导读:本文包含了熔石英元件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:图像处理,荧光成像,亚表面缺陷,激光损伤性能
熔石英元件论文文献综述
李洪路,刘红婕,蒋晓东,黄进,曹林洪[1]（2019）在《荧光成像技术探测熔石英元件亚表面缺陷》一文中研究指出提出荧光成像技术用于无损探测熔石英光学元件亚表面缺陷,利用该方法获得不同加工工艺下熔石英光学元件的亚表面缺陷。结合熔石英光学元件损伤性能研究,分析了熔石英光学元件亚表面缺陷与其损伤性能的关联关系。结果表明,熔石英光学元件损伤阈值与荧光缺陷密度呈反比关系,即亚表面荧光缺陷较少的样品损伤性能较好。这说明利用该技术方法可以有效评价熔石英光学元件的损伤性能。该研究结果对光学元件加工技术具有指导意义。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年01期）
郑刚[2]（2018）在《金属杂质诱导熔石英元件的辐照损伤特性及修复动力学研究》一文中研究指出大型高功率激光装置的负载能力是利用惯性约束聚变原理解决人类未来能源危机的核心技术指标。熔石英元件的损伤阈值大小直接制约着点火装置的激光能量密度的进一步提高。金属杂质是降低熔石英元件损伤阈值的一个主要原因,通过分析和模拟金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤及修复的物理过程来认识其温度场和应力场的变化规律。为了尽可能延长熔石英元件的使用寿命,保证大型高功率激光装置的稳定运行,一方面要根据辐照损伤特性提高熔石英元件的损伤阈值,另一方面要利用损伤修复技术抑制熔石英元件的损伤增长。使用有限元分析软件COMSOL进行仿真建模,金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤及修复的物理过程得到了数值模拟。论文的研究和结论如下:(1)通过分析金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤的温度场分布,熔石英元件的宽度为20mm,厚度为10mm,椭球状金属杂质长半轴为30μm,短半轴为10μm,金属杂质选用材料库中的Cu,受到250W的高功率激光(光斑半径为2.5mm)辐照作用后金属杂质的温度变化非常大,t=0.05s时,金属杂质的温度已达到2000K。t=0.45s时,金属杂质的温度已高达4000K,远超过熔石英的熔点,熔石英元件的表面构型开始被破坏。(2)通过分析金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤的应力场分布,熔融流速的最大值出现在距离光斑中心600μm的径向上,流速最大值为9.88×10~(-4)m/s,应力压强的最大值出现在熔融流速的最大值处,压强的最大值为748Pa。最后得出圆球状和椭球状金属杂质诱导损伤的特性非常相似,而薄膜状金属杂质导致的损伤坑深度最小。(3)通过分析CO_2激光辐照熔石英元件损伤修复的温度场分布,在CO_2激光功率为50W,光斑尺寸为0.02mm,损伤坑宽度为3μm,深度为0.4μm的条件下,t=4.5s时,熔石英元件的不规则的损伤坑结构已被修复为平滑的高斯型结构。(4)通过分析CO_2激光辐照熔石英元件损伤修复的应力场分布,熔融流速的最大值出现在距离光斑中心6μm的径向上,流速的最大值为2.07×10~(-6)m/s,应力压强的最大值出现在熔融流速的最大值处,压强的最大值为4320Pa。最后得出辐照时间和激光功率的特性非常相似,而光斑半径对损伤坑的修复深度影响最明显。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-04-01）
白阳,蒋晓龙,蒋一岚,张丽娟,张传超[3]（2018）在《熔石英元件修复点交联分布对光传输影响的数值模拟》一文中研究指出建立了熔石英元件修复点交联分布数值模拟模型,利用标量衍射理论结合快速傅里叶变换算法,分析了351nm激光辐照下修复区域对下游光传输的调制影响。研究结果表明,交联修复区域对下游光传输的调制主要受修复点间交联程度的影响,随着交联程度的增大,调制光场极大值迅速增大后快速减小,其分布位置先逐渐靠近后迅速远离修复元件出光面。光场调制随着传输距离的增大先快速增大后迅速减小。优化交联修复区域形貌结构参数可有效避免下游元件发生级联损伤。(本文来源于《中国激光》期刊2018年06期）
孙来喜,黄进,刘红婕,叶鑫,伍景军[4]（2017）在《利用浅度复合刻蚀技术获得超高损伤性能的熔石英元件表面》一文中研究指出熔石英光学元件的激光诱导损伤行为严重限制了其在高能密度科学领域(如惯性约束聚变、高能光源等)的发展和应用。为了消除或减缓熔石英表面缺陷对元件损伤性能的恶劣影响,国内外发展了丰富多样的熔石英表面处理手段。基于HF酸的动态化学刻蚀技术在提升熔石英损伤性能方面已(本文来源于《第十二届全国光学前沿问题讨论会会议论文摘要集》期刊2017-11-17）
王开宇[5]（2017）在《熔石英元件光学缺陷激光修复的动力学过程研究》一文中研究指出对CO_2激光修复熔石英元件损伤的理论上的计算模拟,首先要建立修复元件损伤的物理过程的模型及对不同损伤形貌的几何模型。研究在同一激光参数下不同损伤尺寸的热力学和动力学过程;研究在同一损伤尺寸不同激光参数下的热力学和动力学过程。作为高通量段固体激光装置的首选材料熔石英,由激光导致的损伤依然是限制CO_2激光通量的主要因素。抑制元件表面损伤增加,是提高激光装置负载能力的一个重要方法。在众多修复损伤的方法中,普遍认同CO_2激光的修复效果,针对这种修复方案的物理过程展开了理论分析及数值计算,本文研究的主要内容及结论如下:1.总结了熔石英表面损伤的特点、类型。结果表明:可以从损伤形貌上将其划分为划痕型、麻点型、坑洞型等几种。从形成属性上可分为脆性、塑性以及两种属性相混的损伤形貌。损伤点的形貌与CO_2激光光束形状、大小和空间分布有直接关系。对常见的元件表面损伤形貌进行建模,运用传热和流动的耦合来确立激光辐照熔石英元件的熔融模型,定量的描述了熔石英元件修复过程中的表面特征。2.只改变一种CO_2激光的参数,保持其它参数不变情况下,探讨了多种激光参数对修复不同损伤形貌的结果。结果显示修复后的形貌,基本外形呈现高斯坑形,对修复结果的影响比较显着的激光参数有:激光辐照时间、光束形状和功率。脉冲频率对修复尺寸的影响则不大,但增加频率可显着的缓解熔石英材料的蒸发,而对熔石英材料的熔融区域影响不大,可使元件修复后的表面更加光滑。和现有的实验结论相符合。3.计算了高斯形光束辐照熔石英元件的温度的演化过程和温度分布。刚修复后,最高温度位于光斑中心,并由中心向外梯度下降,温度在材料表面的下降速度较快,而温度在材料内的的下降速度则较慢,材料表面的等温线呈环形,而元件内的等温线的深度相对较小、宽度相对较大。在修复过程中和和修复后的冷却降温过程中温度变化均是先快速降低,然后减缓。4.在模拟修复后冷却过程中采用蠕变理论来分析,用该理论分析熔石英材料的退火过程中的应力。通过模拟可知该理论可有效的分析退火过程中的应力。此外,通过对比可以发现在退火过程中可以用大光束的激光,这有利于提高熔石英元件修复后的表面光滑程度。5.计算了激光辐照元件的热应力的分布与演化,及激光参数如何影响应力分布。CO_2激光辐照过程中光斑所在区会产生压应力,而在光斑之外产生拉应力,修复后的降温过程恰恰相反。材料表层的主应力关于光斑中心呈圆形分散开,光束中心元件表面的最大拉应力处于光束外围。而材料表面的最大剪切应力有四个,它们关于光束的圆心对称,并且位于辐照边缘,形状相似。此外残余剪切应力的最大半径只与激光光束的半径有关,和现有的实验结论相符合。6.模拟计算了光束半径、激光功率、辐照时间叁个激光参数如何影响修复过程中材料在熔融时的流动,结果显示,随辐照时间的延长,熔融材料的流速迅速上升,同时,凸起环高度和高斯坑深度也快速增加。此外,在元件相同的最高温度情况下,改变光束半径和激光功率对的流速影响均较小。随着激光单位面积功率增大,凸起环高度、高斯坑深度、宽度均有不同程度增大,然而,激光功率对坑深和环高影响更显着,而光束半径对坑深和环高影响较弱,但对坑宽的影响却较显着。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-04-05）
赵子渊[6]（2017）在《熔石英元件超光滑磁流变抛光工艺基础研究》一文中研究指出熔石英材料具有优良的物理和光学性能并被大量应用于强激光技术领域,然而传统光学加工技术难以使熔石英表面的粗糙度稳定降到1nm以下,同时加工过程造成的(亚)表面缺陷是降低熔石英元件抗激光损伤阈值的主要因素。磁流变抛光是一种先进的柔性抛光加工技术,为实现熔石英材料超光滑表面加工提供了新方法。磁流变抛光工艺参数和磁流变抛光液性能是决定抛光去除质量和效果的主要因素,也是获得熔石英超光滑表面的关键。目前,以表面均方根为主的超光滑表面评价指标难以有效地表征磁流变抛光工艺参数对熔石英元件的超光滑表面影响,这直接制约了磁流变抛光工艺的发展。本文在表面均方根评价基础上结合功率谱密度法(PSD)作为超光滑表面质量评价方法,对影响熔石英超光滑表面的主要工艺因素开展研究。首先,从分析熔石英材料的物理化学性质出发,阐明了水对熔石英材料去除起不可忽视的作用。对熔石英材料去除特性及去除模型的研究表明控制熔石英材料的去除量是获得超光滑表面的关键,并基于赫兹接触理论,计算出熔石英材料的理论临界去除深度。结合磁流变抛光去除机理和微纳米颗粒团聚-分散行为的研究获得磁流变抛光液中固相颗粒的法向载荷及颗粒的分散性是影响熔石英超光滑表面质量的主要因素,其中颗粒粒径和溶液pH值对颗粒的分散性影响较大。其次,分析了采用二维轮廓均方根(Rq)和叁维表面均方根(Sq)对表征和量化超光滑表面质量的方法存在不足,即二者只能描述微观形貌在一个方向(z向)的幅值变化,无法有效表征磁流变工艺对熔石英超光滑表面在平面方向(x向和y向)的影响。因此,提出了基于功率谱密度从叁个维度去评价磁流变工艺对熔石英超光滑表面的影响。第叁,基于电磁学仿真,深入分析了改变磁流变抛光浸入深度和励磁电流影响磁流变抛光液固相颗粒的法向载荷,进而影响熔石英超光滑表面质量的本质。研究表明,浸入深度和励磁电流都是通过改变磁场梯度影响抛光效果,且二者和磁场梯度均呈现线性关系。最后,基于抛光工艺实验研究了不同粒径的磁性颗粒和磁流变抛光液pH值对超光滑表面质量之间的映射关系。结果表明,铁粉粒径主要影响空间频率在100.1～102mm-1之间的PSD;pH对熔石英表面PSD的影响集中在100.1～102.6mm-1,碱性增强将扩大磁流变抛光后熔石英不同方向微观表面形貌的差异性。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2017-04-01）
陈恒[7]（2016）在《熔石英元件电感耦合等离子体加工关键工艺研究》一文中研究指出核聚变能源具有清洁无污染、永不枯竭的特点,是人类可以期待的终极能源。惯性约束核聚变技术(Inertial Confinement Fusion,ICF)作为产生聚变能源的主要技术,目前技术瓶颈之一在于其强光光学系统中大量应用的大口径熔石英元件的加工问题。电感耦合等离子体加工技术(Inductively Coupled Plasma Processing,ICPP)是一种高效无损伤的硅基材料加工方法。由于其本质是一种在等离子体条件下的化学反应,在不引入新的加工损伤的同时可以高效去除硅基光学材料表面的损伤层,因此可以将电感耦合等离子体加工技术引入到熔石英光学元件工艺流程中,以实现熔石英元件的高效加工。目前,应用电感耦合等离子体加工熔石英元件最大的问题是加工过程的热效应以及由此带来的去除函数时变非线性。论文针对电感耦合等离子体加工的温度场、热效应控制、去除函数非线性、驻留时间求解等关键问题展开研究,并进行了实验验证。主要研究内容包括:(1)电感耦合等离子体加工温度场研究。针对电感耦合等离子体温度高和熔石英材料导热性较差的特点,建立等离子体作用在熔石英元件表面的热源模型和导热微分方程,得到熔石英元件温度场模型,对加工过程中的熔石英元件的温度场进行了仿真和实验研究。(2)基于热效应控制的参数与工艺优化。在获得熔石英元件温度场的基础上,本文研究了不同工艺参数组合对熔石英元件温度场的影响,对比了不同加工路径对边缘效应的影响,优化了工艺参数和加工路径。(3)对去除函数时变非线性规律进行研究。由于电感耦合等离子体加工的去除函数呈现时变特性,本文研究了电感耦合等离子体去除函数提取方法与时变规律,通过实验确定了去除函数时变非线性模型。(4)研究时变去除函数的驻留时间算法。在获得去除函数时变非线性模型的基础上,本文提出了基于脉冲迭代的驻留时间补偿算法。同时,提出了一种新的面形误差延拓方法:光滑下降延拓。相比其他边缘延拓方式,应用该方法可以在相对较短的时间内加工出最小的残差。(5)电感耦合等离子体修形工艺实验研究。利用时变去除函数驻留时间算法、新的边缘延拓方法和加工路径在熔石英平面方镜上进行了修形加工。一次加工(16.8分钟)使一块100mm方镜的全口径面形误差从RMS 0.854λ下降到RMS0.122λ。实验结果验证了驻留时间补偿算法的有效性,说明了电感耦合等离子体加工的高效修形能力。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-11-01）
杨平[8]（2016）在《熔石英元件纳米SiO_2超光滑低缺陷射流抛光技术研究》一文中研究指出纳米SiO_2射流抛光是一种基于弹性域去除,可实现超光滑低缺陷加工的抛光方法。纳米SiO_2射流抛光往往采用的是单孔喷嘴式加工,加工效率较低。为了提高加工效率,纳米SiO_2射流抛光的喷嘴由单孔喷嘴结构转向多孔喷嘴结构发展,而多孔喷嘴结构在孔的布局上存在问题。另外,纳米SiO_2射流抛光研究内容主要局限于表面的超光滑加工,很少利用纳米SiO_2射流抛光来处理元件表面的破碎性缺陷和污染性缺陷问题。本文主要针对纳米SiO_2射流抛光加工效率低和元件低缺陷加工展开研究。研究的主要内容包括:(1)根据射流抛光的特点,建立了碰撞模型。利用该碰撞模型划分了弹性域、塑性域和脆性域碰撞的边界条件。根据这些边界条件和实验加工效果选取抛光颗粒粒径。再根据加工的稳定性和加工后产物是否会引入杂质颗粒选取了抛光液。最后,从分子角度分析了纳米SiO_2射流抛光去除机理,过程分为化学吸附和弱化的原子键发生化学键断裂。从去除原理分析出,纳米SiO_2射流抛光可实现原子级去除。(2)根据纳米SiO_2射流抛光去除机理,分析实验装置应具有的功能,进行实验装置设计,而装置设计的最主要部分是喷嘴结构设计。先进行单孔喷嘴仿真,根据单孔流场分布构建单缝喷嘴仿真。研究压强、间隙和长宽比变化对单缝喷嘴流场分布的影响,通过比较作用在元件表面的压力、剪切力和紊动强度大小,选择了合适的单缝参数。利用单缝喷嘴设计组合式线性喷嘴结构,相同压强下,通过实验验证了线性组合式喷嘴确实可以提高加工效率。(3)纳米SiO_2射流抛光装置的应用。利用纳米SiO_2射流抛光装置对于熔石英元件进行加工,主要针对超光滑和低缺陷两方面问题进行研究。在超光滑方面,经过纳米SiO_2射流抛光工艺处理后,熔石英元件表面粗糙度得到快速降低。在低缺陷方面,选用的赫兹型划痕在去除一定深度时,划痕的宽深比增大,熔石英元件抗激光损伤能力增强;磁流变工艺处理后的熔石英元件经过纳米SiO_2射流抛光方法处理,表面的铁元素和铈元素含量降低,同时元件表面质量提高。本课题的研究将有助于推动纳米射流抛光技术的发展,组合式线性喷嘴设计为提高去除效率提供了方法。另外,本课题对于低缺陷加工方面的研究,特别是纳米射流抛光对于污染元素的去除的研究,奠定了纳米SiO_2射流抛光低缺陷加工的基础。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-11-01）
沈超[9]（2016）在《高功率纳秒激光诱导熔石英元件损伤动力学研究》一文中研究指出作为常用的光学元件,熔石英的激光损伤问题长期以来限制着大功率激光器的发展。当前对熔石英的激光损伤研究存在偏缺陷机制而对损伤动力学研究较少、偏紫外波段而对基频1064nm研究不足的问题。本文基于自行搭建的泵浦探测平台,综合利用阴影成像、干涉成像和ICCD(增强型CCD相机)快速照相技术对1064nm纳秒激光对熔石英元件损伤动力学过程进行了较为系统的实验与数值研究,具体结果如下:1.基于时间分辨阴影和干涉成像技术对后表面损伤过程进行了原位探测,并利用点爆炸和二维粘性可压缩流体模型对激光等离子体的扩张过程进行了数值模拟。结果表明,损伤点首先由缺陷处产生,并在损伤坑附近空气端产生等离子体。数值模拟结果表明等离子体内部压强最高可达600MPa,且在百纳秒尺度存在向内传播的内激波。同时材料内部也存在高速扩张的不透明区域,但其扩张过程在脉冲结束后迅速停止。脉冲结束后,材料响应主要表现为应力波的传播和裂纹的扩展,体内裂纹的形成时间尺度约为几百纳秒。损伤发生数十纳秒后,空气端等离子体中可观察到纳米级中性物质喷发。在百纳秒延迟尺度,后表面损伤区域可观察到明显的微米级粒子喷发。随延迟增加,粒子特征从球状、小直径(5~20 m)和高速(>1km/s)逐渐变为块状、大直径(>50 m)和低速(<10m/s)。粒子飞行方式包括直线形、螺旋形和回旋形。对比熔石英、K9、CaF_2和NaCl窗口片的粒子喷发现象,发现粒子喷发现象与材料的机械和热力学参数有关。过热爆炸(Phase explosion)、碰撞溅射和应力溅射机制是产生粒子喷发现象的主要原因。2.基于时间分辨干涉成像和ICCD快速照相技术研究了纳秒激光诱导熔石英元件前后表面损伤动力学过程,重点探讨了激光参数对前后表面损伤过程和等离子体扩张规律的影响。结果表明,熔石英元件前后表面损伤过程中空气端等离子体具有不同的自发辐射特性。前表面等离子体表现为内部较明亮的等离子体内核和外部较暗的等离子体外围区域,且其扩张遵循幂指数规律。后表面等离子体形状不规则,且在20ns延迟左右分裂为快慢组分。其中,快组分遵循幂指数规律,慢组分遵循Drag force模型。由于慢组分的运动速度(0.23~1.3km/s)与后表面喷发的中性粒子速度相当,慢组分被认为是中性粒子的热辐射。激光能量和聚焦位置对前后表面损伤过程具有重要影响。对于前表面损伤,激光能量越大,等离子体内部电离程度越激烈,自由电子数密度也越大。激光聚焦中心位置离样品越远,冲击波形状越接近柱形。空气击穿的冲击波会与材料表面诱导的冲击波相互碰撞演化,并形成滞止层。对于后表面损伤,当入射光功率密度高于117GW/cm~2时,损伤坑深度发生跃变,并在之后随功率密度增加而迅速增加,损伤机制由表面损伤向体内线状损伤发展。3.基于双帧阴影成像和ICCD快速照相技术对体损伤形貌的形成过程进行了时间分辨成像,并研究了激光能量和聚焦参数对体损伤形貌的影响。结果表明,熔石英元件体损伤最终形貌的形成过程可分为两个阶段,首先形成线状主体,其次形成“花瓣状”头部。线状主体的形成和增长均表现为离散的击穿点,不同点之间通过热作用相互融合形成最终的连续形貌。等离子体逆韧致吸收和过热材料的吸收导致的屏蔽效应是损伤形貌沿激光方向出现不对称的原因。体损伤形貌的形成时间约为几十微秒。体损伤的横向长度随激光能量或聚焦透镜焦距增大而增大,且相同条件下不同发次的体损伤长度具有较大波动。结合移动击穿模型、自聚焦理论和受激布里渊散射机制讨论了体损伤机理,并认为结合吸收杂质的自聚焦机制可能是导致体内线状损伤的主要原因。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-10-01）
何祥,谢磊,赵恒,马平[10]（2016）在《熔石英元件抛光表面的亚表面损伤研究》一文中研究指出通过结合HF酸洗和微分干涉差显微成像对两组抛光元件的亚表面损伤进行直接观测和分析。结果显示微分干涉差显微成像相比于传统的明场成像具有更好的分辨率,可以更有效检测HF酸洗后暴露的各种浅塑性亚表面损伤。对两组抛光元件的亚表面损伤的对比分析发现熔石英元件在抛光中会产生大量的亚表面损伤,这些亚表面损伤绝大多数是浅塑性的划痕和坑,仅有少量的脆性断裂损伤,较大的抛光颗粒会产生更多更严重的亚表面损伤,并且这些亚表面损伤被表面沉积层所掩盖,表面粗糙度不能反映亚表面损伤的严重程度。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2016年10期）
熔石英元件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
大型高功率激光装置的负载能力是利用惯性约束聚变原理解决人类未来能源危机的核心技术指标。熔石英元件的损伤阈值大小直接制约着点火装置的激光能量密度的进一步提高。金属杂质是降低熔石英元件损伤阈值的一个主要原因,通过分析和模拟金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤及修复的物理过程来认识其温度场和应力场的变化规律。为了尽可能延长熔石英元件的使用寿命,保证大型高功率激光装置的稳定运行,一方面要根据辐照损伤特性提高熔石英元件的损伤阈值,另一方面要利用损伤修复技术抑制熔石英元件的损伤增长。使用有限元分析软件COMSOL进行仿真建模,金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤及修复的物理过程得到了数值模拟。论文的研究和结论如下:(1)通过分析金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤的温度场分布,熔石英元件的宽度为20mm,厚度为10mm,椭球状金属杂质长半轴为30μm,短半轴为10μm,金属杂质选用材料库中的Cu,受到250W的高功率激光(光斑半径为2.5mm)辐照作用后金属杂质的温度变化非常大,t=0.05s时,金属杂质的温度已达到2000K。t=0.45s时,金属杂质的温度已高达4000K,远超过熔石英的熔点,熔石英元件的表面构型开始被破坏。(2)通过分析金属杂质诱导熔石英元件辐照损伤的应力场分布,熔融流速的最大值出现在距离光斑中心600μm的径向上,流速最大值为9.88×10~(-4)m/s,应力压强的最大值出现在熔融流速的最大值处,压强的最大值为748Pa。最后得出圆球状和椭球状金属杂质诱导损伤的特性非常相似,而薄膜状金属杂质导致的损伤坑深度最小。(3)通过分析CO_2激光辐照熔石英元件损伤修复的温度场分布,在CO_2激光功率为50W,光斑尺寸为0.02mm,损伤坑宽度为3μm,深度为0.4μm的条件下,t=4.5s时,熔石英元件的不规则的损伤坑结构已被修复为平滑的高斯型结构。(4)通过分析CO_2激光辐照熔石英元件损伤修复的应力场分布,熔融流速的最大值出现在距离光斑中心6μm的径向上,流速的最大值为2.07×10~(-6)m/s,应力压强的最大值出现在熔融流速的最大值处,压强的最大值为4320Pa。最后得出辐照时间和激光功率的特性非常相似,而光斑半径对损伤坑的修复深度影响最明显。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
熔石英元件论文参考文献
[1].李洪路,刘红婕,蒋晓东,黄进,曹林洪.荧光成像技术探测熔石英元件亚表面缺陷[J].激光与光电子学进展.2019
[2].郑刚.金属杂质诱导熔石英元件的辐照损伤特性及修复动力学研究[D].电子科技大学.2018
[3].白阳,蒋晓龙,蒋一岚,张丽娟,张传超.熔石英元件修复点交联分布对光传输影响的数值模拟[J].中国激光.2018
[4].孙来喜,黄进,刘红婕,叶鑫,伍景军.利用浅度复合刻蚀技术获得超高损伤性能的熔石英元件表面[C].第十二届全国光学前沿问题讨论会会议论文摘要集.2017
[5].王开宇.熔石英元件光学缺陷激光修复的动力学过程研究[D].电子科技大学.2017
[6].赵子渊.熔石英元件超光滑磁流变抛光工艺基础研究[D].中国工程物理研究院.2017
[7].陈恒.熔石英元件电感耦合等离子体加工关键工艺研究[D].国防科学技术大学.2016
[8].杨平.熔石英元件纳米SiO_2超光滑低缺陷射流抛光技术研究[D].国防科学技术大学.2016
[9].沈超.高功率纳秒激光诱导熔石英元件损伤动力学研究[D].国防科学技术大学.2016
[10].何祥,谢磊,赵恒,马平.熔石英元件抛光表面的亚表面损伤研究[J].强激光与粒子束.2016