导读:本文包含了半导体结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:压电半导体,拉伸模态,载流子密度,输出功率
半导体结构论文文献综述
李鹏,金峰[1]（2018）在《压电半导体结构中拉伸模态的求解与应用》一文中研究指出本文研究了板式和梁式两种压电半导体结构中拉伸模态的传播特性。针对板式结构,从压电半导体材料的基本控制方程出发,构建用于描述力载荷驱动下压电半导体能量俘获过程的力学模型,并在线弹性理论范围内得到了拉伸模态的解析解;对于梁式结构,将压电半导体梁的位移、电势函数、载流子密度的变化量沿梁的厚度和宽度两个方向以幂级数形式展开,得到了同时计及拉伸、弯曲、剪切变形的控制方程和边界条件,推导过程基于连续介质力学理论,同时应用了必要的应力放松条件,这些结果在某些特定情况下可以退化为经典的解析解。应用上述方程以及解的形式,以ZnO为例数值模拟了压电材料的半导体特性对共振频率、激振位移、输出功率、能量效率等参数的影响。结果表明:材料的半导体特性会对其力学特性产生显着的影响;随着初始载流子密度的增加,结构的共振频率降低,进而影响结构的输出功率、能量效率等。本文属于基础类研究,结果可为压电半导体材料中弹性波的分析提供理论依据和数值工具。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）》期刊2018-11-23）
黄旭[2]（2018）在《半导体结构中侧向光伏效应与电阻开关效应研究》一文中研究指出侧向光伏效应和电阻开关效应是纳米半导体材料中非常有应用前景的两种效应。侧向光伏效应能够精密地测量微小位移,所以应用于高能物理实验、生物医学应用、工程控制领域。电阻开关效应具有高速度、高密度、低功耗等优点,被认为是下一代的非易失性存储器。本文利用磁控溅射制备了Ni/n-Si、Ni/p-Si、Ag/ZnO/Pt/n-Si、Ag/TaO_x/Pt等多种结构,通过AFM、XPS、半导体综合测试仪等研究了样品的形貌、晶体结构、能带结构、光电特性、阻变效应等。并在此基础上研究了表面态、肖特基势垒对侧向光伏效应的影响,以及超低功耗的电阻开关效应。本论文的工作内容有:(1)在p型Si的表面观测到了由于表面态所导致的明显的侧向光伏效应,其表面侧向光伏的灵敏度比传统的基于PN结或肖特基势垒的高了一到两个数量级,这揭示了一种新的侧向光伏效应的产生机制。我们用XPS来研究了样品的能带结构,从而揭示了p-Si表面的侧向光伏效应与表面态导致的表面能带弯曲有关。最后我们用Ni纳米薄膜改变了p-Si的表面态,从而验证了我们的猜想。(2)在p-Si基金属-氧化物-半导体结构中发现增强的侧向光伏效应。我们发现在Ni/SiO_2/p-Si结构中的侧向光伏效应比Ni/SiO_2/n-Si结构中的效应增加了4倍多。接着我们通过研究纵向的I-V曲线,以及灵敏度与Ni厚度的关系,发现这两种结构中载流子迁移的方向由费米面决定。最后基于连续性方程和扩散方程,我们发现Ni/SiO_2/p-Si结构中的增强原因是单位时间(sec)单位面积(cm~2)内通过结的光照区域的电子空穴对的数量,而这与接触势垒的高度有关。(3)在Ag/ZnO/Pt/Si结构上观察到无Forming过程的单极型阻变效应,其高阻态值的数量级在10~3?,低阻态的数量级在10?,操作电压在3 V左右。接着研究了限制电流、ZnO厚度、氧分压浓度等条件对Ag/ZnO/Pt/Si结构中单极型阻变效应的影响。接着我们在Ag/TaO_x/Pt结构中发现了超低操作电压的双极型电阻开关效应。而且Ag/TaO_x/Pt结构中的双极型电阻开关效应和阈值效应可以在限制电流的控制下相互转变。通过研究了晶粒尺寸与操作电压的关系,以及渝渗模型模拟了不同孔隙率情况下导电细丝的生长过程弄清其物理机制。这一工作对超低功耗存储器以及弄清阻变效应的内在机制都有比较重要的意义。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-05-30）
胡敏[3]（2018）在《低维半导体结构中杂质态的研究》一文中研究指出由于量子阱、量子线、量子点等低维半导体结构在电子和光电子器件中有着很好的应用前景,所以近年来对低维半导体结构物理性质的研究吸引了很多学者的关注。杂质的存在可以极大的影响半导体结构的电学和光学特性,并且杂质在半导体光电子器件中起着非常重要的作用。低维半导体材料中的电子态也是半导体物理中的一个基础问题。另一方面,外加电场和磁场对低维半导体结构中的电子态会产生很大的影响。在考虑外加电场和磁场的情况下,研究低维半导体结构中的电子态可以促进对半导体材料及相关器件物理性质的理解。本论文在有效质量包络函数近似的理论框架下,利用平面波展开法研究了量子阱、量子线、量子点、量子环中的电子态,并考虑了外加电场和磁场的影响。本文的具体内容如下:1.在有效质量包络函数近似的理论框架下,对比了两种常用的计算低维半导体结构中电子态的方法——变分法和平面波展开法。利用两种方法分别计算了InGaN/GaN方形量子阱、圆柱形量子线、球形量子点中的电子态。变分法计算的氢施主杂质的基态能量大于真实值,从而导致变分法计算的杂质基态结合能小于真实值;而平面波展开法计算的杂质基态能和基态结合能更接近于真实值;另外,在相同电场强度下,变分法计算出的外电场效应更加明显。本章最后一部分研究了平面波展开法计算精度的影响因素,结果显示,当平面波数量不少于13~3、势垒宽度取值2a~*?BW?4a~*时,计算结果是比较可靠的。2.在有效质量包络函数近似的理论框架下,采用平面波展开法计算了In GaAsP/InP方形、抛物线形、V形量子阱中,杂质基态结合能随量子阱宽度、杂质位置、外加电场和磁场强度的变化。比较了量子阱形状对杂质基态结合能的影响、不同形状量子阱中的电场和磁场效应。数值结果表明,基态结合能随着量子阱宽度的增加呈现非线性的变化,当量子阱宽度较小时,方形量子阱中的杂质结合能较大;当量子阱宽度较大时,V形量子阱中的杂质结合能较大;量子阱宽度W=2a~*时,在量子阱中心附近,V形量子阱中的杂质结合能最大,在量子阱的边缘,方形量子阱中的杂质结合能最大;当量子阱宽度较小时,电场效应在V形量子阱中最明显,而量子阱宽度较大时,电场效应在方形量子阱中最明显;磁场效应在V形量子阱中最明显;在不同形状的量子阱中,电场和磁场共同作用时效果是一致的。3.利用平面波展开法计算了InGaAsP/InP环形量子线内氢施主杂质的基态结合能,分析了外加电场和磁场对基态结合能的影响。计算结果表明,当施主杂质沿量子线径向运动时,杂质结合能在径向的中心处,达到最大值;当量子线的内半径或外半径固定时,结合能随着外半径或内半径的增加呈现非线性的变化;轴向外电场使得杂质结合能下降,而径向磁场使得杂质结合能增加;由外加电场引起的杂质结合能的下降可以通过引入一定强度的磁场来补偿。4.利用平面波展开法研究了外加电场和磁场对InGaAsP/InP核壳形量子点中氢施主杂质基态结合能的影响,并分析了壳层厚度、内核半径、杂质位置对杂质基态结合能的影响。数值结果表明,结合能随内核半径的增大而逐渐减小;当壳层厚度刚开始增加时,杂质结合能也增加;而当壳层厚度增加到一定值时,结合能不再随壳层厚度的增加而变化;外加电场破坏了杂质结合能分布的对称性,并且外电场对中心施主杂质结合能的影响最小;杂质结合能的对称分布不受外加磁场的影响,结合能只是随着磁场强度的增加而增加,而磁场对中心施主杂质结合能的影响最大。5.利用平面波展开法研究了InGaAsP/InP量子环内,氢施主杂质基态结合能对量子环外半径、量子环高度、杂质位置、电场和磁场强度的依赖性。随量子环外半径和环高度的增加,杂质基态结合能非线性的变化;当杂质沿轴向或径向方向移动时,基态结合能在轴向的中心或径向的中心附近达到最大值;此外,随电场强度的增加,杂质位置和电场方向共同决定了施主杂质的基态结合能是增加还是减少;当杂质位于轴上对称位置时,外加电场使得结合能的差异越来越大;随磁场强度的增加,杂质结合能增加,并且在沿着磁场方向上,磁场对杂质结合能的影响更为明显。6.利用平面波展开法计算了InGaAsP/InP同轴双量子环中氢施主杂质的基态结合能,并考虑了外加电场的影响。结果表明,当杂质沿径向方向运动并且量子环间距较小时,杂质结合能在两个环的间隙处取得最大值;而当量子环间距较大时,在每个环的中心位置,杂质结合能都可以取得最大值;当杂质沿着轴向移动时,结合能在高度的中间位置达到最大值;杂质结合能随量子环高度的增加呈现非单调的变化;外电场沿轴向,当杂质位于z_i≥0处时,施主杂质的束缚能减少,而在z_i<0时,施主杂质的束缚能增加;基态结合能随Ga组分的增加而减少,随着As组分的增加而增加。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2018-03-10）
杨传路,黎康宁,黄海财,王美山,马晓光[4]（2017）在《水解制氢团簇与半导体结构第一性原理研究》一文中研究指出H_2作为一种无污染、且其燃烧热几乎是重汽油叁倍,因此可作为理想能源。但H_2的产生及储存在未来可持续发展中仍然是一个未解决的挑战。本报告讨论几种典型团簇和半导体物质分解水分子产生H_2的机理和过程。首先我们基于第一性原理计算研究Al_6X(X=Si,N,Cu)团簇分解水制氢以及储氢。结果表明Al_6Si从一个水分子中提取H_2,整个反应只需叁步。通过优化计(本文来源于《2017年第九届全国青年计算物理学术会议论文集》期刊2017-07-18）
胡敏,王海龙[5]（2017）在《平面波展开法在低维半导体结构中的应用》一文中研究指出低维半导体科学的发展推动了半导体材料在光电子器件中的广泛应用。通过掺杂杂质研究低维半导体材料的物理性质是一个有效手段。在有效质量包络函数近似的前提下,计算低维半导体结构中类氢杂质的杂质态,平面波展开法相对于其他方法有很多优点,比如可以根据半导体材料的形状,选取具有对称性的基函(本文来源于《2017年第九届全国青年计算物理学术会议论文集》期刊2017-07-18）
刘建军[6]（2017）在《压电半导体结构中的几类典型导波》一文中研究指出随着微机电技术的发展,具有机电耦合特性和半导体特性的压电半导体材料备受关注,以ZnO为代表的具有半导体特性的压电材料可被用于新型微机电声波器件中。本论文基于弹性动力学基本理论,考虑压电效应、半导体特性和偏置电场等耦合作用,对压电半导体结构中传播的几类典型导波进行了建模分析、理论计算和数据分析,主要内容分为两个方面:(1)分析讨论了横观各向同性压电半导体结构中的几类典型导波的传播特性问题。基于本构方程、位移与应变关系和场控制方程建立了由位移函数、电势函数以及扰动载流子浓度函数表示的场控制偏微分方程组。考虑应力自由和电学连续性边界条件,得到导波的波速和波数之间的解析方程。(2)基于上述的解析模型,分析了典型压电半导体半空间结构中的广义Rayleigh波以及压电半导体板中SH波和Lamb波等几类典型导波的传播特性问题。研究发现:广义Rayleigh波可以在压电半导体半空间中传播,半导体特性导致了波的频散,SH波和Lamb波同样可以在压电半导体板中传播,且在板中存在多阶频散模态;压电半导体结构中传播的导波因半导体特性其相速度会受到影响,沿着导波的传播方向施加足够大的偏置电场可以导致波的增益。研究发现的半导体效应和偏置电场作用可以导致波的衰减或增益的特点。研究结论可以指导以ZnO等压电半导体材料为代表的声波器件的设计,预期可为新型智能材料及结构中的的超声波无损检测提供理论上的依据和支持。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
赵阳阳[7]（2017）在《高温温差发电半导体结构设计及其疲劳寿命分析》一文中研究指出温差发电技术是一种基于塞贝克效应可以将热能直接转换成电能的方式,无需化学反应或流体介质,发电过程具有经济、环保和方便等优点,可以合理利用太阳能、工业余热等低品位热源进行发电。在当前环境要求前提下,温差发电技术以其独特的优势在能源回收利用等方面将发挥重要的作用。目前,温差发电还存在温差电组件发电性能低、使用寿命短、可靠性不高等问题。在高温环境下,各部件之间的连接处容易发生物质迁移及原子扩散,从而导致热电材料性能下降或失效,由各材料之间热膨胀系数的不匹配产生的热应力容易导致连接处的断裂。因此,有必要对温差发电器通过热应力分析进行结构设计及寿命分析。本文以温差发电半导体四电偶臂模型及二级温差电元件为研究对象,采用比较成熟的半导体材料(碲化铅)作为电偶臂材料,设计并适当改进了半导体结构,并且对二级温差电元件模型结构设计分析,通过有限元软件研究,完成的主要工作如下:⑴根据温差发电基本原理及普通结构特征,确定材料参数及结构基本尺寸,完成改进温差电元件模型,并对不同形状电偶臂模型进行对比分析,了解不同电偶臂形状和固定方式对发电效果及其热应力水平情况的影响。⑵对梯形四电偶臂模型及二级温差电元件进行了进行深入的分析,研究了梯形电偶臂几何尺寸、电偶臂间距及陶瓷基体厚度对模型的发电性能和热应力水平的影响;并且研究了二级模型上下级电偶对数比对热电性能及热应力水平的影响。⑶依据温差发电器的工作状况,确定了温差发电器的疲劳分析机理及失效机理,利用Workbench软件分析不同因素对温差四电偶臂模型及二级温差电元件的疲劳寿命影响情况,为提高器件的可靠性提供依据。(本文来源于《燕山大学》期刊2017-05-01）
闫阳[8]（2017）在《压电半导体结构的数值模拟》一文中研究指出随着汽车工业轻量化、节能化和环保化的发展方向,新能源汽车已成为未来发展的趋势,这对汽车电力驱动系统提出了更高的要求。新一代压电半导体材料GaN、ZnO等由于具有高禁带宽度、高击穿电场、高迁移率,正越来越受汽车厂商的关注。但压电半导体材料力学、机械、物理等性能的研究相对较少,使得压电半导体电子器件可靠性设计上缺乏足够的理论指导。本文采用数值模拟的方法研究压电半导体结构的力学、机械和物理性能。主要工作如下:1)以压电半导体的本构关系、控制方程和边界条件为理论依据,通过对压电半导体基本方程的线性化处理,提出“压电—导体”迭代方法。针对工程上比较关心的可靠性问题,运用该迭代方法分析压电半导体的I型裂纹平面问题,给出各种载荷对强度因子的影响规律。2)从压电半导体严格的基本方程出发,对非线性压电半导体进行结构分析。首先,考虑半导体中载流子复合—产生过程的非线性控制方程,对比不同复合—产生机制的影响;其次,根据本构方程的非线性,通过与线性化处理的控制方程进行对比,以平面断裂为例分析线性化处理带来的差异;最后,针对欧姆接触和肖特基接触两种不同的边界条件,对比分析不同边界条件对求解结果的影响。3)针对典型结构pn结的界面问题,研究内建电势的形成过程;通过对pn结界面裂纹分析,研究压电半导体pn结界面裂纹尖端各物理量的分布规律,以及内建电势对强度因子的影响。(本文来源于《郑州大学》期刊2017-05-01）
王雪松[9]（2017）在《多孔纳米金属氧化物半导体结构设计及其传感器应用》一文中研究指出近几十年来,大气环境污染问题变得日益严峻,受到人们越来越多的关注。为了检测存在于空气中的有毒有害气体,气体传感器起到了重要作用,在日常生活中得到了普遍应用。金属氧化物在制作高灵敏度气体传感器这一领域,受到了研究者的持续关注及深入研究。La系元素由于其具有的某些特殊性质在近十几年间受到了人们的广泛关注。La系元素掺入或附着表面的氧化物半导体在众多领域得到了应用,但在气体传感器领域的研究还并不完善,仍有待深入研究。本文采用静电纺丝法分别制备了La系元素掺杂的管状、多孔管状、破裂的多孔管状In_2O_3纳米纤维。另外,我们采用水热法制备了花状多孔Zn O,制备了基于它们的气体传感器,并研究了其气敏性能。具体内容如下:1.通过静电纺丝制备了Er-doped In_2O_3纳米管,基于该材料的传感器的最佳工作温度经实验测量后为260℃,对20 ppm甲醛的灵敏度为12,响应恢复时间分别为5 s和38 s。该传感器具有优异的选择性。2.用简单纺丝法合成了Yb-doped In_2O_3纳米管,以其为敏感材料制作了传感器,该器件的最佳工作温度为230℃,对100 ppm甲醛的灵敏度为69.8,响应恢复时间分别为4 s和84 s,对甲醛的最低检测浓度为100 ppb,灵敏度为2.5。3.成功制备了破裂多孔管状Sm-doped In_2O_3纳米纤维,以其为敏感材料的气体传感器的最佳工作温度为240℃,对100 ppm甲醛的灵敏度为66.82,响应恢复时间分别为10 s和34 s。4.利用单管电纺合成了多孔管状Nd-doped In_2O_3纳米纤维,制作了基于该材料的气体传感器,该传感器在240℃下对100 ppm甲醛的灵敏度为44.6,响应恢复时间分别为15 s和50 s,其对甲醛的最低检测浓度为100 ppb,灵敏度为2.2。此外,本实验成功制备了破裂多孔管状Nd-doped In_2O_3纳米纤维,基于此种材料的传感器在240℃时对100 ppm甲醛的灵敏度为46.8,响应恢复时间分别为8 s和22 s,对甲醛的最低检测浓度为100ppb,灵敏度为2.4。5.利用水热法制备了多孔花状Zn O,以其为气敏材料制作了传感器,该器件在280℃时对50 ppm丙酮的灵敏度为97.8,响应恢复速度为2 s和23 s。该传感器对丙酮具有优异的选择性能。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-04-01）
周沛奇[10]（2017）在《纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究》一文中研究指出纳米金属半导体材料往往表现出较块状材料更加突出的光电性能,诸如更强的导电性、导热性、更快的电子迁移率等等,使其在航空、能源、信息等高科技领域具有广阔应用前景。在金属-半导体结构中,肖特基接触是非常常见的一类电学接触方式,在传统的块状材料中,肖特基势垒高度一般比较固定,只取决于金属和半导体的费米能级以及表面态所导致的费米能级钉扎效应。而在纳米金属半导体材料中,肖特基势垒还会受到许多纳米尺寸下特有的物理效应的影响,诸如表面效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应等等,从而呈现出一定的可调控性。这使得人们可以根据自己的意愿,通过纳米层面上尺寸和结构的设计,来获得不同高度的肖特基势垒,进而大大拓宽了其应用前景,并由此带来了许多新型物理效应和理论机制的探索。本论文是针对这一课题的探索性研究,我们设计制备了不同金属的纳米颗粒薄膜,发现通过外加光场辅助电脉冲的手段可以调节这些结构的肖特基势垒高度,体现在可测量的物理量上,即这些结构的光伏和电阻特性呈现出一定的可调节性,更有趣的是,这种调控是非易失性的,即当我们撤去外加的光场和电脉冲时,势垒的改变效果依然存在,这一特性使得这种效应(激光辅助电脉冲调控肖特基势垒高度)在存储及控制领域有着很好的应用前景。我们提出了光生载流子陷阱模型来解释这一结果,并在之后的侧向光伏效应的测量中得到了与理论相吻合的印证。我们还根据纳米颗粒薄膜肖特基势垒高度可变的这一特性,设计了沟槽结构的纳米金属半导体材料,并在这种结构中,观察到了反向耐压特性非常好的二极管效应。结合我们之前使用激光辅助电脉冲的手段,这种二极管效应还呈现出一定的可变性,即其反向电流大小可通过外场进行非易失性的调控。另外,这种沟槽结构的纳米金属半导体材料,即便材料本身没有磁性,而由于其内部载流子扩散的非对称性,其对磁场有着比较显着的响应。我们在这种结构中也观察到了的非常明显的磁响应侧向光伏效应,以及磁响应的光致极性电阻效应。对此,我们给出了类似尺寸磁阻效应的载流子非对称扩散模型的机理解释。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-03-01）
半导体结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
侧向光伏效应和电阻开关效应是纳米半导体材料中非常有应用前景的两种效应。侧向光伏效应能够精密地测量微小位移,所以应用于高能物理实验、生物医学应用、工程控制领域。电阻开关效应具有高速度、高密度、低功耗等优点,被认为是下一代的非易失性存储器。本文利用磁控溅射制备了Ni/n-Si、Ni/p-Si、Ag/ZnO/Pt/n-Si、Ag/TaO_x/Pt等多种结构,通过AFM、XPS、半导体综合测试仪等研究了样品的形貌、晶体结构、能带结构、光电特性、阻变效应等。并在此基础上研究了表面态、肖特基势垒对侧向光伏效应的影响,以及超低功耗的电阻开关效应。本论文的工作内容有:(1)在p型Si的表面观测到了由于表面态所导致的明显的侧向光伏效应,其表面侧向光伏的灵敏度比传统的基于PN结或肖特基势垒的高了一到两个数量级,这揭示了一种新的侧向光伏效应的产生机制。我们用XPS来研究了样品的能带结构,从而揭示了p-Si表面的侧向光伏效应与表面态导致的表面能带弯曲有关。最后我们用Ni纳米薄膜改变了p-Si的表面态,从而验证了我们的猜想。(2)在p-Si基金属-氧化物-半导体结构中发现增强的侧向光伏效应。我们发现在Ni/SiO_2/p-Si结构中的侧向光伏效应比Ni/SiO_2/n-Si结构中的效应增加了4倍多。接着我们通过研究纵向的I-V曲线,以及灵敏度与Ni厚度的关系,发现这两种结构中载流子迁移的方向由费米面决定。最后基于连续性方程和扩散方程,我们发现Ni/SiO_2/p-Si结构中的增强原因是单位时间(sec)单位面积(cm~2)内通过结的光照区域的电子空穴对的数量,而这与接触势垒的高度有关。(3)在Ag/ZnO/Pt/Si结构上观察到无Forming过程的单极型阻变效应,其高阻态值的数量级在10~3?,低阻态的数量级在10?,操作电压在3 V左右。接着研究了限制电流、ZnO厚度、氧分压浓度等条件对Ag/ZnO/Pt/Si结构中单极型阻变效应的影响。接着我们在Ag/TaO_x/Pt结构中发现了超低操作电压的双极型电阻开关效应。而且Ag/TaO_x/Pt结构中的双极型电阻开关效应和阈值效应可以在限制电流的控制下相互转变。通过研究了晶粒尺寸与操作电压的关系,以及渝渗模型模拟了不同孔隙率情况下导电细丝的生长过程弄清其物理机制。这一工作对超低功耗存储器以及弄清阻变效应的内在机制都有比较重要的意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体结构论文参考文献
[1].李鹏,金峰.压电半导体结构中拉伸模态的求解与应用[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）.2018
[2].黄旭.半导体结构中侧向光伏效应与电阻开关效应研究[D].上海交通大学.2018
[3].胡敏.低维半导体结构中杂质态的研究[D].曲阜师范大学.2018
[4].杨传路,黎康宁,黄海财,王美山,马晓光.水解制氢团簇与半导体结构第一性原理研究[C].2017年第九届全国青年计算物理学术会议论文集.2017
[5].胡敏,王海龙.平面波展开法在低维半导体结构中的应用[C].2017年第九届全国青年计算物理学术会议论文集.2017
[6].刘建军.压电半导体结构中的几类典型导波[D].西安理工大学.2017
[7].赵阳阳.高温温差发电半导体结构设计及其疲劳寿命分析[D].燕山大学.2017
[8].闫阳.压电半导体结构的数值模拟[D].郑州大学.2017
[9].王雪松.多孔纳米金属氧化物半导体结构设计及其传感器应用[D].吉林大学.2017
[10].周沛奇.纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究[D].上海交通大学.2017