本文主要研究内容
作者许春辉,杨平（2019）在《Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究》一文中研究指出：采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理,研究了不同掺杂浓度下钼（Mo）掺杂SnO2的能带结构、电导率、吸收和反射率。建立了MoxSn1-xO2的三种掺杂模型（x=0.062 5,0.125,0.187 5）,掺杂体系具有高电导率、高载流子密度和宽带隙的n型金属特征。随着掺杂浓度的增加,掺杂体系的带隙增加,电导率降低。Mo掺杂后,可见光区域的高透射性得以保留。特别地,在x=0.062 5时实现了Mo掺杂SnO2的最佳电导率和光学性能。
Abstract
cai yong ji yu mi du fan han li lun （DFT）de di yi xing yuan li ,yan jiu le bu tong can za nong du xia mu （Mo）can za SnO2de neng dai jie gou 、dian dao lv 、xi shou he fan she lv 。jian li le MoxSn1-xO2de san chong can za mo xing （x=0.062 5,0.125,0.187 5）,can za ti ji ju you gao dian dao lv 、gao zai liu zi mi du he kuan dai xi de nxing jin shu te zheng 。sui zhao can za nong du de zeng jia ,can za ti ji de dai xi zeng jia ,dian dao lv jiang di 。Mocan za hou ,ke jian guang ou yu de gao tou she xing de yi bao liu 。te bie de ,zai x=0.062 5shi shi xian le Mocan za SnO2de zui jia dian dao lv he guang xue xing neng 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自半导体光电的许春辉,杨平，发表于刊物半导体光电2019年04期论文，是一篇关于第一性原理论文,电子结构论文,光学性质论文,电导率论文,半导体光电2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自半导体光电2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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