世界上首次成功的实现了超级化学铜沉积。SPS 的主要作用为抑制化学铜在表面的沉积,从而增加了化学铜在微孔中的沉积速率。随后。韩国的 kim 报道,在未加其他任何添加剂的化学镀铜溶(本文来源于《2007年上海市电子电镀学术年会论文集》期刊2007-11-01）
超级化学镀铜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学镀铜作为当今表面处理技术中的主要技术之一,已得到了广泛应用。但目前,化学镀铜还原剂大多还是采用甲醛,虽然甲醛镀铜具有成本低廉、工作温度低等优点,但甲醛镀液不稳定,在碱性镀液中还会发生氧化还原反应而消耗,更重要的是甲醛毒性较大,对环境会产生污染等缺点,使其应用受到限制。而以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜由于具有镀液使用寿命长、没有有毒气体析出,是一种比较环保的还原剂而倍受青睐。目前,次磷酸钠化学镀铜体系又多采用柠檬酸钠作为络合剂,所得沉积铜膜色泽黯红、含镍量较高,电阻率大,不利于实际应用。为改善铜膜质量,本研究确定了亚氨基二乙酸(IDA)为络合剂的次磷酸钠化学镀铜新体系,研究镀液pH、施镀温度以及镀液中各组分对化学镀铜沉积速率以及镀液稳定性的影响。并通过电化学方法研究不同pH对化学铜沉积速率的影响,探讨其作用机理。实验所得铜膜采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射仪(XRD)等进行表征。实验结果表明,化学镀铜沉积速率随着镀液温度、硫酸铜浓度和次磷酸钠浓度的升高而升高,沉积速率随着络合剂亚氨基二乙酸浓度和镀液pH的增加而降低。电化学研究结果表明：随着pH的降低,阴极还原峰电位正移,峰电流密度增大,从而加速了阴极还原反应,提高化学铜沉积速率。实验最终确定基本镀液组成为：硫酸铜0.04～0.05 mol/L；亚氨基二乙酸0.06～0.08 mol/L；次磷酸钠0.32～0.36 mol/L；醋酸钠0.2 mol/L；pH为4.5～5.0；镀液温度为80℃,在该条件下化学镀铜溶液的稳定性高,镀液沉积速率可达到2.5μm/h,所得铜膜结晶度好,且铜膜中不含镍,提高了铜膜质量,降低了铜膜的电阻率。本文的另一个重要内容是超级化学镀镍体系的初步研究,该研究在确定基本化学镀镍溶液的基础上,根据超级化学镀的特点,确定以PAA3000-5000(聚丙烯酸3000-5000)为抑制剂,以乳酸为络合剂的超级化学镀镍溶液。利用添加剂PAA3000-5000对化学镍的抑制作用和低扩散速率,使化学镍沉积速率在微道沟中自下而上逐渐减小,形成速度梯度,从而进行化学镍填充。实验结果表明,PAA对化学镀镍的沉积速率有抑制作用,没有添加任何添加剂时,化学镀镍沉积速率是5.5 gm/h,当加入PAA浓度仅为2.0 mg/L时,化学镀镍沉积速率降低至2.5μm/h。随着PAA浓度进一步增大,化学镀镍沉积速率有所下降,但其下降幅度明显减小,为了在加入较少添加剂的情况下得到较大的沉积速率下降幅度,实验选择PAA浓度为2.0 mg/L的化学镀镍溶液,研究其对不同宽度微道沟化学镀镍填充的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超级化学镀铜论文参考文献
[1].王旭.超级化学镀铜方法填充微道沟的基础研究[D].陕西师范大学.2011
[2].高剑.以亚氨基二乙酸为络合剂的新型化学镀铜体系以及超级化学镀镍的初步研究[D].陕西师范大学.2011
[3].杨志锋.新型超级化学镀铜体系的研究[D].陕西师范大学.2010
[4].杨志锋,高彦磊,李娜,王旭,殷列.超级化学镀铜填充微道沟的研究[J].化学学报.2009
[5].王旭,李娜,杨志锋,王增林.PEG和SPS对超级化学镀铜微孔填充影响的新体系研究[C].2009年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集.2009
[6].石凯.超级化学镀铜的计算机模拟[D].陕西师范大学.2009
[7].高彦磊.超级化学镀铜溶液研究[D].陕西师范大学.2008
[8].王增林,王秀文,刘宗怀,杨祖培.超级化学镀铜沉积机理的研究[C].2007年上海市电子电镀学术年会论文集.2007