本文主要研究内容
作者王驰,卢伊伶,祝大龙,刘德喜（2019）在《基于硅基MEMS工艺的X频段三维集成射频微系统》一文中研究指出：基于硅基MEMS工艺的宽带射频收发微系统在实现武器装备小型化的过程中具有十分重要的意义。将GaAs多功能芯片、MEMS滤波器等多种工艺制成的射频器件集成到硅晶圆上,利用TSV及晶圆级键合工艺实现一个X频段的射频前端。射频前端包括收发两部分功能,利用它可以实现零中频变频功能及数控衰减功能。其三维结构尺寸为25mm×18mm×1mm,仅为分立器件搭建的射频前端的1/8。测试结果表明,接收部分在通带内增益大于35dB,噪声系数小于6dB,1dB压缩点大于0dBm;发射部分在通带内增益大于9dB。与分立器件搭建的X频段射频前端相比,基于硅基MEMS工艺的射频前端在输出信号IQ一致性上有很大程度的提高,且样品各性能指标符合设计预期,验证了设计的正确性和可行性。
Abstract
ji yu gui ji MEMSgong yi de kuan dai she pin shou fa wei ji tong zai shi xian wu qi zhuang bei xiao xing hua de guo cheng zhong ju you shi fen chong yao de yi yi 。jiang GaAsduo gong neng xin pian 、MEMSlv bo qi deng duo chong gong yi zhi cheng de she pin qi jian ji cheng dao gui jing yuan shang ,li yong TSVji jing yuan ji jian ge gong yi shi xian yi ge Xpin duan de she pin qian duan 。she pin qian duan bao gua shou fa liang bu fen gong neng ,li yong ta ke yi shi xian ling zhong pin bian pin gong neng ji shu kong cui jian gong neng 。ji san wei jie gou che cun wei 25mm×18mm×1mm,jin wei fen li qi jian da jian de she pin qian duan de 1/8。ce shi jie guo biao ming ,jie shou bu fen zai tong dai nei zeng yi da yu 35dB,zao sheng ji shu xiao yu 6dB,1dBya su dian da yu 0dBm;fa she bu fen zai tong dai nei zeng yi da yu 9dB。yu fen li qi jian da jian de Xpin duan she pin qian duan xiang bi ,ji yu gui ji MEMSgong yi de she pin qian duan zai shu chu xin hao IQyi zhi xing shang you hen da cheng du de di gao ,ju yang pin ge xing neng zhi biao fu ge she ji yu ji ,yan zheng le she ji de zheng que xing he ke hang xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自遥测遥控的王驰,卢伊伶,祝大龙,刘德喜，发表于刊物遥测遥控2019年03期论文，是一篇关于射频微系统论文,工艺论文,微型化论文,遥测遥控2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自遥测遥控2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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