导读:本文包含了晶体管参数提取论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:场终止型绝缘栅双极晶体管,双极扩散方程,物理模型
晶体管参数提取论文文献综述
陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰[1]（2019）在《1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.(本文来源于《电子学报》期刊2019年02期）
张傲,张译心,王博冉,高建军[2]（2018）在《110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）》一文中研究指出介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
陈文彬,何永阳,陈赞[3]（2018）在《金属氧化物薄膜晶体管电特性参数的提取》一文中研究指出采用磁控溅射法制备了底栅反交迭刻蚀阻挡型(ES)金属氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT),测试了TFT电流-电压特性曲线。根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法。在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场效应迁移率和阈值电压,定义了TFT的开态电流和关态电流,在TFT的亚阈值区分别采用线性拟合和一阶导数的方法提取了TFT的亚阈值摆幅。通过筛选测试条件和数据拟合范围,得到α-IGZO TFT线性区和饱和区场效应迁移率和阈值电压分别为6. 27 cm~2/V·s和7. 7 V;7. 24 cm~2/V·s和4. 3 V,α-IGZO TFT的开关比和亚阈值摆幅分别为109和272 m V/dec。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2018年11期）
魏锡雄[4]（2018）在《金属氧化物薄膜晶体管紧凑模型及参数提取的研究》一文中研究指出跟非晶硅(amorphous Silicon,a-Si)、多晶硅(ploy-Silicon,poly-Si)和有机薄膜晶体管相比,金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT)有着更高的载流子迁移率、更好的均匀性和弯曲性能及更低的沉积成本等优点。因此,MOTFT有着良好的应用前景,特别是在柔性电路和有源矩阵有机发光二极面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)上,发挥着越来越重要的作用。未来,MOTFT还将会应用到柔性射频识别电路(Radio Frequency Identification,RFID)、数字混合电路、可吸收的生物传感器等领域。为了推动MOTFT技术更好的发展,建立物理意义明确的紧凑模型必不可少。它能够让我们更好的理解器件电学特性和新型材料对TFT性能的影响,并最终辅助于集成电路的设计。本文的主要内容是基于MOTFT的器件特性,考虑界面电荷的影响,提出了一种界面和体内陷阱态密度(Density of States,DOS)提取方法。同时,提出一种接触电阻提取方法,即接触电压法。基于参数提取的结果,提出了基于表面势并考虑接触效应的MOTFT电流紧凑模型。MOTFT有源层中的陷阱态密度很大程度决定了器件的电学特性和稳定性,因此,提出一种基于物理的可靠的DOS提取方法必不可少。它不仅有助于理解器件特性,还有助于建立更精确的电流模型。金属氧化物带隙陷阱态主要由氧空位陷阱态,氧空位浅施主态,以及价带和导带的带尾态组成。本文考虑了界面电荷,提出了一种DOS提取方法。该方法把栅电容(C_g)等效成有源层电荷电容(C_s)和界面电荷电容(C_(it))并联后再与氧化层电容(C_(ox))的串联,它只需用到器件的C-V特性就可以把DOS提取出来,不仅简单,而且结果更加准确。本文将DOS提取结果代入到器件仿真软件中得到器件的I-V特性并跟实验数据做比较,两者吻合的很好。随着器件尺寸的不断缩小,接触电阻对器件的影响越来越大。特别是对于短沟道器件,接触电阻甚至会比沟道电阻还大。因此,准确的接触电阻提取对于器件建模有着重要的作用。本文提出了接触电压法,这种方法把沟道分成两部分:接触沟道和本征沟道。通过求解接触部分的压降(即接触电压V_c)进而得到接触电阻R_c。这种方法假设源端注入到有源层的电子是通过线性注入的形式来完成。基于上述的参数提取结果,考虑接触效应的影响,本文提出了一种基于表面势的漏电流模型,包括亚阈值区和开启区电流。因为考虑了接触效应,该模型可适用于不同沟道长度的器件。同时,该模型还适用于器件工作在简并状态下。因此,这是一个完整的,符合实际物理意义并能嵌入到电路仿真器中的漏电流模型。本文分别对不同沟道长度的器件进行表征,得到了器件的转移和输出特性曲线。通过跟实验数据比较发现:两者吻合的很好。综上所述,本文先提出DOS和接触电阻的提取方法,基于参数提取的结果建立了基于表面势并考虑接触效应的漏电流模型。通过和实验数据的比较,验证了参数提取方法和漏电流模型的有效性。(本文来源于《暨南大学》期刊2018-06-30）
于盼盼[5]（2018）在《90nm MOSFET晶体管微波建模与参数提取技术研究》一文中研究指出深亚微米MOSFET器件因其高性能、低功耗、高集成度及低成本在射频及微波集成电路中应用广泛。市场对于MOSFET器件更高集成度及更高操作频率的需求激发了CMOS技术的巨大进步。为了在集成电路射频CMOS集成电路中降低成本,缩短设计周期,提高成功率,建立精确的MOSFET晶体管器件模型是必不可少的环节。本论文主要针对深亚微米MOSFET晶体管的微波建模与参数提取技术展开了研究,研究内容及创新性研究成果如下:1)在MOSFET器件小信号等效电路模型建模过程中,提出了一种有效提取寄生串联电阻的新方法。该方法克服了传统的模型参数提取方法中由于忽略衬底寄生网络的影响从而造成提取的寄生电阻与频率相关这一问题,利用在截止偏置条件下测量的MOSFET器件S参数,在中频频率范围内精确提取了寄生串联电阻参数值。2)器件模型参数的提取和模型验证是基于仪器测量数据,而测量数据通常会有一定的测量误差,该测量误差最终将导致模型和参数提取的不准确性。本文详细介绍了S参数测量结果的不确定度来源,并对该不确定度进行了建模,同时推导了本征参数对测量S参数的灵敏度,将其与微波射频测试导致的不确定度相结合,最终得到了模型参数不确定度随频率变化的曲线,并根据该曲线推测了最佳参数提取频率范围。为了进一步为大信号模型提供可靠的模型参数值,同时本文对本征参数不确定度与偏置电压之间的关系进行了研究。3)对考虑了高频色散效应的MOSFET器件非线性等效电路模型进行了研究,建立了完整的大信号等效电路模型并以符号定义器件(SDD)模块形式嵌入到ADS软件中,同时对模型的有效性进行了验证。该模型在传统模型基础上作了如下修正:为了提高直流模型精确度,本文基于STATZ模型,提出了一种新的IV关系模型,该模型能够更精确的描述MOSFET器件在所有偏置条件下的电流特性;而后首次提出了高频色散效应在MOSFET晶体管中依然存在,并基于传统大信号模型在漏极加入RF电流源和分支电导来模拟MOSFET器件的色散效应;改进了饱和状态下的非线性电容公式。4)对MOSFET器件的噪声参数包括最佳噪声系数F_(mi) _n、最佳噪声电阻R_n、最佳源电导G_o _(pt)和最佳源电纳B_(opt)的分析表达式进行了推导。由于传统方法中仅考虑本征栅源电容、栅源电阻、跨导和输出导纳的影响而忽略了串联寄生电阻和衬底寄生效应,从而影响小尺寸硅基MOSFET器件的噪声特性。本文在Pospieszalski模型的基础上对四个噪声参数进行推导,与传统方法相比,本文在推导过程中考虑了寄生串联电阻和衬底效应,在没有任何假设或估计的基础上,给出了其分析表达式。(本文来源于《华东师范大学》期刊2018-05-20）
张傲,王博冉,张译心,高建军[6]（2018）在《110GHz异质结双极双极晶体管小信号模型参数提取》一文中研究指出本文介绍了一种可以用于110GHz的HBT小信号模型模型参数提取方法,该方法将直接提取和优化技术向结合。寄生元件由开路和短路测试结构获得,而寄生电阻利用优化技术获得。实验结果表明在2-110GHz频率范围内S参数吻合很好。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
项麟[7]（2018）在《金属氧化物薄膜晶体管SPICE模型参数提取及电路仿真》一文中研究指出随着便携式智能移动终端和相应的显示与传感技术的发展,人们对电子设备的小型化、轻便性、安全性有越来越高的期待,尖端产品中也出现了对传统的硅基薄膜晶体管(TFT)器件之外的需求。尤其是其中基于新型透明薄膜晶体管的玻璃基上的电路使得更多的人机交互方式得以集成到显示屏内。包括透明指纹识别在内的新技术已成为各大移动智能终端公司的战略发展方向之一。玻璃基上的透明电子技术的核心组成部分是拥有高半导体禁带宽度的金属氧化物薄膜晶体管。基于IGZO的薄膜晶体管器件已经被应用到有源矩阵显示屏电路中,但仍受限于低迁移率、对可见光敏感、性能漂移等问题。本论文的工作基础是我们课题组通过自主开发的工艺制备的氧化锌薄膜晶体管,具有良好的透明性、晶体管性能以及稳定性。要应用该器件来实现各种类型的数字或模拟电路,准确的SPICE模型是必不可少的,这也是本课题的主要研究目标。本课题的主要工作分为叁部分。首先是对现有薄膜晶体管的SPICE模型进行较详细的研究,包括非晶硅器件和低温多晶硅(LTPS)器件。这部分研究包括DC与AC的器件方程、方程中各个重要参数的物理意义以及其对于整体器件性能的影响。经研判后我们认为LTPS的薄膜晶体管SPICE模型可以运用到氧化锌器件中。其次,本课题对氧化锌薄膜晶体管器件的DC与AC曲线进行了实测。第叁部分结合了前两部分基础,运用LTPS的SPICE模型对实测的DC与AC曲线进行了数值拟合,并提取出了相应的SPICE参数。在这基础上对于基本的反相器电路以及环形振荡器电路进行了仿真,并与实测结果进行了比对,证实我们的SPICE建模已经可以实用于电路设计中。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-01-01）
朱媛媛[8]（2016）在《高电子迁移率晶体管建模及参数提取》一文中研究指出随着应用要求的提高,射频/微波电路的设计越来越复杂,使得电路设计者不得不依赖于计算机辅助设计软件(Computer Aided Design,CAD)来进行电路的设计和仿真。为了缩短设计周期和降低成本,提高电路一次设计的成功率,这就要求CAD软件能够提供快速、准确的晶体管模型,在此基础上才能够实现对电路性能的准确仿真。在射频/微波系统的设计中,高电子迁移率的晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)被广泛的应用于大信号非线性电路模块中,例如功率放大器、混频器等。然而,HEMT的非线性模型不够准确,尤其是对I-V特性高阶分量的预测,使得实物测试与设计优化结果存在一定差距。为了解决这个问题,本文以GaAs pHEMT为例,研究了其I-V非线性模型,主要内容如下:首先,本文建立了GaAs pHEMT的小信号等效电路模型。利用测试的直流和小信号S参数分步提取了模型中的14个参数,确定了模型中的寄生参数以及本征参数。最后通过对比多组偏置条件下的仿真与实测的S参数对模型进行了验证,为大信号模型的建立提供了基础。其次,本文提出了一种考虑了HEMT的输出电流I_(ds)及其高阶导数精度的非线性模型。该模型将整个研究区域划分为多个子区域,选择高精度的经典的HEMT大信号模型作为每个子区域内的模型,利用人工神经网络(Artificial Neural Network,ANN)输出函数的平滑性对不同区域进行平滑连接。最后,通过对pHEMT的I_(ds)及其高阶导数的建模验证了本文所提模型的精度。该方法也适用于其他工艺的HEMT的高阶导数建模。最后,本文提出了基于ANN的不同温度环境下HEMT的I_(ds)及其高阶导数的建模方法。将归一化的环境温度作为ANN的一个输入变量进行建模。为了验证该方法的有效性,本文建立了温度范围为-25℃~125℃的pHEMT非线性I-V模型,该模型保证了I_(ds)的高阶导数(至少到叁阶)具有较高的精度。此外,本文对比了Angelov模型与本文所提出的模型的I_(ds)高阶导数精度,结果表明本文提出的模型具有更高的准确度。(本文来源于《天津大学》期刊2016-11-01）
殷晓文,严利民,龚露鸣[9]（2016）在《基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取》一文中研究指出非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年10期）
沈溧[10]（2016）在《高电子迁移率晶体管微波建模与参数提取研究》一文中研究指出随着无线通信产业的爆炸性发展,作为第叁代微波有源器件的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),无论是在工作频率方面、增益方面还是效率方面都有着巨大的优势,被广泛应用于射频微波集成电路的设计中。为了提高微波集成电路在设计与加工过程中的成功率、降低集成电路的设计成本以及缩短其加工周期,建立精确的高电子迁移率晶体管器件模型是必不可少的环节。本论文主要针对高电子迁移率晶体管的微波建模与参数提取技术进行了研究,取得的创新性研究成果如下：1)提出了一种提取HEMT器件小信号等效电路模型参数的新方法。该方法克服了传统小信号模型参数提取方法假设器件完全物理对称这一限制,利用在两种不同偏置条件下测量的HEMT器件S参数,推导了寄生参数与比例因子的关系,精确提取了HEMT器件的本征参数。在该新方法的基础上,研究了HEMT器件栅极宽度这一关键物理尺寸与小信号等效电路模型参数的关系；2)对考虑了分布效应的AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路模型进行了研究,提出了一种使用半分析法提取小信号模型参数的方法。该方法将测试结构参数提取方法、反向截止条件参数提取方法与数值优化方法相结合,获得了符合物理意义的精确的小信号等效电路模型参数。在该方法的基础上,对HEMT器件本征参数的灵敏度进行了研究；3)提出了一种基于传统STATZ直流模型的AlGaN/GaN HEMT器件非线性直流模型。该模型考虑了漏极-源极电流和栅极-源极电压的非线性关系,该非线性关系分别使用多项式函数和指数函数来表征；在传统的二阶CURTICE模型的基础上,结合TOM III模型的优点提出了一种改进的CURTICE大信号模型,分别建立了AlGaN/GaN HEMT器件的电流模型和电容模型,并对微波商用软件中常用的大信号模型的精度进行了对比；4)对基于50Ω系统的噪声参数提取技术进行了研究,结合PUCEL噪声模型和POSPIESZALSKI噪声模型的优点,研究了栅极-漏极距离这一关键物理尺寸对AlGaN/GaN HEMT器件高频特性、噪声特性以及本征参数值的影响。最后使用建立的HEMT器件噪声等效电路模型设计了一款低噪声放大器并对HEMT器件测量环境进行了介绍。(本文来源于《华东师范大学》期刊2016-05-01）
晶体管参数提取论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体管参数提取论文参考文献
[1].陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰.1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取[J].电子学报.2019
[2].张傲,张译心,王博冉,高建军.110GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[3].陈文彬,何永阳,陈赞.金属氧化物薄膜晶体管电特性参数的提取[J].实验室研究与探索.2018
[4].魏锡雄.金属氧化物薄膜晶体管紧凑模型及参数提取的研究[D].暨南大学.2018
[5].于盼盼.90nmMOSFET晶体管微波建模与参数提取技术研究[D].华东师范大学.2018
[6].张傲,王博冉,张译心,高建军.110GHz异质结双极双极晶体管小信号模型参数提取[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[7].项麟.金属氧化物薄膜晶体管SPICE模型参数提取及电路仿真[D].浙江大学.2018
[8].朱媛媛.高电子迁移率晶体管建模及参数提取[D].天津大学.2016
[9].殷晓文,严利民,龚露鸣.基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取[J].半导体技术.2016
[10].沈溧.高电子迁移率晶体管微波建模与参数提取研究[D].华东师范大学.2016
标签：场终止型绝缘栅双极晶体管; 双极扩散方程; 物理模型;