导读:本文包含了高频小信号模型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:HBT,高频小信号模型,OEIC,光接收机
高频小信号模型论文文献综述
张欣,黄辉,黄永清,周守利,张帅[1]（2009）在《基于高频小信号模型的HBT频率特性分析》一文中研究指出通过采用高频小信号Π型等效模型,研究了电路元件参数对异质结双极晶体管(HBT)高频特性的影响。理论探讨了HBT的频率特性,并对实验室制备的InP基HBT外延片结构进行了频率特性分析。通过PSPICE软件,进行了HBT高频小信号等效电路模型和光接收机前端跨阻放大电路的设计和模拟仿真,达到了优化频率特性的目的。基于偏压、跨阻和负载叁个因素对HBT的增益与带宽变化特性的影响,提出了改善频率特性的方案。依据具体情况选择可以更好地满足实际中对增益和带宽的需求。(本文来源于《2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）》期刊2009-11-21）
王啸[2]（2009）在《晶体管的高频大信号模型》一文中研究指出Ebers-Moll模型提供了用PN结方程的方式来建立叁极管模型的一种方法,为推导叁极管的高频大信号模型提供了一种理论基础。主要是考虑PN结本身的非线性效应和结电容、基区体电阻等的影响,寻求一种简单有效的解决办法。利用牛顿迭代法来解决关于直流工作点的超越方程;利用欧拉算法来解决关于输出信号一阶非线性非齐次微分方程问题,并得到一系列的数值解。最后,举了一些例子来说明这些迭代算法是怎么样进行的。(本文来源于《大众科技》期刊2009年02期）
杨维明,陈建新,史辰,李振国,高铭洁[3]（2005）在《基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析》一文中研究指出给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算 了器件的稳定性与工作频率之间的关系。为器件的设计和应用提供了理论依据。(本文来源于《微电子学》期刊2005年01期）
钟鸣,张世林,郭维廉,梁惠来,毛陆虹[4]（2004）在《谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析(英文)》一文中研究指出讨论了谐振隧穿二极管 (RTD)的两种微波等效电路模型 :类江崎隧道模型 (QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异 ,并用最小二乘法拟合实验数据 ,提取了两种模型的电路参数 .理论分析和对拟合结果的比较都说明 QWITM比 QETM更加精确 ,而提取到的 QWITM的电路参数的合理性也证明了这一点 .在此基础上计算了阻性频率 f R,并简单介绍 f R 的影响因素及其提高方法(本文来源于《半导体学报》期刊2004年11期）
张从善,张秀海[5]（1993）在《晶体管的高频小信号模型》一文中研究指出由晶体管的结构特点,引出其高频小信号模型,并进一步分析晶体管的丫参数等效电路,导出不同电路模型中电路参数之间的数量关系。(本文来源于《山东师大学报(自然科学版)》期刊1993年03期）
高频小信号模型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Ebers-Moll模型提供了用PN结方程的方式来建立叁极管模型的一种方法,为推导叁极管的高频大信号模型提供了一种理论基础。主要是考虑PN结本身的非线性效应和结电容、基区体电阻等的影响,寻求一种简单有效的解决办法。利用牛顿迭代法来解决关于直流工作点的超越方程;利用欧拉算法来解决关于输出信号一阶非线性非齐次微分方程问题,并得到一系列的数值解。最后,举了一些例子来说明这些迭代算法是怎么样进行的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高频小信号模型论文参考文献
[1].张欣,黄辉,黄永清,周守利,张帅.基于高频小信号模型的HBT频率特性分析[C].2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）.2009
[2].王啸.晶体管的高频大信号模型[J].大众科技.2009
[3].杨维明,陈建新,史辰,李振国,高铭洁.基于小信号等效电路模型的SiGeHBT高频特性模拟分析[J].微电子学.2005
[4].钟鸣,张世林,郭维廉,梁惠来,毛陆虹.谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析(英文)[J].半导体学报.2004
[5].张从善,张秀海.晶体管的高频小信号模型[J].山东师大学报(自然科学版).1993