导读:本文包含了晶体生长方法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅单晶,模型辨识,深度信念网络,连续受限玻尔兹曼机
晶体生长方法论文文献综述
杨曼[1]（2019）在《直拉硅单晶生长中晶体直径模型辨识方法研究》一文中研究指出太阳能光伏产业和大规模集成电路的快速发展,对半导体行业提出能够生产直径更大、质量更高单晶硅的要求,目前制备高品质硅单晶的最常用方法为直拉法(CZ法)。在实际使用直拉法生长硅单晶时,通常通过改变两个关键变量-拉速和热场温度来控制晶体直径。并且,由于晶体生长过程中存在叁个特性:一是晶体直径对拉速和热场温度变化的响应存在时间滞后的特性,二是晶体生长过程体现非线性特性,叁是晶体生长过程中的各种参数随时间缓慢变化特性。为获得等直径、高品质的硅单晶,通过建立两个变量和晶体直径之间的模型,以此对晶体直径进行控制是较为有效的办法。因此,本文研究重点是:通过数据分析得到直径受拉速和热场温度影响的模型。由于晶体生长过程中涉及多个变化过程和多个变量,使用机理建模方法所建立的模型变量较多并且难以准确求解,因此本文采用基于系统真实数据建立系统模型的思想。在模型辨识方面,分为叁部分,分别为拉速-晶体直径模型辨识,热场温度-晶体直径模型辨识和同时考虑热场温度和提拉速度对晶体直径影响的模型辨识。辨识步骤为:第一步确定模型阶次和输出对输入量变化响应的时间滞后,第二步进行模型参数辨识。首先,在晶体生长过程中,采集由两个变量变化引起的晶体直径明显改变阶段的数据,并对数据进行预处理操作;其次,辨识模型的结构,第一步利用叁层前馈网络和模糊逼近分别确定提拉速度和热场温度的模型阶次,第二步利用行列式比值法确定滞后阶次;最后,在确定模型结构后,基于改进深度信念网络算法辨识提拉速度-晶体直径和热场温度-晶体直径的模型参数。将提拉速度和热场温度作为输入,晶体直径作为输出的非线性模型,基于改进的卷积神经网络算法辨识模型参数。仿真实验表明,本文辨识所得的滞后阶次和模型阶次均符合经验值,并且本文所改进的深度信念网络辨识方法和卷积神经网络辨识方法较传统辨识方法而言,具有更高的模型辨识精度。(本文来源于《西安理工大学》期刊2019-06-30）
王月,李雪,李超,王春杰[2]（2018）在《不同合成方法对纳米La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7晶体生长活化能的影响》一文中研究指出La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7作为新型热障涂层材料,其涂层的寿命和演变过程受到了人们的广泛关注。通过水热合成法和溶胶凝胶法分别制备了La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7纳米材料,并采用热重-差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等技术对材料的物理化学性质进行了表征。结果表明,两种方法制备的样品均为纯相立方烧绿石结构。水热合成法制备样品的比表面积和晶格常数分别为103.27 m~2·g~(-1)和1.081 nm,溶胶凝胶法制备样品的数据分别为89.64 m~2·g~(-1)和1.077 nm。通过平均晶粒尺寸计算了两组样品的晶体生长活化能,水热合成法样品为(18.96±0.02)k J·mol~(-1),要大于溶胶凝胶法样品的(13.47±0.01)k J·mol~(-1),并对相关机理进行了研究。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年11期）
叶欣[3]（2018）在《有机光电功能晶体原位结晶过程及生长方法》一文中研究指出有机光电功能材料具有柔性、低成本、制备工艺简单、可大面积制备等优势,在发光、太阳能电池、场效应晶体管、生物传感器以及固态激光等光电器件中也展示出优异的性能,引起了人们极大的研究兴趣。有机光电功能材料通常以薄膜的形式应用于有机光电器件中。作为器件主要的工作物质,有机薄膜的质量与晶化程度、类型决定了其中的分子排列方式,进而会极大程度的影响器件的性能。特别是对于有机场效应管、光伏电池等器件,众多研究结果已经表明,有机层内分子间的相互作用和堆积模式与材料的载流子迁移率、激子扩散距离等密切相关,通过提高材料结晶度,可以显着优化器件性能。高质量有机光电功能单晶具有明确的分子构型与分子排列、高有序度分子堆积、极低的杂质含量、高热力学稳定性,可以反映有机光电功能材料的本征性能,也是研究材料结构与性能关系的最优载体。然而,有机晶体一般属于分子晶体,以体积较大的有机分子作为基本组成单元,以较弱的分子间范德华力为驱动力,所以多数有机材料的结晶性较差。特别是对于具有较大共轭结构的有机半导体,生长出高质量、大尺寸的晶体更是非常困难。开发一种简单高效、能够与光电器件制程相匹配的有机单晶制备工艺也成为有机光电功能材料研究的难点之一,是科研工作者研究的重点。如何通过控制外界环境为晶体生长提供一个理想的生长条件,是有机晶体生长的首要问题。有机晶体在衬底上的原位集成是应用的基础,常用的有机单晶原位生长方法为物理气相传输法和溶液法。受制于低溶解度、复杂的工艺、原料利用率低等因素,目前的有机单晶器件通常只适合作为材料基本性质研究的载体,并不能大规模应用。因此,发展简单高效的有机单晶原位生长方法对高性能有机电子器件的研究具有重要的意义。第二,要想长好晶体,了解晶体本身的生长过程和影响因素至关重要。要明确晶体是如何成核结晶并逐步长大的,晶体生长的本征习性是什么。了解晶体生长的本征习性可以更好的指导晶体生长环境的控制。在有机场效应管、光伏电池等许多光电子器件中,通过对形成的薄膜进行各种形式的退火以提高材料的结晶度是优化器件效能的重要途径之一。因此,有机光电功能材料固态相变结晶过程非常重要。然而,由于固态晶化的母相和子相都属于固相,在晶体形成和生长的过程中晶相和非晶相并没有十分清晰的界面,且这个界面埋藏在固体表面之下,不容易直接观察和区分。因此,对于这种界面非常模糊的固态晶化相变,如何利用第叁方信号来反映两相的变化情况,同时这种信号的监测又较为直接和简便,能够与晶体生长的条件相匹配,成为我们关注的重点。综上所述,简单高效的生长有机光电功能晶体,一方面要对结晶机理有一定的认识,更多的了解影响分子材料晶化过程的因素;二是探索有机材料新的、更加简便的结晶方法。本论文即从有机光电功能晶体高效生长这一终极目标出发,围绕晶体生长过程与控制两个核心问题,结合课题组前期有机光电功能分子的设计以及晶体相变研究的基础,在有机光电功能晶体原位固态结晶过程以及新型光电功能晶体原位生长方法等方面展开研究。主要研究内容如下:1.通过分子自身的光电信号传递固体内部发生的分子组装和晶体相变过程信息,以原位、实时、无损的方式,研究有机光电功能材料的结晶与相变过程。这种方法利用了伴随形态变化而发生荧光颜色变化的四取代乙烯类化合物,该化合物无定形时呈绿色荧光,晶态时为蓝色荧光,荧光颜色的变化可以作为第叁方信号反映无定形-晶态界面信息。我们通过不良溶剂扩散法制得2～3 μm固态微球,将其转移到衬底上,通过乙醇气氛诱导结晶相变,由于荧光具有一定的穿透性,利用荧光显微镜通过颜色变化透过表面对分子微球内部的结晶相变过程进行了原位实时的观测。记录了形貌完好的微球以及缺陷微球两种不同的结晶过程:(1)当微球完整或缺陷较小时,微球中心优先结晶,随着时间的增长中心结晶区域逐渐扩大,但是微球外壳足够的稳定限制了中心晶体的继续生长,最终保持中心结晶外壳无定形的核壳结构,无法得到完整的晶体;(2)若微球由于与其他碎片接触而产生缺陷,缺陷打破外壳的稳定结构,使成核势垒降低,缺陷处优先结晶,晶体像种子发芽一般逐渐长大,微球随之缩小、消失,最终长成了完整的晶体。这一成果加深了对固态无定形到晶体相变的理解,也为固态相变的研究提供了借助荧光变化反映界面信息的新思路。2.我们开发了一种全新的微距空气升华法原位生长有机光电功能晶体。将原料粉末(约0.05 mg)分散在下层原料底片上,放置于热台之上,上片衬底以面对面的形式上置于原料底片之上,两个硅片之间利用薄玻璃片间隔150 μm间隙,将热台升温至一定温度,上层衬底上即可得到晶体。我们对微距空气升华法进行了生长机理、适用性等研究,得出了以下几个结论:(1)该方法在衬底上原位生长的晶体质量高,分散性好,具有一定的取向性,可用于器件的原位集成。以生长的红荧烯单晶为例,制备的有机场效应晶体管测得载流子迁移率为7.8 cm2V-1s-1,创造了以Si02作为栅极的最高记录。(2)通过生长过程的原位实时观察,我们发现其遵循一种新的气体-熔体-固体生长机理。在低于熔点的温度下,有机半导体材料在空气中高效升华,并先以过冷熔体的形式在生长片凝结成熔滴,随后生长成晶体。经过晶体生长热动力学分析,我们认为超微距离与其引起的原料与衬底之间的极小温差的协同作用,使得该方法表现出与传统气相方法完全不同的气相传输与生长机制。(2)十种半导体材料与药物分子都能通过微距空气升华法获得高质量单晶,证明该方法具有一定的普适性。(3)与传统气相晶体生长方法相比,微距空气升华法具有以下优势:成本低、无需真空及生长腔室,在空气环境下就可以完成,对设备要求低;生长速度快,多数有机半导体都可在1-10 min内完成晶体生长;原料利用率高,底部热顶部冷的结构,使气体分子形成由底片中心向上,再由顶部边缘向下的自由对流模式。这种对流模式可以在极微间隙内形成类似瞬间密闭的环境,减少了有机分子的向外扩散;由于没有生长腔室及真空系统的限制,结晶过程可以通过热台显微镜实时观测,一方面为结晶机理研究提供了新的途径,另一方面可以随时根据晶体生长状况调控生长参数以得到目标晶体。因此,该方法几乎适用于所有实验室,为实验室众多材料尤其是难于合成材料的性能研究提供一种简单可靠的筛选方式,将大大促进有机半导体晶体的应用开发。3.单一有机分子结晶形成的晶体由于材料本征的限制往往只具备一种性能,而两种或两种以上分子通过分子间非共价键结合形成的分子共晶不仅保留了各自组分固有的性质,并且通过协同效应和集合效应使得晶体展示出更多新颖的光电性质。我们通过微距升华方法实现了分子共晶的生长,成功生长了以TCNB、TCNQ为电子受体,多环芳烃为电子给体的多种共晶。得出了以下叁点结论:(1)首次生长了荧蒽-TCNB共晶,该共晶属于单斜晶系P21/c空间群,晶胞轴长为a=7.362 A,b=8.263 A,c=31.290A,β=90.250°。紫外可见吸收光谱表明该共晶中两单体分子之间产生了电荷转移,是典型的电荷转移复合物晶体。该共晶表现出良好的黄光发光性能,量子效率高达72%,优异的发光性能归结于分子之间较弱的π-π重叠。(2)通过对生长温度、原料混合方式的控制实现了同一共晶晶体从针状到薄片状的形貌调控。通过对两种形貌的结晶过程观测,我们发现针状晶体展现了荧蒽晶体生成-荧蒽晶体熔化-TCNB分子融入熔体形成分子复合物-共晶晶体生成的分步升华、多步结晶的过程,而对于片状晶体由于原料经过了充分的研磨混合,生长前便已形成了分子复合物,衬底与原料间极微的生长间距使两组分以复合物的形式升华,直接在衬底表面生长成共晶晶体。通过对传质过程中的扩散过程与各晶面生长势垒的分析,我们得出生长形貌为TCNB分子的扩散限制以及温度影响的生长驱动力的协同作用的结果(3)通过更改原料中两组分的化学计量比实现了苝-TCNQ共晶晶体中分子化学计量比的调控,分别得到了化学计量比1:1和3:1的苝-TCNQ共晶晶体。综上所述,微距空气升华法是一种简单高效的有机共晶生长方法,并能够通过生长参数的调控实现对晶体生长形貌的调控。(本文来源于《山东大学》期刊2018-06-02）
李刚,周广刚,孙晓亮,刘思杰,卢贵武[4]（2017）在《不同生长方法对KDP晶体生长以及光学性能的研究》一文中研究指出KDP类晶体是现在唯一可用于惯性约束核聚变工程的非线性光学材料,而溶液法是生长KDP晶体最常用的生长方法。这里我们主要用"点籽晶"降温法和蒸发法两种晶体生长方法对KDP晶体生长表观,(本文来源于《第十九届全国光散射学术会议摘要集》期刊2017-12-01）
吕汉雄[5]（2017）在《蓝宝石生长方法和晶向对晶体质量与性能影响规律研究》一文中研究指出随着军事竞赛的逐步推进,要求军事武器向着超音速、超高精度的方向发展。作为军事武器的核心力量之一,具有超音速、精确制导的导弹武器备受关注,要求在其飞行过程中内部构件不受损伤,且具有最佳侦察和打击能力,则必须使用具有最优光学、机械性能的光学窗口材料-蓝宝石单晶。相比其他传统红外、整流罩窗口材料制备困难、成本高、机械性能差等缺点,蓝宝石单晶脱颖而出,并逐渐得到认可。目前,蓝宝石单晶的应用领域逐渐从军用光学窗口材料向军民两用过渡,对不同晶向蓝宝石的需求也不断增大。市场需求已经从初期单一的C向晶体逐步发展为C、A、M和R等多种晶向。但是,由于市场上可用的蓝宝石单晶生长方法繁多,且不同生长方法获得的单晶,其物理、机械和光学性能差异巨大,导致其终端产品质量难以统一,严重阻碍蓝宝石单晶应用领域的快速发展。因此,研究KY法和EFG法等不同生长方法、以及不同晶向的蓝宝石单晶,对比性能数据,分析形成性能差异的原因,建立系统的评价体系,对蓝宝石单晶应用领域的发展具有十分重要的理论和实践意义。蓝宝石晶体内部微观缺陷严重影响晶体性能的发挥。为探究微观缺陷引起蓝宝石单晶性能的变化,本文对KY法和EFG法蓝宝石,A向、C向和R向蓝宝石试样片进行化学湿法腐蚀,观察试样在不同腐蚀时间、腐蚀温度的腐蚀坑形貌如何变化,进而确定试样的最优腐蚀工艺;在最优腐蚀工艺条件下,观察试样腐蚀坑面积随腐蚀时间的变化,进而确定腐蚀速率;在270℃腐蚀30min,计算蓝宝石单位面积下的腐蚀坑数量,比较不同生长方法和晶向的蓝宝石位错密度数值大小,进而确定最佳生长方法和晶向;对蓝宝石进行1650℃300min退火处理,分析蓝宝石位错腐蚀坑面积和数量的变化。为探究蓝宝石机械性能和光学性能,分别进行理论弹性模量和维氏硬度计算、叁点弯曲实验、维氏硬度实验、透过率测试和拉曼光谱测试。利用Material Studio软件CASTEP模块建立Al2O3晶体,进行坐标轴变换,计算得到C向理论弹性模量为442.85GPa;经应力转轴公式计算,A向理论弹性模量为424.49GPa,M向理论弹性模量为429.74Pa,R向理论弹性模量为373.00GPa。对蓝宝石晶体进行了叁点弯曲实验,基于理论弹性模量C向>M向>A向,可以合理解释当端面为C向时,增大蓝宝石样条弯曲强度的原因。蓝宝石理论维氏硬度为20.34GPa。对蓝宝石进行维氏硬度测试,因为当C向和A向受外力加载时,容易发生滑移,且C向面间距小于A向面间距,所以蓝宝石维氏硬度:R向>C向>A向。对蓝宝石进行透过率测试,因微观缺陷数量EFG法明显大于KY法,导致其在200nm-300nm波段,透过率明显小于KY法蓝宝石。随着波长的逐渐增大,KY法和EFG法蓝宝石透过率接近,均存在大于85%的透过率。当波长大于4.5μm,透过率开始下降。对蓝宝石进行拉曼光谱测试,由于KY法的实际与理论拉曼位移的偏差小于EFG法,证明EFG法蓝宝石生长质量不如KY法。此外,对退火处理后蓝宝石均做了上述实验,退火处理可以提高蓝宝石的机械性能,但对蓝宝石光学性能影响不明显。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
刘阳[6]（2016）在《复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2的高压稳定性研究及晶体生长新方法探索》一文中研究指出由于有机-无机复合半导体的热和化学稳定性较差,使得生长晶体及制备薄膜器件遇到很大困难。本论文中,我们利用高压方法,成功地改善了复合半导体的稳定性。进一步地,我们对利用高压方法制备的复合半导体多晶体块材料的结构、在高压下的电输运性质等进行了研究；在此基础上,我们又提出了新的高等静压晶体生长方法,生长了大尺寸的复合半导体单晶材料。论文的主要结果包括：1.以1,1’-二丁基-4,4’-联吡啶与I2的配合物为研究对象,考察了在加热过程中施加高压对该复合半导体热分解现象的抑制作用。发现当施加于样品上的压力达到100 MPa时,复合半导体的热分解现象被完全抑制。进一步地,在确保样品不发生分解的前提下,利用热压方法制备了多晶陶瓷片样品,并对它的形貌和物相结构进行了测试分析。2.利用我们自行设计研制的电输运性能高压原位测试设备,测试了上述陶瓷片样品在48-288 MPa等静压下的电流-电压曲线,并分析了电输运性能的变化规律。发现：对样品施加高压可以使其电阻明显增大；温度变化时,样品对压力的响应特性随着发生变化。3.为了获得大尺寸的复合半导体晶体,我们提出了高等静压晶体生长方法。利用这种方法,我们不仅成功抑制了复合半导体的热分解,而且通过提供各向同性的均匀液态高压环境,生长出了尺寸大于400 μm的复合半导体单晶,为下一步制备单晶器件打下了基础。(本文来源于《山东大学》期刊2016-04-06）
周文平,牛微,刘旭东,唐坚,毕孝国[7]（2015）在《硅酸镥单晶体生长方法研究》一文中研究指出结合掺铈硅酸镥(Ce:Lu2SiO5)粉体的组成与性能特点、提拉法和焰熔法晶体生长工艺异同,讨论了目前使用提拉法生长掺铈硅酸镥单晶体存在的坩埚溶蚀、组分挥发、杂质浸入、闪烁性能不稳定等问题和原因,提出使用焰熔法生长Ce:Lu2SiO5单晶体可以有效解决这些问题,给Ce:Lu2SiO5单晶体的生长提供了一个新的研究方向。(本文来源于《沈阳工程学院学报(自然科学版)》期刊2015年01期）
王晓东[8]（2014）在《叁温区晶体生长炉控制系统设计与控制方法研究》一文中研究指出随着信息产业的兴起以及利用新能源引起的光伏发电的热潮,对优质的晶体需求大大增加,这对晶体生长环境的温度控制精度与控制性能提出了更高的要求。面对晶体生长使用的叁温区晶体生长炉具有大滞后、大惯性、强耦合的特点,作为控制简单、可靠性高而在工业中获得了广泛应用的PID控制器难以获得令人满意的控制效果。针对这种现状,本文设计了一种具有神经元网络PID解耦的叁温区晶体生长炉。这无论在理论上还是在实践上都具有重要的意义。针对叁温区晶体生长炉控制精度的要求,以TI公司生产的DSP芯片TMS320F2812作为硬件控制核心和CCS3.3开发环境作为软件平台,进行了硬件与软件的设计与开发,实现叁温区晶体生长炉温度控制系统的功能。本文设计开发了DSP下位机和人机界面(触摸屏)。DSP下位机控制部分包括：叁路温度数据采集、PWM波形的产生、串口数据通信。人机界面应用程序包括：系统控制命令发送、叁温区温度的实时显示、数据的转换与存储。DSP下位机和人机界面(触摸屏)完成了叁温区晶体生长炉温度信号的采集与分析,满足了晶体生长过程的工艺要求。完成了系统软硬件设计之后,针对叁温区晶体生长炉,从热传导机理出发,建立叁温区晶体生长炉简化机理模型,并参照机理模型特点选定模型结构。利用灰箱法建立了系统的数学模型。根据叁温区晶体生长炉温场分布的特点,先后利用经典PID对角线解耦算法和神经元网络PID解耦算法对控制系统进行设计。利用MATLAB对所设计的系统进行仿真,仿真结果验证了本次设计方法对多变量强耦合时变对象具有良好的解耦性能和自学习控制特性,达到了系统所要求的控制指标。(本文来源于《东北大学》期刊2014-06-01）
高凌云[9]（2014）在《类晶体生长新方法》一文中研究指出化学家确定晶体是一种内部原子规律性重复排列的材料。但在1982年,海法市以色列理工的材料学家特曼(Daniel Shechtman)发现,一种铝和锰的合金也有规律的原子顺序,但是在一种模式下排列顺序却不可重复。这种"类晶体"迫使化学家改写教科书,而特曼也因此获得2011年的诺贝尔化学奖。自这个早期发现后,自然界也找到了类晶体,工程师研制了各种各样的类似材料用于剃须刀片和炊具(本文来源于《现代物理知识》期刊2014年02期）
周林[10]（2013）在《蓝宝石晶体生长方法研究》一文中研究指出蓝宝石单晶由于其优良的综合性能而成为当前重要的技术晶体材料之一,在各个领域都具有广泛的应用。本文简述了蓝宝石单晶的主要性能,主要介绍了几种重要的蓝宝石单晶生长方法,并分析了各种方法的特点,最后概括了蓝宝石单晶目前及今后的主要发展方向,指出稳定工艺才是企业成熟的基础。目前使用热交换法生长蓝宝石,最有可能在不断地增加晶体直径的情况下保持甚至提高晶锭的利用率,从而降低生产成本,在未来赢得更多更大的市场。(本文来源于《硅谷》期刊2013年18期）
晶体生长方法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7作为新型热障涂层材料,其涂层的寿命和演变过程受到了人们的广泛关注。通过水热合成法和溶胶凝胶法分别制备了La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7纳米材料,并采用热重-差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等技术对材料的物理化学性质进行了表征。结果表明,两种方法制备的样品均为纯相立方烧绿石结构。水热合成法制备样品的比表面积和晶格常数分别为103.27 m~2·g~(-1)和1.081 nm,溶胶凝胶法制备样品的数据分别为89.64 m~2·g~(-1)和1.077 nm。通过平均晶粒尺寸计算了两组样品的晶体生长活化能,水热合成法样品为(18.96±0.02)k J·mol~(-1),要大于溶胶凝胶法样品的(13.47±0.01)k J·mol~(-1),并对相关机理进行了研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体生长方法论文参考文献
[1].杨曼.直拉硅单晶生长中晶体直径模型辨识方法研究[D].西安理工大学.2019
[2].王月,李雪,李超,王春杰.不同合成方法对纳米La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7晶体生长活化能的影响[J].电子元件与材料.2018
[3].叶欣.有机光电功能晶体原位结晶过程及生长方法[D].山东大学.2018
[4].李刚,周广刚,孙晓亮,刘思杰,卢贵武.不同生长方法对KDP晶体生长以及光学性能的研究[C].第十九届全国光散射学术会议摘要集.2017
[5].吕汉雄.蓝宝石生长方法和晶向对晶体质量与性能影响规律研究[D].哈尔滨工业大学.2017
[6].刘阳.复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2的高压稳定性研究及晶体生长新方法探索[D].山东大学.2016
[7].周文平,牛微,刘旭东,唐坚,毕孝国.硅酸镥单晶体生长方法研究[J].沈阳工程学院学报(自然科学版).2015
[8].王晓东.叁温区晶体生长炉控制系统设计与控制方法研究[D].东北大学.2014
[9].高凌云.类晶体生长新方法[J].现代物理知识.2014
[10].周林.蓝宝石晶体生长方法研究[J].硅谷.2013