导读:本文包含了铜制程论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:剥落,缺陷机理
铜制程论文文献综述
杨帆,戴腾[1]（2014）在《后段铜制程中的一种介电层剥落缺陷问题的探讨》一文中研究指出在4xnm的后段铜制程生产过程中,发现了一种典型的剥落状缺陷落于晶圆的表面,造成了产品良率的损失。通过缺陷的深入分析与实验,我们最终找到其生成的原因,对其形成的机理进行了讨论。最终成功的解决了这个缺陷问题。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2014年08期）
王海红[2]（2014）在《集成电路铜制程常见缺陷的分析》一文中研究指出概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识,介绍了铜制程主要工艺流程及电镀过程步骤,对电镀过程相关的缺陷如漩涡缺陷、弹坑缺陷和鼠咬缺陷及其成因进行了分析,并对沟槽通孔内部空洞的形成原因进行了探讨.通过对缺陷的分析,结合实际生产经验,提出了相应的解决方法.(本文来源于《复旦学报(自然科学版)》期刊2014年02期）
王海红[3]（2013）在《集成电路铜制程常见缺陷的分析》一文中研究指出本文概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识包括分类、影响及监控,讨论了铜制程常见缺陷的类型及成因,重点讨论了种子层及电镀相关过程对缺陷产生的影响及解决方法。(本文来源于《2013年海峡两岸(上海)电子电镀及表面处理学术交流会论文集》期刊2013-11-17）
方昭训,王梓育,戴明凤[4]（2013）在《Cu(CoN)与CoN颗粒薄膜应用于铜制程之特性》一文中研究指出利用磁控共溅镀法在p-type Si(100)上沈积Cu(CoN)合金薄膜,并利用RTA在N_2/H_2(5%)气氛下300-700℃热处理持温10与30分钟,合金薄膜并以FPP测量片电阻值、利用SEM观察表面形貌、XRD分析晶体结构、附着性测试评估薄膜附着性、TEM观察界面扩散情形、VSM量测薄膜磁性、Ⅰ-Ⅴ量测薄膜漏电流,探讨制程N_2含量及退火温度对Cu(CoN)合金薄膜之特性影响。(本文来源于《中国颗粒学会超微颗粒专委会2013年年会暨第八届海峡两岸超微颗粒学术研讨会论文集》期刊2013-08-25）
赵弘鑫[5]（2008）在《铜制程中基于规则Lot的派工系统》一文中研究指出随着半导体的发展,越来越多的晶圆厂开始在祖国大陆出现。中芯叁厂铜制程由2002年建厂,由于铜的一些特性:1、铜的扩散,铜会很快扩散进硅或氧化硅,破坏器件;2、铜不能进行干法蚀刻形成图形;3、低温下,铜会被很快的氧化。而在制程安排上与铝就有了明显的不同,因而导致不同的排货规则。如何提升自身生产能力以满足客户日益苛刻的需求将是待工厂必须解决的问题。该论文将从生产管理的角度出发,开发生产派工软件。线上操作工人面对数以千记的货,无从下手,不知道该怎么选择,该系统将提供这个方面的指导。实地查看当前晶圆代工现场的生产指标的设定,执行以及追踪。晶圆代工工厂一线从业5年,历任了生产计划,生产现场管理多个部门,实践的过程也是学习研究的过程。在充分了解了晶圆代工生产运营的模式,参考了同业比较先进的管理模式,以及学习了业界比较成型的生产派工软件之后,综合自身的体验,分析不同模式的优缺点,和同事设计做出符合大陆晶圆代工目前实际的生产派工软件,并推广到一线生产计划部门和实施部门。本论文将结合铜制程的特性,采用了xml结合java的方案,使用xml配置派工的规则、逻辑,使用java来处理派工的核心部分,因此在配置上比较简单,在平台选取方面也具有相当的自由度,再由WEB很直观的反映给操作工人。软件将会体现计划部门的意志,并且将意志无缝地转达给生产部门,其中必须考虑生产部门的可操作性,易操作性。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-04-25）
[6]（2007）在《罗门哈斯电子材料CMP技术部门推出45nm铜制程用研磨垫》一文中研究指出半导体化学机械平坦技术领导厂商罗门哈斯电子材料CMP技术部门专为先进45nm铜制程推出超低缺陷效能的最新一款CMP研磨垫(本文来源于《电子与电脑》期刊2007年11期）
程文芳[7]（2003）在《铜制程市场2003年将增幅84%》一文中研究指出根据市场调研公司 Information Network 的预测,IC 内联铜处理的前端生产工具市场2002年略有增长增幅超过27%,2003年增幅达到84%。铜制程工具在2001年整体前端工具市场的份额为10%,2002年增至14%。2002年增长最快的是蚀刻工具领域,紧随其后的铜阻碍层/种晶层(barrier/Seed),沉积工具。(本文来源于《半导体信息》期刊2003年01期）
远山[8]（2001）在《细说CPU的铜制程》一文中研究指出自CPU诞生以来，芯片制造一直采用的是铝技术。但是，“伴铝”数十载后，CPU上的硅片有了更生机勃勃的“铜伴”。尽管由于技术实现的难度，此后一段时间铜伴硅和铝伴硅将共存，但从发展趋势来(本文来源于《中国计算机报》期刊2001-11-05）
铜制程论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识,介绍了铜制程主要工艺流程及电镀过程步骤,对电镀过程相关的缺陷如漩涡缺陷、弹坑缺陷和鼠咬缺陷及其成因进行了分析,并对沟槽通孔内部空洞的形成原因进行了探讨.通过对缺陷的分析,结合实际生产经验,提出了相应的解决方法.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铜制程论文参考文献
[1].杨帆,戴腾.后段铜制程中的一种介电层剥落缺陷问题的探讨[J].电子技术与软件工程.2014
[2].王海红.集成电路铜制程常见缺陷的分析[J].复旦学报(自然科学版).2014
[3].王海红.集成电路铜制程常见缺陷的分析[C].2013年海峡两岸(上海)电子电镀及表面处理学术交流会论文集.2013
[4].方昭训,王梓育,戴明凤.Cu(CoN)与CoN颗粒薄膜应用于铜制程之特性[C].中国颗粒学会超微颗粒专委会2013年年会暨第八届海峡两岸超微颗粒学术研讨会论文集.2013
[5].赵弘鑫.铜制程中基于规则Lot的派工系统[D].上海交通大学.2008
[6]..罗门哈斯电子材料CMP技术部门推出45nm铜制程用研磨垫[J].电子与电脑.2007
[7].程文芳.铜制程市场2003年将增幅84%[J].半导体信息.2003
[8].远山.细说CPU的铜制程[N].中国计算机报.2001