导读:本文包含了高倍增论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:PCSS,高倍增,超快脉冲,双光束
高倍增论文文献综述
安鑫[1]（2017）在《光猝灭/电场调控下高倍增GaAs光电导开关工作机理研究》一文中研究指出高功率高重复频率超快电脉冲的产生技术是一系列高科技研究与前沿研究的基础,在通信、雷达、电子对抗、电磁武器、核爆模拟、激光核聚变、环境保护、食品保鲜、材料改性等领域有广泛的应用。在兼顾高重复频率电脉冲的功率和超短脉冲宽度两个方面,砷化镓(Gallium arsenide,GaAs)光电导开关(photoconductive semiconductor switch,PCSS)因其卓越的性能而被视为最有潜力的超快开关器件。然而,在高功率高重复频率的重大应用需求下,GaAs PCSS的线性模式和高倍增模式都存在应用上的不足。线性模式下GaAs PCSS能迅速断开,可以工作于较高的重复频率;同时由于没有电子的雪崩倍增现象,所以GaAs PCSS的工作寿命高,输出波形易于调控。由于线性模式不具备支持电子雪崩倍增的偏置电场条件,也就不具有雪崩倍增效应,于是要想获得高功率输出的电脉冲,就需要较大功率的脉冲激光器触发GaAs PCSS。但是因为高功率激光器的成本高昂、系统复杂,制约了GaAs PCSS在脉冲功率领域中更好的发展。人们关注到高倍增模式具有比线性模式上升时间短、所需触发光能量低的优势,这就为利用激光二极管阵列代替复杂、昂贵的功率激光器触发GaAs PCSS提供了有利依据。但是持续时间长达微秒量级的锁定现象限制了GaAs PCSS的最高重复工作频率,且电流高度集中成丝大大降低了开关的使用次数。本文基于光激发电荷畴(photo-activated charge domain,PACD)模型,提出了双光束延时触发下关断GaAs PCSS高倍增模式锁定效应的实验思路,即利用畴的竞争猝灭机制在一定程度上关断输出电脉冲锁定效应的持续状态。同时在一定程度上保留相应的载流子高倍增机制。根据载流子输运规律,设计了双光束延时触发的实验平台,考察了双光束延迟时间、延迟触发光能和光斑触发相对位置、储能电容等多个方面的因素对关断GaAs PCSS高倍增程度的影响规律。相关的实验结果表明,双光束之间合适的延迟时间可以在一定程度上对GaAs PCSS中的高倍增机制进行调节;同时,外部储能电容对PACD聚束输运过程中的电场调控作用有着明显的效果。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
姚威[2]（2014）在《高倍增半绝缘GaAs光电导开关触发光电阈值特性的研究》一文中研究指出与传统开关相比,光电导开关具有响应速度快、时间抖动低、寄生电感电容小、结构简单,尤其是其耐高压、功率存储容量大等特性,使其在脉冲功率等技术领域的应用具有极大的优势。由Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(如:GaAs、InP等)研制的半导体光电导开关,由于高倍增模式下出现的各种现象,使其应用领域更为开阔。本论文在对光电导开关高倍增模式有关实验系统研究的基础上,结合耿效应原理,对半绝缘GaAs光电导开关高倍增模式的光电阈值特性进行了理论分析。具体结论如下:1.对高倍增半绝缘GaAs光电导开关中存在的光激发电荷畴的畴宽受载流子浓度及偏置电场的影响进行了模拟;模拟结果表明:畴宽主要受到载流子浓度的影响较大,受偏置电场的影响较小;在触发阈值附近,光激发电荷畴的尺寸约为几个微米的量级。模拟结果与实验结果基本吻合。该研究对高倍增光电导开关雪崩机理的研究具有重要意义。2.以高倍增半绝缘GaAs光电导开关光电阈值实验为基础,依据光激发电荷畴的雪崩畴理论,对触发光电阈值关系进行了理论推导,获得了触发光能阈值和偏置电场阈值之间的解析表达式,计算结果和实验基本一致。该研究对高倍增光电导开关产生机理的研究提供了理论依据。(本文来源于《西安理工大学》期刊2014-06-30）
崔海娟,杨宏春,阮成礼,曾刚,吴明和[3]（2011）在《GaAs光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型》一文中研究指出采用瞬态电脉冲测试电路,对砷化镓(GaAs)光导开关线性与锁定(lock-on)工作模式的临界状态进行了系统的实验测试,得到阈值条件附近波形变化情况及lock-on模式下电压转换效率显着提高现象。根据实验测试结果,提出了高倍增偶极畴模型,并结合载流子雪崩倍增理论,对实验观察到的若干临界实验现象进行了合理的解释。(本文来源于《压电与声光》期刊2011年05期）
崔勇[4]（2009）在《高倍增力机构在内孔夹具中的创新与研究》一文中研究指出本文设计了两种适于内孔直径较大工件的、基于正交增力机构的离心式内孔夹具,结构中采用了互相垂直的输出重块与增力重块,通过斜楔增力机构或铰杆增力机构进行力的传递,使得该夹具相对于同样结构重量但没有增力机构的离心式内孔夹具,实际输出力的数值要大得多,输出转矩的能力也要大的多。(本文来源于《装备制造》期刊2009年09期）
赵晶[5]（2002）在《高倍增GaAs光电导开关的计算机模拟》一文中研究指出光电导开关作为一种新型的开关器件，具有许多独特的优点。使之在超高速电子学、大功率脉冲产生与整形技术领域成为传统开关最有希望的换代器件。但在理论上的论证与推导目前还不很完善，因此对它的理论分析是有实际意义的。 本论文的目的是利用半导体的计算机模拟方法模拟高倍增GaAs光电导开关。一方面对在物理实验中得到的各种现象从理论上加以论证与进一步的推导，另一方面根据模拟结果可指导器件的设计使之更加实用化。 对此，本文研究了两种半导体器件的计算机模拟方法——有限差分模拟法和Monte Carlo模拟法。并利用这两种方法对高倍增高压超快GaAs光电导开关中的线性工作模式和非线性工作模式中的一些特性分别进行了模 西安理工大学硕士学位论文拟，得出了一系列数据与曲线，并与物理实验中所得数据进行了比较，所得模拟结论与实验结果基本一致。(本文来源于《西安理工大学》期刊2002-03-01）
施卫[6]（2001）在《高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)》一文中研究指出结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值 ,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增 Ga As光电导开关的引发和维持相 ,理论计算结果与实验测试相符合(本文来源于《半导体学报》期刊2001年12期）
施卫,陈二柱,张显斌[7]（2001）在《高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴》一文中研究指出给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 L ock-on效应。分析了单电荷畴的形成和辐射发光的物理过程 ,并对 L ock-on效应的典型现象作了物理解释(本文来源于《西安理工大学学报》期刊2001年02期）
施卫,梁振宪[8]（2000）在《高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析》一文中研究指出首次提出“发光畴”模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释 .其要点是 :光注入载流子引起开关电场畸变 ,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴 ,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增 ,相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲 ,畴的运动与发光使载流子以 10 8cm/s的速度穿越电极间隙 ,畴生存条件决定Lock on电场 ,当外电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时 ,开关电阻恢复(本文来源于《电子学报》期刊2000年02期）
钟康民,郭培全,张明哲,胡秉辰[9]（1999）在《高倍增力离心式离合器的工作原理与设计计算》一文中研究指出介绍了两种采用高倍增力机构的离心式离合器—铰杆增力离心式离合器和斜楔增力离心式离合器，说明了其工作原理，给出了其输出力和输出转矩、接合角速度和接合转速、额定角速度和额定转速、弹簧最大工作载荷的计算公式。高倍增力离心式离合器结构紧凑，输出转矩的能力显着提高(本文来源于《济南大学学报》期刊1999年02期）
施卫,梁振宪[10]（1999）在《高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象》一文中研究指出本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．(本文来源于《半导体学报》期刊1999年01期）
高倍增论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
与传统开关相比,光电导开关具有响应速度快、时间抖动低、寄生电感电容小、结构简单,尤其是其耐高压、功率存储容量大等特性,使其在脉冲功率等技术领域的应用具有极大的优势。由Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(如:GaAs、InP等)研制的半导体光电导开关,由于高倍增模式下出现的各种现象,使其应用领域更为开阔。本论文在对光电导开关高倍增模式有关实验系统研究的基础上,结合耿效应原理,对半绝缘GaAs光电导开关高倍增模式的光电阈值特性进行了理论分析。具体结论如下:1.对高倍增半绝缘GaAs光电导开关中存在的光激发电荷畴的畴宽受载流子浓度及偏置电场的影响进行了模拟;模拟结果表明:畴宽主要受到载流子浓度的影响较大,受偏置电场的影响较小;在触发阈值附近,光激发电荷畴的尺寸约为几个微米的量级。模拟结果与实验结果基本吻合。该研究对高倍增光电导开关雪崩机理的研究具有重要意义。2.以高倍增半绝缘GaAs光电导开关光电阈值实验为基础,依据光激发电荷畴的雪崩畴理论,对触发光电阈值关系进行了理论推导,获得了触发光能阈值和偏置电场阈值之间的解析表达式,计算结果和实验基本一致。该研究对高倍增光电导开关产生机理的研究提供了理论依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高倍增论文参考文献
[1].安鑫.光猝灭/电场调控下高倍增GaAs光电导开关工作机理研究[D].西安理工大学.2017
[2].姚威.高倍增半绝缘GaAs光电导开关触发光电阈值特性的研究[D].西安理工大学.2014
[3].崔海娟,杨宏春,阮成礼,曾刚,吴明和.GaAs光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型[J].压电与声光.2011
[4].崔勇.高倍增力机构在内孔夹具中的创新与研究[J].装备制造.2009
[5].赵晶.高倍增GaAs光电导开关的计算机模拟[D].西安理工大学.2002
[6].施卫.高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)[J].半导体学报.2001
[7].施卫,陈二柱,张显斌.高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴[J].西安理工大学学报.2001
[8].施卫,梁振宪.高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析[J].电子学报.2000
[9].钟康民,郭培全,张明哲,胡秉辰.高倍增力离心式离合器的工作原理与设计计算[J].济南大学学报.1999
[10].施卫,梁振宪.高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象[J].半导体学报.1999