导读:本文包含了薄膜单元论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微穿孔板,薄膜,吸声系数,吸声峰值
薄膜单元论文文献综述
盖晓玲,邢拓,李贤徽,张斌,王芳[1]（2018）在《微穿孔板结合薄膜单元复合结构的吸声性能研究》一文中研究指出为了提高单层微穿孔板吸声结构的吸声性能,提出了微穿孔板结合薄膜单元的复合吸声结构。通过阻抗管实验对微穿孔板结合薄膜单元的复合结构的垂直入射的吸声性能进行了测试,实验结果表明增加薄膜单元后,单层微穿孔板的吸声性能明显改善。当薄膜单元的直径在一定范围内变化时,随着薄膜面积的增加,共振频率逐渐向高频方向移动,且多个小面积的薄膜单元能达到和它们总面积接近的单个大薄膜单元相近的吸声效果。(本文来源于《全国声学设计创新技术与文化建筑声学工程学术会议论文集》期刊2018-06-15）
张佳龙,姚宏,杜军,姜久龙,董亚科[2]（2016）在《局域共振单元与薄膜复合声子晶体板结构的低频降噪》一文中研究指出提出了一种局域共振单元复合声子晶体板结构,并结合有限元对晶体板结构的带隙特性、隔声性能进行了分析.结果表明,共振带隙的产生是由共振单元与板中传播的弹性波相互耦合造成的,耦合强度直接影响共振频率和带隙宽度,隔声效果与薄膜的厚度直接相关.通过改变薄膜的厚度可以将隔声效果调节到满足机舱飞行员正常驾驶的要求.该结构在200dB以下具有良好的隔振效果,最大隔声量达到150dB.该研究为获得良好的隔声效果提供了理论支持,在航空发动机减振降噪方面具有潜在的应用前景.(本文来源于《光子学报》期刊2016年07期）
安红娜,陈连平,吴浪[3]（2016）在《电化学技术制备白钨矿单元多晶薄膜的生长特性研究》一文中研究指出在室温下用电化学技术进行沉积白钨矿AMO4(A:Ba、Sr,M:W、Mo)晶态薄膜开展过比较系统地研究,特别是对薄膜从在金属基底M上开始成核到薄膜制备完成的不同时间内制备的样品进行了SEM、EDX和XRD等测试分析。通过集中对不同体系钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长过程和生长习性定性地进行对比分析,结果表明:(1)对于相同的电解质溶液、不同的金属基底,在钨片上薄膜更容易形成晶核和晶粒,在薄膜生长初期,钨片上薄膜成核速率小,晶粒粒度大,晶粒生长速率大,成膜时间长,钼片反之;(2)对于相同的金属基底、不同的电解质溶液,在薄膜生长初期,Ba MO4薄膜最早的成核时间要早,Ba MO4薄膜成核速率小,晶粒生长速率大,晶粒粒度大,成膜时间短;Sr MO4薄膜反之;(3)薄膜上晶粒的取向与基底无关,而与电解质溶液中的阳离子有关。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年05期）
文颖,曾庆元[4]（2015）在《四节点四边形薄膜单元解析几何刚度矩阵推导的杆件比拟法》一文中研究指出考虑到经历大位移、小应变结构构件的几何刚度主要受刚体运动控制,建立与四节点四边形薄膜单元具有相同初始节点力面内刚性转动行为的等效一维杆件系统,推导了二维膜元几何刚度矩阵解析式,避免Lagrangian列式下采用数值积分计算初始内力的非线性虚功存在1)存储整个变形历程单元积分点内力值,占用大量计算内存。2)逐一计算几何刚度矩阵各元素数值,计算耗时长的问题,计算效率随单元数量增加而显着降低。此外,本文提出的显式几何刚度矩阵与自然变形无关,可应用于具有任意边界形状、位移模式的四节点四边形膜元,通用性良好。数值算例验证了解析几何刚度矩阵通过刚体运动法则检验,具有较高分析精度。(本文来源于《第24届全国结构工程学术会议论文集（第Ⅰ册）》期刊2015-10-31）
郑启航,金凤,杨强,乔正[5]（2015）在《框架带孔薄膜浮式防波堤单元体》一文中研究指出针对现有浮式防波堤存在的问题,提出了一种新型的框架带孔薄膜浮式防波堤单元体。采用物理模型实验方法,对防波堤的消波效果和使用性能进行了研究,认为该框架带孔薄膜浮式防波堤单元体组装成浮式防波堤不仅具有良好的消能效果,而且兼具柔性浮式防波堤的优点,克服了箱式浮堤固有周期小的问题,应用前景良好。(本文来源于《中国水运(下半月)》期刊2015年05期）
郭晓佩[6]（2015）在《PVDF薄膜的制备及热释电单元器件研究》一文中研究指出聚偏氟乙烯(PVDF)是一种优秀的聚合物热释电材料,PVDF薄膜型的热释电探测器具有性价比高、体积小的优点,且制备工艺简单、可进行大规模生产。这使PVDF材料成为商用及军用的热门材料制备热释电探测器。本文对PVDF薄膜型太赫兹热释电单元器件的研究,采用旋涂法制备PVDF薄膜,并针对其热释电系数较小的缺点,提出一种掺杂Mg(NO3)2.6H2O的新方法提高PVDF薄膜β晶相的含量,从而得到高热释电性能的PVDF薄膜,同时测试了PVDF薄膜和Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜的介电、铁电、热释电性能,并制备出单元器件,搭建测试平台,测试单元器件性能。研究PVDF薄膜制备工艺及介电、铁电、热释电性能。研究不同溶剂对薄膜红外光谱的影响,退火工艺对PVDF薄膜表面形貌的影响,不同衬底材料(Al和FTO)和测试温度对PVDF薄膜介电、漏电性能的影响。测试了极化后PVDF薄膜的电滞回线、漏电流和热释电系数。测试得到PVDF的漏电流为1.5×10-8A、剩余极化强度Pr=0.65μC/cm2、矫顽电场Ec=39v/μm、热释电系数p=8.7×10-10C/Kcm2。通过溶液法得到PVDF薄膜仅含有少量的β晶相,具有较低的热释电性能,本文提出一种掺杂Mg(NO3)2.6H2O的新方法,得到具有高β晶相的PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜,并对其表面形貌、红外光谱、介电、漏电、铁电、热释电性能进行研究。测试得到在1KHz条件下PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜的相对介电常数为10.8、介电损耗为0.05、漏电流为-1.28×10-10A、剩余极化强度Pr=1.22μC/cm2、矫顽电场Ec=50v/μm、热释电系数p=6.3×10-9 C?cm-2?K-1,计算出电压响应优值Fv=2.3×10-10C?cm?J-1、探测优值Fd=4.3×10-9C?cm?J-1。通过本实验制备的PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合材料具有优秀的热释电性能。研究PVDF薄膜的太赫兹热释电探测单元的制备工艺,制备出平面的结构的PVDF热释电单元探测器。并根据实验室条件自行搭建的太赫兹测试系统分别对PVDF薄膜和PVDF/Mg(NO3)2.6H2O薄膜的热释电单元探测器进行测试。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-04-14）
尚正国,李东玲,温志渝,赵兴强[7]（2013）在《硅基氮化铝薄膜风致振动MEMS能量采集单元》一文中研究指出研究了基于氮化铝(AlN)薄膜的压电式风致振动微机电系统(MEMS)能量采集单元的制备工艺。采用脉冲直流磁控溅射的方法制备了具有(002)择优取向的AlN压电薄膜,并通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的性能。测试结果表明:种子层材料、气体流量比和衬底温度等对AlN薄膜晶体取向及薄膜性能有重要影响。制备的具有(002)择优取向的AlN薄膜的衍射强度达到105count,半高宽为2.7°。对硅基AlN风致振动MEMS能量采集单元加工工艺流程进行优化,制备出了风致振动能量采集系统原理样机。风洞实验表明,在15.9m/s的风载荷作用下,MEMS能量采集单元的最大输出功率为1.6μW。该工艺亦可用于其他硅基AlN薄膜MEMS器件的制备。(本文来源于《光学精密工程》期刊2013年12期）
王佩红,杜和军[8]（2013）在《基于双ZnO薄膜单元并联结构的微型压电振动能量采集器(英文)》一文中研究指出报道了一种基于ZnO压电薄膜双单元结构的压电式微型振动能量采集器,其中的双压电元件是并联结构.采用射频磁控溅射技术制备ZnO压电薄膜,同时,该压电式振动能量采集器采用微加工技术制作.测试表明该器件的共振频率为1 300 Hz,基于ZnO薄膜双单元并联结构的压电式振动能量采集器比起具有同样尺寸的传统型压电振动能量采集器有更高的输出性能.在频率为1 300 Hz,加速度为10 m/s2的外界振动激励下,该压电式振动能量采集器在1 MΩ负载电阻上产生的电压为2.06 V;当负载电阻为0.6 MΩ时,输出功率最大为1.25μW.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2013年04期）
张建,杨庆山,谭锋[9]（2010）在《基于薄壳单元的薄膜结构褶皱分析》一文中研究指出薄膜结构是由柔性膜材作为主要受力构件的一种新型空间结构。在外荷载的作用下,膜材会产生褶皱,进而影响膜结构的受力性能和可靠性。因此,对薄膜结构的褶皱分析是十分必要的。根据屈曲理论,采用薄壳单元对张拉薄膜结构在面内荷载作用下的褶皱问题进行模拟,得到褶皱的波长、幅值及方向等信息。通过与实验结果的比较,证明该文方法的准确性和有效性。采用该方法,在准静态条件下,分析了在工作荷载下气枕式充气膜结构的形与态。在其基础上,考虑垂直于膜面与膜面内荷载共同作用下气枕的褶皱分布情况及应力状态。计算结果表明:采用薄壳单元可以模拟张拉薄膜结构与充气薄膜结构的变形、褶皱具体信息以及单元应力变化情况等。(本文来源于《工程力学》期刊2010年08期）
刘晓明[10]（2010）在《InAsSb红外光电薄膜制备和表征与单元器件研究》一文中研究指出InAsxSb1-x薄膜以其结构稳定、高载流子迁移率、小介电常数等优点在中长波红外探测领域具有潜在的应用前景。但由于缺乏晶格匹配的衬底,生长高质量InAsSb薄膜仍是个难点,而且人们希望InAsSb的红外探测截止波长能够更长一些。基于以上背景,本文主要研究了GaAs衬底上分子束外延InAsSb薄膜的工艺以及所制备薄膜的结构和性能,设计和制备了以InAsSb/InSb应变超晶格为探测层的光伏型单元器件,并对其光电性能进行了研究。以InSb外延层做为InAsSb薄膜的缓冲层,研究了生长温度、V/III束流比、低温形核层厚度等对InSb缓冲层质量的影响。得到优化生长工艺为:先以衬底温度345℃,生长速率0.2μm/h, V/III束流比为1.5,生长厚度65nm的InSb低温形核层,再以生长速率1.2μm/h,衬底温度为390℃-415℃,V/III束流比为3.6,生长所需厚度的InSb层。低温形核层为43nm时,InSb外延层以二维成核方式生长,而低温缓冲层厚度为65nm、87nm以及无低温形核层时,InSb外延层以台阶流动方式生长。研究了工艺参数对InAsSb薄膜Sb组分、晶体质量及性能的影响,特别是不同缓冲层对中等Sb含量的InAsSb薄膜晶体质量及性能的影响。结果表明不同As(As_2和As_4)气氛下,生长温度和As/Sb束流比对InAsSb薄膜组分和质量的影响不同:在As_4气氛下,改变温度和As_4/Sb_4束流比对Sb组分的影响较小,且当温度高于420℃时,薄膜质量显着下降;在As_2气氛下生长温度和As_2/Sb_4束流比均对Sb组分产生较大影响,且生长温度为450℃时仍可得到晶体质量较好的InAsSb薄膜。通过Hall测试研究了磁场和温度对InAsSb薄膜电学性能的影响。结果表明霍尔系数和磁阻随磁场强度的变化规律以及迁移率随温度的变化规律均与理论吻合的很好。用优化后的工艺生长的InAsSb薄膜具有非常优秀的电学性能:室温掺杂浓度为3.5×10~(18)cm~(-3)时, 300K的霍尔迁移率为19000cm~2/V·s,77K的霍尔迁移率达到27500 cm~2/V·s;未掺杂时,InAsSb薄膜为弱p型,300K的霍尔迁移率为34000cm~2/V·s。通过红外傅里叶变换研究了InAs1-xSbx薄膜的光学性能。当Sb含量大于0.7时InAsSb薄膜的带隙随Sb组分的变化规律基本符合现有经典公式。中等Sb含量(x=0.53)的InAsSb薄膜的带隙明显大于经典公式计算的带隙值。设计并制备了InAsSb/InSb超晶格为探测层的p-i-n红外光电二极管。双晶X射线衍射和高分辨透射电镜研究结果表明,InAsSb/InSb超晶格具有非常高的晶体质量。光电测试结果显示二极管有很好的光电性能:77K时在2.7-3.5μm,4-12μm和15-25μm处均有响应,其中4-10μm处的响应非常强,与本征跃迁对应。随温度的升高2.7-3.5μm和15-25μm的响应很快就消失了,而随温度的继续升高,噪声明显增强,最终使10-12μm处的响应也淹没在噪声中。本征响应的最高工作温度可达260K。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2010-07-01）
薄膜单元论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种局域共振单元复合声子晶体板结构,并结合有限元对晶体板结构的带隙特性、隔声性能进行了分析.结果表明,共振带隙的产生是由共振单元与板中传播的弹性波相互耦合造成的,耦合强度直接影响共振频率和带隙宽度,隔声效果与薄膜的厚度直接相关.通过改变薄膜的厚度可以将隔声效果调节到满足机舱飞行员正常驾驶的要求.该结构在200dB以下具有良好的隔振效果,最大隔声量达到150dB.该研究为获得良好的隔声效果提供了理论支持,在航空发动机减振降噪方面具有潜在的应用前景.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜单元论文参考文献
[1].盖晓玲,邢拓,李贤徽,张斌,王芳.微穿孔板结合薄膜单元复合结构的吸声性能研究[C].全国声学设计创新技术与文化建筑声学工程学术会议论文集.2018
[2].张佳龙,姚宏,杜军,姜久龙,董亚科.局域共振单元与薄膜复合声子晶体板结构的低频降噪[J].光子学报.2016
[3].安红娜,陈连平,吴浪.电化学技术制备白钨矿单元多晶薄膜的生长特性研究[J].人工晶体学报.2016
[4].文颖,曾庆元.四节点四边形薄膜单元解析几何刚度矩阵推导的杆件比拟法[C].第24届全国结构工程学术会议论文集（第Ⅰ册）.2015
[5].郑启航,金凤,杨强,乔正.框架带孔薄膜浮式防波堤单元体[J].中国水运(下半月).2015
[6].郭晓佩.PVDF薄膜的制备及热释电单元器件研究[D].电子科技大学.2015
[7].尚正国,李东玲,温志渝,赵兴强.硅基氮化铝薄膜风致振动MEMS能量采集单元[J].光学精密工程.2013
[8].王佩红,杜和军.基于双ZnO薄膜单元并联结构的微型压电振动能量采集器(英文)[J].纳米技术与精密工程.2013
[9].张建,杨庆山,谭锋.基于薄壳单元的薄膜结构褶皱分析[J].工程力学.2010
[10].刘晓明.InAsSb红外光电薄膜制备和表征与单元器件研究[D].哈尔滨工业大学.2010