导读:本文包含了微米工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微流控,微机电系统,库尔特粒子计数器,亚微米粒子
微米工艺论文文献综述
刘建涛,高运华,韩子钰,李春,段学欣[1]（2019）在《基于牺牲层工艺的微流控亚微米粒子计数器研究》一文中研究指出设计了一种基于微机电系统表面微加工工艺的亚微米粒子计数器微流控芯片。该芯片具有可大规模生产、价格低廉的优势,相比于纳米粒子跟踪分析技术和动态光散射技术,具有体积小、便于集成和在线检测的优点。芯片的检测区域尺寸为高700 nm、宽1μm,可以检测到粒径300 nm的聚苯乙烯微球,具有良好的信噪比。该芯片可以提供一种新的价格低廉的亚微米颗粒物在线检测方法,且采用微机电加工技术,和半导体加工工艺兼容,具有形成芯片实验室的潜力。(本文来源于《分析试验室》期刊2019年11期）
操声跃[2]（2019）在《锂电池用6微米超薄双面光电解铜箔工艺分析》一文中研究指出铜箔是锂电池与印制电路板中的重要导电材料,现已实现规模化生产。本文简要分析了6微米超薄电解铜箔的生产制备方法,围绕生产工艺参数设置、电解液流速流向设置、添加剂选择与含量控制、防氧化处理等四个层面,探讨了锂电池用6微米超薄双面光电解铜箔生产工艺的具体改进策略,以供参考。(本文来源于《山东工业技术》期刊2019年12期）
[3]（2019）在《华润上华发布0.18微米全系列分段式BCD工艺平台》一文中研究指出本报讯 近日，华润微电子有限公司旗下的无锡华润上华科技有限公司（“华润上华”）发布消息，随着物联网、人工智能的发展，当今的新兴应用正以惊人的速度不断出现，其中对于芯片特色工艺的需求更是快速增长。华润上华在特色模拟工艺平台上的耕耘从未停歇，特别是在BCD工(本文来源于《中国电子报》期刊2019-03-15）
于健海,尹亮[4]（2019）在《用于微机械加速度计的亚微米工艺ADC设计》一文中研究指出为了满足高性能微机械加速度计输出数字化的应用需求,基于亚微米工艺提出了一种16位高阶∑Δ模数转换器。采用五阶前馈单比特量化的方法,实现转换器低失真输出。前级积分器采用增益增强折迭共源共栅一级运放结构,提高低频增益,减少前级运放增益非线性对转换器失真的影响。应用积分器输出摆幅优化的方法和开关电容共模反馈电路的方案降低了整体功耗。测试结果表明,当采样频率为8MHz时,小信号输入失真度低于90dB;在低功耗模式下采样频率降低到4MHz,失真度接近90dB。这种高集成大动态范围的五阶前馈∑Δ模数转换器结构实现了16位输出精度,能够满足微机械加速度计的输出信号转换要求。(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2019年03期）
李响[5]（2018）在《基于0.13微米CMOS工艺抗辐射加固单元库设计及验证》一文中研究指出随着航天技术的快速发展,面对复杂的空间辐射环境,如何将应用于太空的集成电路进行抗辐射加固已成为我们必须克服的课题。标准单元库的抗辐射能力直接影响着电路的性能。标准单元库作为设计与工艺的桥梁,不得不在标准单元库的设计中考虑可制造性。因此设计建立具有抗辐射能力的单元库对于缩短应用于太空的集成电路设计周期,提高工作效率至关重要。传统的抗辐射加固设计手段单一,不具备可复用性,设计一次成功率较低,导致设计周期过长、可靠性低,失去产品竞争力。本文通过对总剂量效应和单粒子效应机理研究,结合多年抗辐射加固设计经验,根据晶圆代工厂提供的设计规范、设计流程以及单元库单元的性能指标等要求,采用抗辐射加固技术和可靠性设计技术,提出了完成0.13微米抗辐射加固标准单元库的设计方法,同时优化了标准单元库的建立流程和设计方法。利用模型库进行仿真验证,形成单元库版图,经过工艺流片通过测试和辐射试验进行电参数和抗辐射性能的验证,通过已建立的抗辐射加固库设计一个具有抗辐射能力的集成电路,利用实验电路的设计验证该库的有效性,使之能够为设计0.13微米CMOS抗辐射加固数字集成电路提供设计平台,为实现大规模抗辐射加固集成电路的设计奠定基础。本文论述的抗辐照单元库设计方法,可以协助集成电路设计人员,在版图设计阶段模拟出可能存在的实际制造的问题,提供了一系列的技术优势以及设计创新,有助于集成电路设计可靠性的提高,具有较强的实际意义,一定程度上缩短了整个项目设计周期。本文设计利用已有抗辐射加固设和可靠性设计出PCM版图,在国内成熟的0.13微米商用工艺线上能够稳定可靠的进行生产,通过测试及抗辐射实验,验证该抗辐射加固标准单元库的有效性,最终完成了0.13微米抗辐射加固标准单元库的建立。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-12-21）
袁俊,黄兴,倪炜江,张敬伟,李明山[6]（2018）在《碳化硅表面亚微米减反射结构及其制作工艺》一文中研究指出创新性地提出一种经济高效的碳化硅表面亚微米减反射结构制作工艺,即"黑碳化硅技术"。该方法无需光刻,采用非完全后烘的光刻胶微掩膜反应离子刻蚀(RIE)工艺,克服了碳化硅材料由于高硬度和高化学稳定性而无法采用传统硅材料湿法工艺的困难。利用该技术,已在4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶片表面成功制作出网格状亚微米阵列结构,其深度为200～300 nm。测试结果表明,该结构可以在390～800 nm的波长范围内使SiC表面平均反射率至少降低20%。可以应用于SiC材料制作的中间带太阳电池及紫外探测器件,提升器件的量子效率;或作为高功率GaN LED的生长衬底,增强LED的光出射效率。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2018年12期）
周健,汤洪波[7]（2018）在《微米银粉表面碘化改性工艺参数对其形貌的影响》一文中研究指出以I_2作氧化剂与微米级银颗粒反应,产生AgI,利用其光敏性使AgI分解成纳米银颗粒,最终在微米银颗粒表面负载Ag/AgI纳米团簇,考察了碘银摩尔比、银粉添加方式及后处理曝光方式对微米级银颗粒表面形貌的影响。结果表明,银粉的形貌与碘银摩尔比正相关; Ag/AgI纳米团簇的形貌与尺寸可通过银粉添加方式及后处理曝光方式进行微调。当碘银摩尔比为2∶100时,经直接添加银粉和再分散曝光法制备的银粉表面纳米团簇的粒径小且分布窄。(本文来源于《矿冶工程》期刊2018年05期）
朱赤,王溯源,章军云,林罡,黄念宁[8]（2018）在《光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺》一文中研究指出基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年04期）
梁伟成[9]（2018）在《冷轧退火工艺制备纳米/微米级超细晶粒低碳钢研究》一文中研究指出晶粒细化是提高大块金属结构材料力学性能的有效手段,因此,能够同时提高强度和塑性的超细晶金属材料的制备一直受各国研究人员的关注。本文采用相变+冷轧+退火复合处理路线,通过改变冷轧压下量、退火温度和退火时间,制备了超细晶粒低碳钢。通过光学显微镜和扫描电子显微镜,对不同工艺处理下试样的显微组织以及断口形貌进行观察,运用X射线衍射仪对超细晶钢中碳化物进行成分分析,采用拉伸实验和硬度实验统计分析了试样的力学性能,根据显微硬度测量结果,计算实验钢的再结晶激活能。得到以下主要结论:(1)采用50%冷轧退火工艺制备纳米/微米晶粒钢时,随着退火温度的升高和退火时间的延长,冷轧纤维化组织逐渐发生回复、再结晶和晶粒长大,力学性能也随之发生变化。在550℃退火30min,冷轧组织发生再结晶的同时,纳米级碳化物均匀析出,得到强塑性能匹配良好的超细纳米晶粒,晶粒尺寸细化到330nm,抗拉强度和总延伸率分别为867MPa和16.7%。(2)根据显微硬度和再结晶激活能之间的关系,确定了本实验所用低碳钢的再结晶激活能为320.68k J·mol-1。(3)冷轧压下量增大至70%时,随着压下量的增加,冷轧组织的储存能增加,同时形核点增多,再结晶开始温度降低,相同退火工艺下再结晶行为更加充分。随着退火温度的升高及退火时间的延长,铁素体晶粒尺寸明显增加,渗碳体的形貌也由细小的颗粒状转变为块状。当退火温度为600℃,退火时间为2min时,获得抗拉强度和塑性匹配良好的超细纳米晶粒,试样的平均晶粒尺寸为288nm,抗拉强度和总延伸率分别为753.8MPa和16.5%。(4)采用循环退火工艺制备纳米/微米晶粒钢,重复冷轧退火工艺增加了总的变形量,但能否进一步细化超细晶铁素体,主要取决于第二次冷轧退火温度、退火时间以及第二次退火前组织。第一次和第二次冷轧压下率均为50%,退火温度为500℃、550℃、600℃、650℃,退火时间分别为2min和30min;第二次退火温度为600℃,退火时间为10min时,超细晶铁素体晶粒的尺寸没有得到明显细化,硬脆相渗碳体析出增多且尺寸变大,力学性能没有得到明显改善。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2018-05-13）
卢浩,常莎,陈思莉,张政科,王骥[10]（2018）在《微米臭氧曝气深度处理工艺的最优曝气孔径研究》一文中研究指出采用微米曝气对超滤膜出水通入臭氧进行深度处理,系统探讨了不同投加量(30、50、100、120 mg/L)及曝气孔径(5、10、20、30μm)对出水p H值以及COD、TOC、TN去除效果的影响。结果表明:在相同曝气孔径下,出水p H值随着臭氧投加量的增大而降低;当臭氧投加量为30mg/L时,出水p H值随着曝气孔径的增大而降低,而投加量≥50 mg/L时,出水p H值随曝气孔径的增大而升高。曝气孔径为30μm时对COD的去除效果相对最好,且该孔径下COD去除率随着臭氧投加量的增加而逐渐升高。臭氧对TOC的去除率小于对COD的去除率;曝气头孔径越小、臭氧投加量越大,对TOC的去除率越高。当臭氧投加量为120 mg/L时,对TOC的去除率为15.2%。臭氧对TN的去除率较其对COD和TOC的去除率低,TN去除率与臭氧投加量并没有明显的一致性规律。(本文来源于《中国给水排水》期刊2018年09期）
微米工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铜箔是锂电池与印制电路板中的重要导电材料,现已实现规模化生产。本文简要分析了6微米超薄电解铜箔的生产制备方法,围绕生产工艺参数设置、电解液流速流向设置、添加剂选择与含量控制、防氧化处理等四个层面,探讨了锂电池用6微米超薄双面光电解铜箔生产工艺的具体改进策略,以供参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微米工艺论文参考文献
[1].刘建涛,高运华,韩子钰,李春,段学欣.基于牺牲层工艺的微流控亚微米粒子计数器研究[J].分析试验室.2019
[2].操声跃.锂电池用6微米超薄双面光电解铜箔工艺分析[J].山东工业技术.2019
[3]..华润上华发布0.18微米全系列分段式BCD工艺平台[N].中国电子报.2019
[4].于健海,尹亮.用于微机械加速度计的亚微米工艺ADC设计[J].西安电子科技大学学报.2019
[5].李响.基于0.13微米CMOS工艺抗辐射加固单元库设计及验证[D].西安电子科技大学.2018
[6].袁俊,黄兴,倪炜江,张敬伟,李明山.碳化硅表面亚微米减反射结构及其制作工艺[J].微纳电子技术.2018
[7].周健,汤洪波.微米银粉表面碘化改性工艺参数对其形貌的影响[J].矿冶工程.2018
[8].朱赤,王溯源,章军云,林罡,黄念宁.光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺[J].固体电子学研究与进展.2018
[9].梁伟成.冷轧退火工艺制备纳米/微米级超细晶粒低碳钢研究[D].武汉科技大学.2018
[10].卢浩,常莎,陈思莉,张政科,王骥.微米臭氧曝气深度处理工艺的最优曝气孔径研究[J].中国给水排水.2018