本文主要研究内容
作者蒋梅燕,朱政杰,陈成克,李晓,胡晓君（2019）在《硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能》一文中研究指出：采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解; X射线光电子能谱结果表明,此时C—O键、C=O键、p—p*含量显著增多; Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm~2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品.
Abstract
cai yong re si hua xue qi xiang chen ji fa zhi bei na mi jin gang dan bao mo ,bing dui bao mo jin hang liu li zi zhu ru he zhen kong tui huo chu li .ji tong yan jiu le tui huo wen du dui bao mo wei jie gou he dian hua xue xing neng de ying xiang .jie guo biao ming ,liu li zi zhu ru you li yu di sheng bao mo de dian hua xue ke ni xing .zai 800°Cji yi xia wen du tui huo shi ,bao mo zhong jing jie chu de fei jing tan xiang zhu jian xiang fan shi ju yi gui xiang zhuai bian ,zhi shi dian hua xue xing neng zhu jian bian cha .dang tui huo wen du shang sheng dao 900°Cshi , Ramanguang pu he TEMjie guo xian shi ci shi bao mo zhong jin gang dan xiang han liang jiao duo ju jing ge zhi liang jiao hao ,jing jie zhong de fan shi ju yi gui fa sheng lie jie ; Xshe xian guang dian zi neng pu jie guo biao ming ,ci shi C—Ojian 、C=Ojian 、p—p*han liang xian zhe zeng duo ; Hallxiao ying ce shi xian shi ci shi bao mo qian yi lv yu zai liu zi nong du jiao wei tui huo shi ming xian sheng gao ;zai tie qing hua jia dian jie ye zhong yang hua hai yuan feng gao du dui chen ,feng dian wei cha jian xiao zhi 0.20 V,dian hua xue huo xing mian ji zeng jia dao 0.64 mC/cm~2,dian hua xue ke ni xing yuan hao yu 600, 700, 800°Ctui huo shi de yang pin .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自物理学报的蒋梅燕,朱政杰,陈成克,李晓,胡晓君，发表于刊物物理学报2019年14期论文，是一篇关于纳米金刚石薄膜论文,硫离子注入论文,电化学性能论文,微结构论文,物理学报2019年14期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自物理学报2019年14期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：纳米金刚石薄膜论文; 硫离子注入论文; 电化学性能论文; 微结构论文; 物理学报2019年14期论文;