导读:本文包含了基底温度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:TiN薄膜,磁控溅射,表征分析,工艺参数
基底温度论文文献综述
宋文斌,刘盛意,王志鹏,张颖[1]（2018）在《基底温度对磁控溅射法制备TiN薄膜性能的影响》一文中研究指出应用磁控溅射中的直流溅射于25℃、150℃、250℃、350℃、450℃下在P型硅(100)基底上生长Ti N薄膜,利用使用台阶仪、X射线衍射仪、原子力显微镜,分别测试不同基底温度下薄膜的电阻率、厚度、晶体结构、表面特征,结果表明随着温度的上升,表面均方粗糙度逐渐减小。且在350℃条件下,薄膜表面最光滑。从而证实了温度越高,薄膜的表面越优良。(本文来源于《信息记录材料》期刊2018年10期）
郝帅,崔碧峰,房天啸,王阳[2]（2018）在《基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响》一文中研究指出在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO_2、TiO_2和Al_2O_3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,叁种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO_2、TiO_2和Al_2O_3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1MPa。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2018年09期）
李煜溪,李艳宁,魏亚旭,吴森,胡春光[3]（2018）在《Al_2O_3(0001)邻晶面上基底温度对PTCDI-C_5岛分布的影响（英文）》一文中研究指出在α-Al_2O_3(0001)表面研究了N,N'-二戊基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C_5)薄膜形貌与基底温度之间的关系.在背景真空度低于6×10-7Pa的超高真空腔中,利用分子束外延方法在基底上生长标称厚度为0.6 nm的PTCDI-C_5薄膜,薄膜生长过程中的基底温度分别被控制在25℃、37℃和61℃.生长结束后,利用原子力显微镜(AFM)轻敲模式在大气环境下对薄膜形貌进行离线表征.AFM图像显示在Al_2O_3基底表面,PTCDI-C_5分子形成岛,而且PTCDI-C_5岛的排列与基底温度之间呈现一定关系.本文实验条件下,在25℃和37℃之间存在一个基底温度阈值.在薄膜生长过程中,当基底温度低于此温度阈值时,PTCDI-C_5岛在基底表面随机排列;相反,当基底温度高于此温度阈值时,PTCDI-C_5岛沿着Al_2O_3(0001)表面的台阶边缘分布.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2018年01期）
袁燕,杨丽珍,王正铎,张海宝[4]（2017）在《O2/Ar比和基底温度对HiPIMS制备ZnO薄膜结构和电学性能的影响》一文中研究指出本文采用高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)在玻璃基底上制备氧化锌薄膜,探索了O_2/Ar和基底温度对氧化锌结构与电学性能的影响。分别采用表面轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)对薄膜结构和表面进行了表征;采用霍尔效应测试仪对薄膜的电学性能进行测量。结果表明O_2/Ar对氧化锌的生长取向有重要影响:当O_2/Ar=14/80sccm时,氧化锌薄膜在(002)处有较好的取向,薄膜表面较平滑、载流子浓度较高。此外,通过时间分辨发射光谱测量发现O_2/Ar比对薄膜生长开始阶段中粒子(OI-777nm,ZnI-481nm,ArⅠ-783.5nm,ZnⅡ-747.8nm,ArⅡ-759nm)的产生、浓度和出现的顺序有重要影响,当O_2/Ar=14/80sccm时,不同于O_2/Ar=5/80,6/80,8/80sccm时的情况,OI出现的比ArⅡ早,载流子浓度较高。对基底温度对氧化锌薄膜结构和电学性能研究发现,随着基底温度的升高,氧化锌薄膜表面的粗糙度先升高再降低,载流子浓度和迁移率逐渐增大,电阻率逐渐减小。当基底温度达到400℃时,氧化锌薄膜的载流子浓度由10~(14)上升到10~(20)cm~(-3),迁移率达到8cm~2/Vs,电阻率由10~3降低为10~(-3)Ωcm。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
孙梦至,高劲松,李资政,杨海贵,王笑夷[5]（2016）在《基底温度对中阶梯光栅厚铝膜质量的影响》一文中研究指出大尺寸中阶梯光栅具有大孔径和极高的衍射级次,可以实现普通光栅难以达到的极高光谱分辨率。中阶梯光栅通常是利用刻划机在厚铝膜上刻划而成,所以制备大面积均匀性的高质量铝膜刻划基底是实现高性能大尺寸中阶梯光栅的关键因素。在较厚铝膜的制备工艺中,基底温度是至关重要的工艺参数。本文通过电子束热蒸发镀铝工艺在不同基底温度下制备了厚铝膜样品,并利用原子力显微镜、扫描电镜等手段从宏观和微观尺度详细分析了基底温度对铝膜质量的影响。铝膜平均晶粒尺寸从100℃时的264.34 nm增大到200℃时的384.97 nm和300℃时的596.35 nm,表面粗糙度Rq从100℃时的34.7 nm增长到200℃时的58.9 nm和300℃时的95.1 nm。结果表明,随着基底温度的升高表面粗糙度迅速增大,铝膜的表面质量严重退化。(本文来源于《中国光学》期刊2016年06期）
石彦彦,罗永春,张国庆[6]（2016）在《不同基底温度FeNiCoCrMn高熵合金薄膜的制备及耐腐蚀性能的研究》一文中研究指出用射频磁控溅射的方法分别在单晶Si(100)和304不锈钢基底上制备了FeNiCoCrMn高熵合金薄膜,利用EPMA、XRD、SEM和动电位极化测试,确定薄膜的成分并探讨不同基底温度下沉积的薄膜的相结构、膜厚、形貌以及耐腐蚀性能规律。研究表明:高熵合金薄膜的成分与高熵合金靶材的成分一致,组成元素接近等摩尔比,且薄膜成分均匀;基底温度为100、200、300℃沉积的薄膜为非晶结构,基底温度为400、500℃沉积的薄膜为晶体结构;随着基底温度的升高,薄膜的厚度变薄,薄膜表面颗粒越来越大,横截面柱状组织越来越明显;由动电位极化测试的结果得出不同衬底温度沉积的高熵合金薄膜在1mol/L H2SO4溶液中的耐腐蚀性都优于304不锈钢,且随着衬底温度的升高,薄膜的耐腐蚀性能降低,其中100℃沉积的薄膜的耐腐蚀性能最优。(本文来源于《金属功能材料》期刊2016年04期）
董美伶,崔秀芳,王海斗,朱丽娜,金国[7]（2016）在《不同基底温度对Ti薄膜表面形貌及残余应力的影响（英文）》一文中研究指出采用纳米压痕法中的Suresh模型和Lee模型研究不同基底温度对直流磁控溅射制备的Ti薄膜中残余应力大小及分布的影响。将压痕法计算结果与曲率法结果进行比较研究,同时采用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ti薄膜的表面形貌及相结构进行分析。结果表明:Suresh模型计算得到的Ti薄膜残余应力值与曲率法结果最为接近,因此Suresh模型更适合测量Ti薄膜中的残余应力。结合纳米压痕和显微结构的分析发现,随着Ti薄膜基底温度的升高,Ti薄膜的晶粒尺寸先增大后变小,残余应力则从压应力转变为拉应力。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2016年04期）
刘方,杨崇民,张建付,刘永强,刘青龙[8]（2015）在《基底温度对制备硫化锌和锗薄膜光学参数的影响》一文中研究指出硫化锌(ZnS)和锗(Ge)是红外波段最常用的两种光学薄膜材料。探宄不同基底温度对这两种材料的折射率和实际沉积物理厚度的影响,对于提升光学薄膜的品质具有重要作用。在一定的本底真空度、监控厚度和蒸发速率下,用热蒸发沉积硫化锌(ZnS)薄膜材料,用离子源辅助电子束沉积方式蒸发沉积锗(Ge)薄膜材料,设定不同温度制备样品。用分光光度计测量各试验片光谱透过率,依据薄膜光学相关理论,计算各不同基底温度下所镀制的薄膜透过率和实际沉积物理厚度。通过对实验结果的计算和分析发现,随着温度的升高硫化锌(ZnS)薄膜和锗(Ge)薄膜的折射率相应升高,而实际沉积的膜厚减少。(本文来源于《第七届高性能特种光学薄膜技术及应用学术研讨会论文集》期刊2015-11-18）
陈永庆,张陈涛,张建寰[9]（2015）在《激光化学气相沉积石墨烯的基底温度场仿真》一文中研究指出为了分析激光化学气相沉积制备石墨烯过程中催化剂基底的静态和动态温度场分布与各个实验参量之间的关系,采用基于ANSYS软件建立有限元分析模型和加载532nm激光热源模型的方法,取得了不同实验参量影响下基底温度场分布和达到反应温度所需时间的数据。结果表明,在基底材料属性、激光功率大小、基底面积尺寸、聚焦光斑直径、反应气体流量的影响下,基底静态温度场的分布与达到反应温度所需时间均不同,可作为制备高质量石墨烯实验的参考依据。采用波长为532nm、功率为3W、聚焦光斑直径为50μm、移动速率为1mm/s的连续型激光器,以镍箔为基底材料,在标准状态下甲烷和氢气流量分别为10m L/min和5m L/min条件下仿真得到的动态温度场符合激光化学气相沉积法制备图案化石墨烯的生长机理。(本文来源于《激光技术》期刊2015年05期）
钱星[10]（2015）在《非晶合金薄膜力学性能与基底温度效应》一文中研究指出1960年Duwez在对Au-Si合金进行研究时意外地发现,在快速冷却的条件下,合金凝固后形成了长程无序的结构,也就是所谓的非晶合金,而在此之前固态金属合金的结构都被认为是有序的。然而,由于形成非晶合金需要的冷却速度很快,一般都在104-106K/s以上,这往往意味着可以合成的非晶合金的尺寸都比较小,很难进行实际应用。在1980年代,Turnbull发现Pd-Ni-P在10 K/s的冷却速度下可以生长出厘米级的玻璃锭,意味着金属玻璃具有了可以投入实际应用的希望与可能。1995年,东京大学的Inoue(井上明久)提出了叁条经验性规律以用来寻找具有更大玻璃形成能力的非晶合金。在Inoue的观点指导下以及在其他研究人员的努力非晶合金的尺寸不断提高,到今天为止,世界上开发出来的最大的非晶合金尺寸已经达到了80 mm。另一方面非晶合金薄膜相比较于大块非晶合金具有尺寸小,冷却速度快,结构松散等特点,在涂层领域有着广阔的应用前景。在本论文的工作中,我们使用直流磁控溅射制备出了W-Ru-B、Cu-Zr、 Zr-Cu-Ni-Al和La-Co-Al四种种金属玻璃薄膜,主要利用纳米压痕技术对其第一个分离点的载荷进行了统计,并系统地研究了剪切转变区域的激活能以及尺寸与剪切屈服应变之间可能存在的关系,得到的结论是：除了Cu-Zr非晶合金薄膜外,其他所有成分的样品都呈现出单模分布,Cu-Zr非晶合金薄膜呈现出双模分布；剪切转变区域所需要的激活能越大,则剪切屈服应变也越大。同时,我们在不同的基底温度下制备出了Ni-Nb非晶合金薄膜,并研究了基底温度对Ni-Nb金属玻璃薄膜的影响,发现随着基底温度的升高,Ni-Nb金属玻璃薄膜的表面粗糙度和断面的柱状结构尺寸也随之增大,另外也发现薄膜的杨氏模量和密度也与基底温度成正比关系。(本文来源于《浙江大学》期刊2015-07-03）
基底温度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO_2、TiO_2和Al_2O_3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,叁种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO_2、TiO_2和Al_2O_3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1MPa。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基底温度论文参考文献
[1].宋文斌,刘盛意,王志鹏,张颖.基底温度对磁控溅射法制备TiN薄膜性能的影响[J].信息记录材料.2018
[2].郝帅,崔碧峰,房天啸,王阳.基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响[J].激光与光电子学进展.2018
[3].李煜溪,李艳宁,魏亚旭,吴森,胡春光.Al_2O_3(0001)邻晶面上基底温度对PTCDI-C_5岛分布的影响（英文）[J].纳米技术与精密工程.2018
[4].袁燕,杨丽珍,王正铎,张海宝.O2/Ar比和基底温度对HiPIMS制备ZnO薄膜结构和电学性能的影响[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
[5].孙梦至,高劲松,李资政,杨海贵,王笑夷.基底温度对中阶梯光栅厚铝膜质量的影响[J].中国光学.2016
[6].石彦彦,罗永春,张国庆.不同基底温度FeNiCoCrMn高熵合金薄膜的制备及耐腐蚀性能的研究[J].金属功能材料.2016
[7].董美伶,崔秀芳,王海斗,朱丽娜,金国.不同基底温度对Ti薄膜表面形貌及残余应力的影响（英文）[J].稀有金属材料与工程.2016
[8].刘方,杨崇民,张建付,刘永强,刘青龙.基底温度对制备硫化锌和锗薄膜光学参数的影响[C].第七届高性能特种光学薄膜技术及应用学术研讨会论文集.2015
[9].陈永庆,张陈涛,张建寰.激光化学气相沉积石墨烯的基底温度场仿真[J].激光技术.2015
[10].钱星.非晶合金薄膜力学性能与基底温度效应[D].浙江大学.2015