导读:本文包含了双晶射线衍射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:X射线双晶衍射,分子束外延,量子阱,电化学C-V
双晶射线衍射论文文献综述
马永强[1]（2007）在《GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析》一文中研究指出X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试的主要手段之一。本文采用优化MBE技术生长了GaAs基多层异质结材料并利用CVD法生长了SiC MESFET同质外延材料,运用X射线运动学理论并结合动力学模拟分析软件对样品的结构参数和界面完美性进行了详细的研究分析。具体内容如下:1.计算了InGaAs/GaAs量子阱材料的结构参数,并结合动力学模拟软件对材料的结构参数进行模拟。实验结果表明MBE技术中引入双速生长法,在生长量子阱中超薄的阱层和垒层结构时,采用较慢速率生长可使层厚偏差仅为几个埃;在生长较厚帽层和缓冲层时,采用相对较快速率生长的层厚误差也小于1.8%;引入中止生长法使材料中In组分的误差百分比小于1.9%。电化学C-V法测试结果也表明MBE系统中配置两个掺杂Si源,设定不同的温度分别进行轻掺杂和重掺杂,使量子阱材料帽层中的掺杂浓度百分比误差小于3.3%。2.利用布拉格定律对X射线双晶衍射系统中Kα1和Kα2射线带宽Δλ在衍射中产生的色散效应进行了研究,推导了由色散效应引起的衍射峰展宽宽度的计算方法和公式,分析结果表明参考晶体与测试样品各外延层晶体的衍射面间距的接近程度,直接影响了各外延层衍射峰展宽程度的大小。3.对4H-SiC单晶和CVD法生长的4H-SiC金属-半导体场效应晶体管(MESFET)同质外延材料样品的(004)面XRD测试中出现的相对较低的衍射强度现象进行了初步分析和讨论,研究了双原子层结构在X射线衍射过程的影响作用。(本文来源于《河北工业大学》期刊2007-11-01）
张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环[2]（2007）在《MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究》一文中研究指出用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.(本文来源于《电子器件》期刊2007年04期）
卜夏正,武一宾,商耀辉,王建峰[3]（2006）在《RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量》一文中研究指出在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体质量良好,纳米薄膜的组分和厚度偏差分别控制在2%和3.5%之内,说明薄层的生长得到了精细控制。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2006年11期）
潘红雅[4]（2006）在《半导体超晶格的X射线双晶衍射研究》一文中研究指出X射线双晶衍射模拟技术及运动学理论模拟双晶衍射摇摆曲线是研究研究半导体多层膜和超晶格的结构及完美性的有效手段。本文从X射线运动学的普遍理论——布拉格方程出发，推导出适用于多层膜及超晶格结构的X射线衍射摇摆曲线理论模拟的迭代解。对几种不同的多层膜、超晶格结构的结构参数和结构完美性进行了详细的研究分析。 1．计算了AlGaAs／GaAs材料的超品格以及量子阱结构参数，并研究了低级卫星峰的规律性消光规律。采用具有整数分子层的过渡层理论模型，研究了超晶格中零级峰的峰位漂移，过渡层对超晶格卫星峰强度的影响。 2．对InGaAs／GaAs外延多层膜结构的弛豫机制以及结构参数进行研究。对15周期的In_(0.1)Ga_(0.9)As／GaAs超品格的实验分析表明，应变弛豫机制起主要作用。模拟计算出该样品的周期为200A，In的组分为0.08，GaAs层与InGaAs层的厚度分别为110A和90A。 3．设计生长了不同结构的GaSb／GaAs样品，优化了生长条件和参数。在GaSb／GaAs应变层超品格的X射线衍射曲线中观察到了7级卫星峰，考虑了生长过程中生长温度，组分变化对外延层的影响，并对过渡层厚度和生长速率的变化对X射线双晶衍射曲线的影响作了详细的分析，获得了对实验曲线的最佳拟合。对GaSb／GaAs应变层超晶格不完美性地影响因素进行了初步分析和讨论。(本文来源于《长春理工大学》期刊2006-11-01）
马通达,屠海令,胡广勇,邵贝羚,刘安生[5]（2005）在《Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨叁轴晶X射线衍射》一文中研究指出运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨叁轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨叁轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年07期）
戴江南,王立,方文卿,蒲勇,江风益[6]（2004）在《ZnO/GaN/Al_2O_3的X射线双晶衍射研究》一文中研究指出以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,以GaN/Al2O3为衬底采用常压MOCVD技术生长了高质量的ZnO单晶膜。用X射线双晶衍射技术测得其对称衍射(0002)面ω扫描半峰宽(FWHM)为404arcsec,表明所生长的ZnO膜具有相当一致的C轴取向;其对称衍射(0004)面ω-2θ扫描半峰宽为358arcsec,表明所生长的ZnO单晶膜性能良好;同时,该ZnO薄膜的非对称衍射(1012)面ω扫描半峰宽为420arcsec,表明所生长的ZnO膜的位错密度为108cm-2,与具有器件质量的GaN材料相当。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2004年04期）
刘文莉,李林,钟景昌,张永明,赵英杰[7]（2004）在《垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析》一文中研究指出利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合(本文来源于《长春理工大学学报》期刊2004年02期）
李林,李梅,钟景昌,赵英杰,王勇[8]（2003）在《DBR结构参数的X射线双晶衍射研究》一文中研究指出利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。"0"级双晶衍射峰的半高宽为12.36″,衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.57″。"0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离,计算出了DBR的周期D及Al含量x值。X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合。(本文来源于《半导体光电》期刊2003年06期）
刘艳美,赵宗彦,杨坤堂,徐章程,韩家骅[9]（2003）在《自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究》一文中研究指出用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜、原子力显微镜的观察结果表明对子单层沉积方法获得的量子点层采用化合物构层进行拟合所得结果是合理的(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2003年06期）
冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚[10]（2003）在《GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量》一文中研究指出提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠。(本文来源于《中国科学G辑:物理学、力学、天文学》期刊2003年02期）
双晶射线衍射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双晶射线衍射论文参考文献
[1].马永强.GaAs多层异质外延结构材料和SiCMESFET结构材料的X射线双晶衍射分析[D].河北工业大学.2007
[2].张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环.MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究[J].电子器件.2007
[3].卜夏正,武一宾,商耀辉,王建峰.RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量[J].微纳电子技术.2006
[4].潘红雅.半导体超晶格的X射线双晶衍射研究[D].长春理工大学.2006
[5].马通达,屠海令,胡广勇,邵贝羚,刘安生.Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨叁轴晶X射线衍射[J].半导体学报.2005
[6].戴江南,王立,方文卿,蒲勇,江风益.ZnO/GaN/Al_2O_3的X射线双晶衍射研究[J].功能材料与器件学报.2004
[7].刘文莉,李林,钟景昌,张永明,赵英杰.垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析[J].长春理工大学学报.2004
[8].李林,李梅,钟景昌,赵英杰,王勇.DBR结构参数的X射线双晶衍射研究[J].半导体光电.2003
[9].刘艳美,赵宗彦,杨坤堂,徐章程,韩家骅.自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究[J].材料科学与工程学报.2003
[10].冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J].中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003