导读:本文包含了气相反应法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:准气相反应法,介孔ZrO_2球形颗粒,钇稳定,表征
气相反应法论文文献综述
卢虎[1]（2011）在《介孔ZrO_2及Y_2O_3稳定ZrO_2球形颗粒的准气相反应法合成与表征》一文中研究指出氧化锆是唯一一种同时具有表面酸性与碱性中心的材料,再加上其良好的离子交换和电荷传导等性能,从而使其成为一种理想的多功能催化剂。随着介孔氧化锆的合成及表征技术的发展,介孔氧化锆材料的应用范围也越来越广,就如,光致发光材料、催化剂及载体、药物可控释放、水处理吸附材料、色谱柱填料等。本论文采用准气相反应法进行介孔氧化锆及钇稳定介孔氧化锆的合成,并通过SEM、TEM、XRD、TG/DTA、N2吸—脱附、激光粒度仪等对颗粒各方面性能进行了测试表征。本工作首先进行了准气相反应法装置与工艺的改进：于收集器进料管出口处增设筛孔、加粗反应器、并在反应器出口管段增设真空表、对雾化器封盖处密封并增设流量计、并对收集所得悬浮液进行陈化处理。通过以上改进后,合成反应条件及反应结果趋于稳定。其次,再通过正交实验(L1837)确定了合成氧化锆前驱物球形颗粒的较佳工艺条件：WZrOCi2·H2O=30%、QNH3=60L/h、P真空=0.02MPa、Qair/QNH3=1、陈化3d。在此较佳条件下合成出的氧化锆前驱物颗粒为光滑的球形颗粒,平均粒径约4μm且无明显空心球存在。再由正交实验结果分析知,对实验结果影响最大的工艺条件是氯氧化锆溶液的浓度,在正交实验条件范围内,氨气流量和真空度对实验结果的影响相对较小。通过对前驱物球形颗粒进行水热处理和室温干燥后煅烧,获得了氧化锆微粉。其中常温干燥后进行煅烧的结果较好——颗粒仍保持球形,且破碎颗粒也较少。最后,采用合成氧化锆的较佳实验条件并进行介孔钇稳定氧化锆球形颗粒的合成,掺杂量分别为1.5mol% Y2O3 (ZrYO系列)和3mol%Y2O3 (ZrOY系列),采用干燥后煅烧的方式进行前驱物的后处理。由TG/DTA、XRD、SEM、TEM及氮气吸—脱附的表征可知,两系列的ZrO_2/Y2O_3颗粒均为球形且无明显空心现象,500-1200℃煅烧后晶相组成以四方相为主,比表面积为34.3887m2/g(600℃煅烧后)。(本文来源于《北京交通大学》期刊2011-06-01）
付志强,唐春和,梁彤祥[2]（2005）在《用化学气相反应法在石墨基体上制备SiC涂层》一文中研究指出石墨是建造高温气冷堆的主要材料,提高其抗氧化性能可以进一步改善高温气冷堆安全性。本文对利用化学气相反应法(CVR)在高温气冷堆燃料元件基体石墨上制备SiC涂层的工艺进行了探讨,利用XRD、Raman谱及SEM对制备的SiC涂层进行了分析。结果表明,可以获得单一βSiC相的SiC涂层,涂层与基体之间具有良好的梯度过渡;但由于在涂层中存在一定的孔隙,仅用CVR制备的SiC涂层不能很好地改善石墨的抗氧化性能,将此方法和其他方法结合起来可以获得低成本的、均匀的SiC抗氧化涂层。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2005年S1期）
张辉,安振涛,张登君,唐清[3]（2005）在《准气相反应法中煅烧温度对ZrO_2微球结构特性的影响》一文中研究指出采用新颖的准气相反应法,合成出了球形度好、表面光滑的ZrO_2微球.通过对产物的SEM,TEM和XRD表征,研究了煅烧温度对ZrO_2球结构特性的影响.结果表明:经600～800℃煅烧后,生长完好的ZrO_2球,其显微结构为均匀多孔结构,纳米晶粒呈花生样的长条形状;ZrO_2球的相由主要的立方相和少量的四方相组成.(本文来源于《化学学报》期刊2005年22期）
邱继军[4]（2005）在《离子层气相反应法（ILGAR）制备硫属半导体薄膜的研究》一文中研究指出纳米晶太阳能电池(NPC)以其简单的工艺,低廉的成本以及可实现规模化生产等优势成为绿色能源领域的研究热点之一。本文综述了太阳能电池及其光敏化、吸收材料的发展,研究了NPC太阳能电池无机硫属半导体光吸收层薄膜新型化学法的制备。课题选择CdS,CuInS2硫属半导体材料分别作为NPC太阳能电池中缓冲层和光吸收层,采用离子层气相反应法(ILGAR),研究了制备条件对薄膜结构与性能的影响,如阳离子吸附方式、溶剂种类、混合离子浓度及配比、硫化反应温度、热处理温度、时间与气氛、薄膜生长与厚度控制、Ga掺杂等。采用XRD、SEM、UV-Vis、XPS、HALL系统等对薄膜晶型、微结构、化学计量、光学和电学等性能进行了表征。ILGAR法制备CdS薄膜的实验结果表明,以CdCl2为反应物,H2O和CH3CN混合液为溶剂,H2S为硫源所得纳米晶薄膜表面较致密、均匀、附着性好;0.05M阳离子浓度吸附下的平均生长速率为2.8nm/cycle;400℃热处理温度下结构为沿(002)面择优生长的六方铅锌矿。首次采用混合阳离子溶液吸附工艺,以C2H5OH为溶剂,离子浓度比[Cu+]/[In3+]为1.55,硫化温度在40℃,550℃热处理1h可制备出单相、表面致密、粒径均匀、沿(112)面择优取向生长的黄铜矿型纳米晶CuInS2薄膜。随离子浓度配比的变化,薄膜的光吸收系数均高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.30～1.40 eV之间变化,表面电阻、载流子浓度和迁移率分别在50～10?·cm, 1016～1017cm-3,2～7cm2/V·s的范围内可调。Ga掺杂研究结果表明,混合前驱体溶液中[Ga]/[In]低于1时,Ga取代In形成CuIn1-xGaxS2四元单相薄膜;当Ga]/[In]高于1时,Ga和In分别以各自叁元相形式独立存在。随[Ga]/[In]的增加,CuIn1-xGaxS2四元单相薄膜的光学禁带宽度变宽,电阻在103～104?/□范围内。(本文来源于《天津大学》期刊2005-05-01）
邱继军,靳正国,钱进文,石勇,武卫兵[5]（2005）在《离子层气相反应法(ILGAR)制备CuInS_2薄膜的研究》一文中研究指出CuInS2 thin films have been prepared by ion layer gas reaction (ILGAR) using C2H5OH as solvent, CuCl and InCl3 as reagents and H2S gas as sulfuration source. The effects of cationic concentrations and numbers of cycle on the prope rties of CuInS2 film were investigated. The chemical composition, crystalline st ructure, surface topography, deposited rate, optical and electronic properties o f the films were characterized by X-ray diffractrometry (XRD), X-ray photoelectr on spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), ultraviolet-visible s pectrometry (UV-Vis) and Hall System. The results show that the crystalline of C uInS2 thin films and the deposition rate have been improved with the increase of cationic concentration, while CuxS segregation phases appear with further incre asing cationic concentration. The deposition rate is close to constant as cation ic concentration is fixed. CuInS2 thin film derived form lower cationic concentr ation is uniform, compact and good in adhesion to the substrates. The absorption coefficient of CuInS2 thin films is larger than 104 cm-1, and the band gap Eg i s in the range of 1.30~1.40 eV. The dark resisitivity of the thin film decreases from 50 to 10 Ω·cm and the carrier concentration ranges are over 1016 cm-3.(本文来源于《无机化学学报》期刊2005年03期）
李瑞珍,马拯,李贺军,崔红,郝志彪[6]（2004）在《化学气相反应法在C/C复合材料抗氧化处理中的应用》一文中研究指出通过把硅蒸气渗入预制体孔隙与碳直接反应生成SiC的化学气相反应(CVR)方法,提高初始密度和预制体结构均不同的C/C复合材料的抗氧化能力,研究了C/C复合材料的密度变化与微观结构,并对其进行了氧化试验。结果表明,因CVR温度、C/C复合材料初始密度不同,抗氧化处理后的密度增加量有显着不同。针刺炭布C/C/SiC复合材料在马福炉中于1160℃经65min氧化后,其失重率仅2.6%,而密度为1.95g/cm3的同结构C/C复合材料相在同条件下失重率高达32%。(本文来源于《固体火箭技术》期刊2004年03期）
蔡福新[7]（2001）在《石蜡的催化裂化实验新法——固气相反应法》一文中研究指出高中化学中“石蜡的催化裂化”课堂演示实验按课本提供的方法 ,难收集到液态生成物。需长时间加热 ,反应所产生的气态生成物才能将酸性ＫＭｎＯ4 溶液褪色 ,实验教学效果差。笔者通过大量调研发现 ,实验不成功的原因在于催化剂配量少、酒精灯加热温度不够高、热生成(本文来源于《教学仪器与实验》期刊2001年07期）
杨修春,韩高荣,杜丕一,丁子上[8]（1997）在《化学气相反应法合成SiC超细粉的成核和生长过程的研究》一文中研究指出借助于ＴＥＭ观察，讨论了化学气相反应法合成ＳｉＣ超细粉的成长机理，分析结果显示，由于气体流速不同，合成的ＳｉＣ超细粉颗粒尺寸和颗粒形貌有较大变化，颗粒尺寸和颗粒形貌的变化由成核和生长机理决定，一般涉及到均匀成核、异相成核，团聚和熔融(本文来源于《硅酸盐学报》期刊1997年03期）
刘艳生,王全玉,张克鋐[9]（1994）在《气相反应法合成超细粉末过程中的r~＊叶和晶型的研究》一文中研究指出本文以ＳｉＣｌ４－ＮＨ３、ＳｉＣｌ４－Ｏ２、ＳｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－ＮＨ３－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｏ２、ＡｌＣｌ３－Ｏ２等为体系，运用均匀成核理论，研究了平衡常数Ｋｐ、过饱和比Ｓ及临界核半径，ｒ＊等因素对气相反应法中超细粉末的形成及粉末结构状态的影响．结果表明，当２ｒ＊大于某物质的晶格常数时，用气相反应法得到的该物质的超细粉末一般为晶体粉末，反之则得到无定形粉末．(本文来源于《无机材料学报》期刊1994年03期）
余家国[10]（1991）在《气相反应法在合成超微粒子中的应用》一文中研究指出超微粒子通常是指粒径为100nm 到1nm的微细粒子,它具有与通常微粉显着不同的特性,发展成为一类性能独特的新型材料。超微粒子的合成是十分活跃的研究领域,近叁十年来国际上已先后开发了蒸发-冷凝法、气相反应法、水热法和沉淀法等多种合成方法,其中,气相反应法特别引人注目,因为气相反应法与其他方法相比,具有如下特点:(1)金属化合物(本文来源于《化学通报》期刊1991年01期）
气相反应法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
石墨是建造高温气冷堆的主要材料,提高其抗氧化性能可以进一步改善高温气冷堆安全性。本文对利用化学气相反应法(CVR)在高温气冷堆燃料元件基体石墨上制备SiC涂层的工艺进行了探讨,利用XRD、Raman谱及SEM对制备的SiC涂层进行了分析。结果表明,可以获得单一βSiC相的SiC涂层,涂层与基体之间具有良好的梯度过渡;但由于在涂层中存在一定的孔隙,仅用CVR制备的SiC涂层不能很好地改善石墨的抗氧化性能,将此方法和其他方法结合起来可以获得低成本的、均匀的SiC抗氧化涂层。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
气相反应法论文参考文献
[1].卢虎.介孔ZrO_2及Y_2O_3稳定ZrO_2球形颗粒的准气相反应法合成与表征[D].北京交通大学.2011
[2].付志强,唐春和,梁彤祥.用化学气相反应法在石墨基体上制备SiC涂层[J].原子能科学技术.2005
[3].张辉,安振涛,张登君,唐清.准气相反应法中煅烧温度对ZrO_2微球结构特性的影响[J].化学学报.2005
[4].邱继军.离子层气相反应法（ILGAR）制备硫属半导体薄膜的研究[D].天津大学.2005
[5].邱继军,靳正国,钱进文,石勇,武卫兵.离子层气相反应法(ILGAR)制备CuInS_2薄膜的研究[J].无机化学学报.2005
[6].李瑞珍,马拯,李贺军,崔红,郝志彪.化学气相反应法在C/C复合材料抗氧化处理中的应用[J].固体火箭技术.2004
[7].蔡福新.石蜡的催化裂化实验新法——固气相反应法[J].教学仪器与实验.2001
[8].杨修春,韩高荣,杜丕一,丁子上.化学气相反应法合成SiC超细粉的成核和生长过程的研究[J].硅酸盐学报.1997
[9].刘艳生,王全玉,张克鋐.气相反应法合成超细粉末过程中的r~＊叶和晶型的研究[J].无机材料学报.1994
[10].余家国.气相反应法在合成超微粒子中的应用[J].化学通报.1991
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