导读:本文包含了陶瓷表面金属化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:表面金属化,Mo-Ni-Si涂层,SiC陶瓷,润湿
陶瓷表面金属化论文文献综述
赵叁团,张相召,刘桂武,Valenza,Fabrizio,Muolo,Maria,Luigia[1]（2018）在《陶瓷表面Mo-Ni-Si金属化及其与Ag的润湿性研究（英文）》一文中研究指出采用真空熔烧工艺在SiC陶瓷表面制备了3种化学成分的Mo-Ni-Si金属化涂层,研究了涂层的相组成和涂层/SiC陶瓷界面的微结构。通过座滴法实验考察了纯Ag在SiC 陶瓷涂层上的润湿与铺展特性,分析和讨论了Ag/金属化SiC陶瓷体系的界面行为。结果表明,该金属化涂层主要由Mo_5Si_3、MoSi_2、Ni_2Si、NiSi_2和MoNiSi组成,同时随着涂层中Mo金属由20%增加至40% (摩尔分数),位于涂层表面的具有四方结构的MoSi_2晶粒逐渐消失。Ag对Mo20-Ni32-Si48、Mo30-Ni28-Si42、Mo40-Ni24-Si36金属化SiC陶瓷在1000℃保温30min后对应的最终接触角分别为45°,79°和85°,该结果与Ag滴和3种Mo-Ni-Si涂层之间的相互作用密切相关。同时,在润湿试验前后,在Mo-Ni-Si涂层/SiC衬底界面没有发现明显的反应层。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年03期）
秦典成,李保忠,肖永龙,张军杰[2]（2017）在《陶瓷基板表面金属化研究现状与发展趋势》一文中研究指出散热基板是大功率电子元器件散热的重要通道,其导热性能将直接影响功率型电子元器件的可靠性与使用寿命。详细介绍了陶瓷作为高导热的散热基板材料,其表面金属化的技术方案及发展现状,同时指出了各种金属化方案的关键技术难点,对比分析了各类陶瓷封装散热基板的特点与性能差异,并在此基础上对陶瓷基板的发展趋势进行预测。(本文来源于《材料导报》期刊2017年S2期）
陈征,赵兴科[3]（2018）在《致密ZrO_2陶瓷板表面金属层的熔盐电解法制备》一文中研究指出致密ZrO_2陶瓷具有良好高温强度、耐磨性,以及导电、导热特性,而致密ZrO_2陶瓷板的表面金属化是改善其与金属间的钎焊润湿性,促进其应用的重要途径。熔盐电解法是一种通过加载电压直接将金属从其氧化物中还原实现金属冶炼的方法。在Ca Cl2-Na Cl混合熔盐中,以致密ZrO_2陶瓷板为阴极,石墨为阳极,在850℃,3.1 V电压条件下对致密ZrO_2陶瓷板进行电解,表面原位生成致密的锆金属层。采用X射线衍射(XRD)研究了不同电解时间、不同表层深度的物相组成,并计算分析表层不同深度电解产物的含量。结果显示,ZrO_2的电解脱氧冶金反应由外向内进行,形成ZrO_2,Zr3O和Zr共存的电解脱氧层。随电解时间增加,脱氧层的深度增加,表面氧含量减小。当电解时间超过8 h,在致密ZrO_2陶瓷板表面形成锆金属层。初步探讨了熔盐电解法机制,提出氧化锆陶瓷表面氧的离子化是受到了强制双电层吸引的设想。(本文来源于《稀有金属》期刊2018年02期）
郭燕龙[4]（2017）在《Al_2O_3陶瓷表面金属图形化制备及其应用研究》一文中研究指出表面金属化的陶瓷因具有优良的导电、导热及稳定特性,可广泛应用于电子信息、航天航空、汽车工业等领域中。目前,陶瓷金属化的方法主要有丝网印刷法、磁控溅射法、直接覆铜法、化学镀法,这些制备方法尚存在工艺流程繁琐、污染环境、难以大规模生产等。本论文采用喷墨印制和选择性化学镀相结合的方法在Al_2O_3陶瓷表面制备图形化金属导电层,该方法具有工序简单、高效环保、易批量化等优点,为实现陶瓷金属化应用提供了一种行之有效的方法。本论文主要研究内容如下:对陶瓷表面进行预处理,探讨了预处理对陶瓷表面微观形貌、接触角、粗糙度的影响,结果表明预处理有效提高了金属铜层与陶瓷基材的结合强度;研究了催化功能墨水的理化特性,表明墨水具有良好的储存稳定性以及喷印可适性,且在陶瓷表面具有良好浸润铺展特性。调控喷墨印制技术参数,可在Al_2O_3陶瓷基上形成预设图形,经低温固化后获得对后续金属铜层生长具有催化作用的种子图层。在具有催化种子层的陶瓷基材上,采用选择性化学镀法实现金属铜层的生长。研究了不同参数对铜层形貌、方阻、晶体结构及沉积速率的影响,得到铜层生长的优化技术参数为:C_4H_4O_6KNa(24 g/L),EDTA·2Na(3 g/L),CuSO_4·5H2O(8 g/L),NiSO_4·6H2O(2 g/L),K4Fe(CN)6(15 mg/L),2-MBT(1.0 mg/L),HCHO(14 mL/L),pH为13.0,沉积温度和时间分别为45°C和30 min。对Al_2O_3陶瓷基上所制备的金属铜层进行分析表征,结果表明:铜层均匀致密,铜层中仅观测到铜元素且铜层具有优良的结晶性;铜层具有优良的导电性,其电阻率低至2.42μΩ·cm(仅为块材铜的1.4倍);在0-125°C及室温储存条件下测试金属铜层的电阻变化率,结果表明其具有良好的环境适应性和储存可靠性;可焊性和附着力测试结果表明,铜层具有优良的可焊性及可靠的附着特性,其与基板的结合强度达到6.4 N/mm~2。电镀加厚铜层,在电流密度为2 A/dm~2和电镀时间为30 min条件下,铜层厚度达到约14μm。将金属图形化的陶瓷基板应用于大功率LED散热基板,采用正向电压法得到LED工作时的电压-温度系数为-0.87 mV/°C,结温约为67°C,热阻约为17.5 K/W,表明经本论文技术进行金属化后的陶瓷基板可用于大功率LED陶瓷封装基板。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-03-01）
侯俊[5]（2016）在《AIN陶瓷表面金属化的研究》一文中研究指出本论文采用磁控溅射法在AlN陶瓷表面沉积上一层不同厚度的Ti金属层,随后使用电化学沉积法在Ti金属表面沉积上一层Cu金属层,使叁层物质之间紧密结合,并在Ar气氛中在500-700℃之间进行热处理,实现AlN陶瓷表面Cu金属化。研究分析了Cu/Ti结合规律、Ti在AlN陶瓷表面沉积方式和AlN/Ti/Cu结合性能的影响因素。结果表明:(1)当保温时间相同时,随着保温温度的升高,Cu与Ti之间的结合越来越紧密,Cu与Ti之间的扩散反应层由500℃保温1h的几乎不可见增加到700℃保温1h的3.75μm,扩散反应层中产生的相也由最初的CuTi一相增加到700℃的5相,其中包括Cu_4Ti_3、Cu_3Ti_2、CuTi、CuTi_2和CuTi_3,而CuTi依然产生最早,Cu/Ti结合的抗拉强度也随着温度的增加而增强,侧面反应了其中间层结合强度增强,但其脆性也随之增加。当温度低于500℃时,Cu与Ti的将难以结合。(2)当保温温度相同时,随着保温时间的增加,Cu与Ti之间的结合越来越紧密,其中间层厚度明显增加,在保温温度为600℃和650℃的样品在保温时间延长到5h和6h后,厚度分别由保温时间为1h的2.25μm和3μm增加到3.6μm和4.5μm左右,且都检测出了新相Cu_3Ti和Cu_4Ti,但是其中CuTi产生最早,而其增加的相只是原有的相的含量达到XRD检测的最低限度,Cu/Ti结合件的抗拉强度也随着时间的增加而增强,侧面反应了其中间层的硬度增强,但其脆性也随之增加。(3)在一定的溅射工作功率(145W)时,Ti在AlN陶瓷表面先成核形成小岛状点,随后小岛长大合并成大岛状,之后岛状物在相连,形成带状覆盖在陶瓷表面,然后带状不断扩张相连,形成完整的Ti覆盖层,溅射时间越长,至少要30min以上才能得到连续的Ti沉积层,其Ti沉积层越厚且越均匀连续,但是Ti层过厚会导致AlN陶瓷与金属之间的中间层过厚,影响结合件的导热性能。(4)在AlN/Ti沉积件进行热处理的过程中,AlN基体会与Ti产生反应,这个反应是从陶瓷与金属的连接处开始进行的,在相同的保温时间的情况下,保温温度越高会导致反应物区域越厚,在Ti沉积层厚度为1.7μm左右时,样品在700℃下保温1h后,AlN陶瓷基体与Ti的反应产物将覆盖整个Ti金属层,从而反应产生的产物将会开始影响到样品Ti一侧的表面形貌,其反应产生的产物主要为TiN和TiO_2,其中TiN为AlN与Ti直接反应的产物,而TiO_2这是通过Ti与AlN陶瓷烧结时添加的烧结助剂中的O反应产生的。(5)AlN/Ti/Cu结合样品中,通过Ti同时与Cu反应产生Cu/Ti金属间化合物以及与AlN陶瓷反应产生TiN而得到结合良好的样品,随着保温温度的提高,其界面反应越随之加强。(6)由于在制备样品或者热处理的过程中,处在Cu/Ti界面处的Ti产生氧化物,导致Ti与Cu分离,经过热处理后导致AlN/Ti/Cu结合件表面鼓泡产生,通过消除减少氧化物的产生可以减少鼓泡的发生。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2016-10-01）
吕平,彭家根,邹桂娟[6]（2016）在《金属化后陶瓷表面“红点”问题的研究》一文中研究指出利用SEM/EDS(扫描电镜/电子能谱)、XPS(X射线光电子能谱)结合机械截面样品制备方法,对Al_2O_3陶瓷金属化后表面出现的"红点"进行研究。利用SEM对陶瓷"红点"区域的形貌进行分析,利用XPS、EDS对表面元素成分及价态进行分析,利用SEM/EDS、结合机械截面样品制备方法对杂质元素的深度分布进行分析。结果表明红点区域有明显结构缺陷,致色元素主要为Cr~(3+)。此外,还探讨了氧化铝陶瓷表面红点的显色机理。最后,通过模拟实验研究了一些工艺环节对杂质引入的影响。(本文来源于《真空》期刊2016年03期）
高登明[7]（2016）在《Al_2O_3陶瓷表面铜金属化的研究》一文中研究指出本论文采用电化学沉积法在不同pH值条件预先在Cu箔表面沉积制备一层Cu_2O薄膜,随后将Cu箔具有Cu_2O一侧与Al_2O_3陶瓷紧密结合,并在N_2氛围下加热至1075℃,实现Al_2O_3陶瓷表面覆Cu金属化。研究分析了Cu_2O薄膜微观形貌及Cu/Al_2O_3结合强度的影响因素。结果表明:⑴当电沉积溶液pH值在9-12之间变化时,Cu_2O薄膜的微观形貌随之发生变化。溶液pH通过影响Cu_2O晶粒的择优取向让晶粒尺寸从相对较小、较致密均匀的四面体转变为叁棱柱,及晶粒尺寸较大、不规则的叁面体;且Cu_2O薄膜的微观形貌会影响Cu_2O/Cu的结合强度。当溶液pH值为9、11、12时,Cu_2O/Cu的结合强度从4950mN下降到4712 m N、3935m N。⑵电流密度的改变会影响Cu_2O晶粒的择优取向,但相对于pH值影响较小;电流密度增大可以提高电沉积反应速率,但此时的Cu_2O薄膜中有单质Cu杂质生成;Cu_2O薄膜主要以岛状方式生长,电沉积时间越长,Cu_2O薄膜越厚,薄膜表面越均匀连续。但Cu_2O薄膜过厚会影响Cu_2O/Cu的结合强度。⑶随着电沉积制备Cu_2O薄膜溶液的pH值增大,DBC共晶反应后Cu/Al_2O_3的结合强度降低。主要原因:(1)电沉积制备Cu_2O薄膜时,溶液的pH值会影响Cu_2O/Cu的结合强度,随着电解液的pH值增大,Cu_2O/Cu的结合强度逐渐降低。Cu_2O/Cu的结合强度会间接影响Cu/Al_2O_3的结合强度;(2)当电沉积溶液pH值增大时,Cu_2O薄膜的微观形貌变的不均匀致密,Cu/Al_2O_3界面的空隙增大,在DBC过程中N_2或O_2滞留在空隙中形成界面孔洞。空隙越大,Cu/Al_2O_3界面孔洞的数量及直径将会增加,即Cu/Al_2O_3界面的实际结合面积随着pH增大而减小,结合面积的减小必然降低Cu/Al_2O_3的结合强度。⑷Cu/Al_2O_3界面无规则的小孔洞主要是由于共晶反应完成后还有大量剩余的Cu_2O颗粒滞留在Cu/Al_2O_3界面层而形成的;而规则球形大孔洞主要为共晶反应中引入的保护气体如N_2、Ar以及在高温、低氧分压条件下Cu_2O分解产生O_2而形成;针对界面孔洞产生的原因,提出了一种减少界面孔洞的工艺。⑸将热氧化法和电沉积法制备的Cu_2O/Cu与Al_2O_3基板共晶结合,后者的结合强度更大。⑹DBC共晶反应产物生成速度极其缓慢。当保温时间较短时,Cu/Al_2O_3界面反应产物主要为CuAlO_2、CuAl_2O_4的混合物,且界面无明显的结合层;将保温时间延长至7h时,界面只存在CuAlO_2相,CuAl_2O_4相几乎消失,但界面可观察到1μm左右不连续的结合层产物。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2016-04-01）
冯抗屯,肖细军,陈小虎,魏东博,魏祥飞[8]（2015）在《300M钢表面金属陶瓷涂层的制备工艺及性能研究》一文中研究指出为推进金属陶瓷涂层在飞机起落架表面防护技术中更广泛的应用,制备了IPcote 9183和IPcote 9184两种金属陶瓷涂层并进行了微观组织、力学性能和防腐性能的研究,同时与传统电镀镉钛涂层进行了对比分析。结果表明,IPcote 9183和IPcote 9184金属陶瓷涂层的最佳制备工艺分别为叁次喷涂叁次表干以及一次固化(叁喷叁表一固),两次喷涂两次表干以及一次固化(两喷两表一固);与传统电镀镉钛相比,两种金属陶瓷涂层具有良好的综合力学性能;IPcote 9184涂层硬度最高,是IPcote 9183涂层的7倍,电镀镉钛涂层的4倍;IPcote 9183弹性模量最好,IPcote 9184次之,电镀涂层最差;IPcote 9183的结合强度是电镀层的4倍。电镀镉钛试样和IPcote 9184,9183共同涂覆的试样表面在720h中性盐雾试验中未出现明显的锈蚀痕迹。(本文来源于《南京航空航天大学学报》期刊2015年05期）
宁晓山,刘洋,毕娜,李莎,王波[9]（2015）在《氧化铝陶瓷表面金属化新方法》一文中研究指出由于铝与氧化铝陶瓷的润湿性很差,铝与氧化铝陶瓷的连接十分困难。本文采用热浸镀铝工艺,将陶瓷插入熔融铝液中定向移动后移出,可以在陶瓷表面形成一层厚度为数微米的铝膜。在热浸镀工艺中,通过调整热浸镀炉内气氛中的氧含量,可以防止界面氧化以及降低铝液表面能。使用高分辨透射电镜观察铝膜和陶瓷的连接界面,发现界面处无非晶态氧化层,铝在氧化铝表面外延生长。研究表明,热浸镀工艺中的低氧富铝环境会导致氧化铝表面发生重构,促进了氧化铝-铝体系的润湿。(本文来源于《电子陶瓷和封闭工艺专辑》期刊2015-09-13）
宁晓山,刘洋,毕娜,李莎,王波[10]（2015）在《氧化铝陶瓷表面金属化新方法》一文中研究指出由于铝与氧化铝陶瓷的润湿性很差,铝与氧化铝陶瓷的连接十分困难。本文采用热浸镀铝工艺,将陶瓷插入熔融铝液中定向移动后移出,可以在陶瓷表面形成一层厚度为数微米的铝膜。在热浸镀工艺中,通过调整热浸镀炉内气氛中的氧含量,可以防止界面氧化以及降低铝液表面能。使用高分辨透射电镜观察铝膜和陶瓷的连接界面,发现界面处无非晶态氧化层,铝在氧化铝表面外延生长。研究表明,热浸镀工艺中的低氧富铝环境会导致氧化铝表面发生重构,促进了氧化铝-铝体系的润湿。(本文来源于《真空电子技术》期刊2015年04期）
陶瓷表面金属化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
散热基板是大功率电子元器件散热的重要通道,其导热性能将直接影响功率型电子元器件的可靠性与使用寿命。详细介绍了陶瓷作为高导热的散热基板材料,其表面金属化的技术方案及发展现状,同时指出了各种金属化方案的关键技术难点,对比分析了各类陶瓷封装散热基板的特点与性能差异,并在此基础上对陶瓷基板的发展趋势进行预测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
陶瓷表面金属化论文参考文献
[1].赵叁团,张相召,刘桂武,Valenza,Fabrizio,Muolo,Maria,Luigia.陶瓷表面Mo-Ni-Si金属化及其与Ag的润湿性研究（英文）[J].稀有金属材料与工程.2018
[2].秦典成,李保忠,肖永龙,张军杰.陶瓷基板表面金属化研究现状与发展趋势[J].材料导报.2017
[3].陈征,赵兴科.致密ZrO_2陶瓷板表面金属层的熔盐电解法制备[J].稀有金属.2018
[4].郭燕龙.Al_2O_3陶瓷表面金属图形化制备及其应用研究[D].电子科技大学.2017
[5].侯俊.AIN陶瓷表面金属化的研究[D].浙江工业大学.2016
[6].吕平,彭家根,邹桂娟.金属化后陶瓷表面“红点”问题的研究[J].真空.2016
[7].高登明.Al_2O_3陶瓷表面铜金属化的研究[D].浙江工业大学.2016
[8].冯抗屯,肖细军,陈小虎,魏东博,魏祥飞.300M钢表面金属陶瓷涂层的制备工艺及性能研究[J].南京航空航天大学学报.2015
[9].宁晓山,刘洋,毕娜,李莎,王波.氧化铝陶瓷表面金属化新方法[C].电子陶瓷和封闭工艺专辑.2015
[10].宁晓山,刘洋,毕娜,李莎,王波.氧化铝陶瓷表面金属化新方法[J].真空电子技术.2015
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