导读:本文包含了圆柱形介质管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:胶磷矿,磨矿工艺,短圆柱形介质,优化研究
圆柱形介质管论文文献综述
李若兰[1]（2018）在《短圆柱形介质在安宁磷矿磨矿工艺中的应用》一文中研究指出目前,胶磷矿分选技术采用最多的是浮选法。但在选别之前,矿石要先通过破碎和磨矿作业,使磷酸盐矿物和杂质矿物大多数充分单体解离才能进入浮选作业。在选矿厂中,破碎和磨矿作业的设备投资、生产费用、电能和钢材消耗所占的比例最大,故破碎和磨矿设备的计算选择及操作管理至关重要,降低选矿厂能耗也成为世界破、磨工艺面临的重要问题之一。提高磨矿效率最直接的方法是根据矿石性质寻找最适合的磨矿介质,包括磨矿介质的尺寸、配比、形状和材质的选择。生产实践证明,胶磷矿Ⅱ段细磨作业,使用钢球介质磨矿时,过磨现象严重,产品分布不均匀,影响后续选别指标,能耗高。新型短柱型介质(以下简称钢段)在金属矿领域应用较多,此次用于胶磷矿磨矿,通过试验研究得出最佳磨矿工艺参数,保证浮选指标的同时提高产量,节能降耗。云南磷化集团安宁200万吨/年浮选厂目前磨矿作业采用两段闭路流程,台时处理能力138.64t/h,与原设计相比偏低,且-0.025mm粒级含量偏高,影响浮选指标。因此,该浮选厂磨矿工艺参数优化成为影响经济技术指标的关键。本论文针对云南安宁磷矿矿石性质,提出磨矿介质优化方案,做了原有钢球介质和新型钢段介质磨矿效果对比试验,目标是找到最适合安宁磷矿Ⅱ段磨矿介质及磨矿参数,降低能耗。第一部分为实验室研究,结果显示:对于此类韧性较大的矿石,Ⅱ段细磨作业更适合采用钢段磨矿,不仅易选级别-0.074~+0.038含量增大,且-0.025mm粒级含量有所下降,避免过磨,更利于后续的浮选作业。钢段介质磨矿时最佳磨矿浓度为65%,级配为(D×L/mm)35×40:30×35:25×30:20×25(以下简称A、B、C、D)=3:3:2:2。第二部分为工业优化试验,结果显示:在原矿性质及品位相近时,根据实验室所得结论,将Ⅱ段磨矿介质采用钢段磨矿,经过取样分析,磨矿产品粒度分布更均匀,-0.074mm粒级含量更大,浮选精矿产率和回收率分别提高了2.06个百分点和1.46个百分点,钢耗降低约10.48个百分点,并缓解了噪音污染。达到了预期要求。(本文来源于《武汉工程大学》期刊2018-05-18）
吴忠航,司博宇,陈海霞,梁荣庆,昌锡江[2]（2017）在《圆柱形介质波导激发表面波等离子体天线的特性研究》一文中研究指出等离子体天线因具有隐身、动态重构、超宽带等优点,可广泛应用于多功能雷达、电子对抗等军事技术领域。本论文针对等离子天线的两种最重要形态之一的单极等离子体柱状天线开展研究。论文深入研究了圆柱形介质棒表面波等离子天线的物理参数、激励机理,以及电磁辐射、反射、吸收等特性。基于麦克斯韦方程推导出等离子天线的理论模型,并通过仿真分析等离子体天线的生成和等离子体天线的表面电流分布;根据表面波等离子体的产生机理,结合天线需求与仿真参数,提出制作等离子体天线的方法,为等离子体天线技术的发展提供了必要的理论及技术支持。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
周洋,王德苗,金浩,郑小婵[3]（2014）在《一种激光刻蚀制作圆柱形介质天线的方法》一文中研究指出圆柱形介质加载四臂螺旋天线因宽波束、圆极化、体积小等优点被认为是微小卫星天线的理想方案。为了解决介质加载四臂螺旋天线制作的难点,提出了一种全新的磁控溅射金属化加激光刻蚀的新工艺,采用计算机数控结合激光刻蚀的柔性加工技术,制作出3维立体的四臂螺旋结构,制备了应用于微小卫星系统的介质加载四臂螺旋天线,相对于传统工艺,大大提高了加工精度,并缩短了加工周期。结果表明,天线的电气性能达到了设计要求,且具有良好的机械性能。该研究为以后此类曲面共形天线的制作提供了参考。(本文来源于《激光技术》期刊2014年03期）
吴忠航[4]（2014）在《圆柱形介质波导激发表面波等离子体的研究》一文中研究指出随着等离子体科学研究的不断深化、发展,等离子体技术被应用于非常广泛的领域,特别是在集成电路制造、材料处理等方面,等离子体技术具有特别的优势,也是不可或缺的,而等离子体源是推动等离子体技术发展的关键因素。相比较其他类型的源,表面波等离子体源能够很好的满足等离子体处理所需要的高密度、空间均匀、高活性化及处理灵活的特点,目前表面波等离子体源的研究以平面型结构为主,而圆柱型介质波导结构的表面波等离子体源方面的研究鲜有报道,圆柱型表面波等离子体源能产生长柱形的高密度等离子体,因而对于一些特殊形状(圆筒状内壁或者轴对称器件的内壁)的等离子体处理具有独特的优势。本文的主要工作是基于圆柱形介质波导的工作原理,搭建了一套新型圆柱型表面波等离子体发生装置,同时制作了用于该等离子体源诊断的探针系统。其具体创新性内容如下：(1)使用圆柱形石英棒作为介质波导,沿棒的轴向激发长柱形位形的等离子体,证实了该结构的等离子体源在圆筒形内壁处理所具备的优势。当微波净入射功率为450W时可在圆柱形介质棒表面产生45cm长的等离子体,介质棒表面处的等离子体密度为3x1011cm-3。(2)基于圆柱形介质波导的传输理论,对圆柱形介质波导的导波模式进行了分析,并对这种等离子体源的参数随功率增加而变化的过程进行了解释。利用静电探针测量该结构表面波等离子体的分布趋势,结果显示在径向上的电子密度基本呈现线性减小而电子温度有指数减小的趋势；当压强由20Pa变为40Pa时,由于压强变大导致电子扩散减弱,在径向上电子密度增加而电子温度减小。此外,还研究了不同相对介电常数的介质棒对等离子体电子密度的影响,当圆柱形介质波导表面产生纯表面波等离子体时,相对介电常数越大的介质棒所激发的表面波等离子体的电子密度越大。(3)首次在圆柱形介质棒表面处观察到肉眼可见的表面等离子体激元(surface plasmon polariton,SPP)现象。根据高密度等离子体和金属在与电磁波相互作用时表现出相似的特性,提出当等离子体密度达到一定条件时可以在介质棒与等离子体之间的界面上激发SPP,根据SPP理论,计算出了特氟龙棒激发SPP时所对应的等离子体密度阈值为2.37×1011cm-3。通过调节放电功率使介质棒表面处的等离子体密度大于SPP对应的等离子体密度阈值,观察在不同放电功率下介质棒表面处所形成的等离子体发光条纹,放电条纹所反映的波长随等离子体密度的变化趋势与理论SPP波长的变化趋势基本一致。本论文的另一项主要研究内容是通过等离子体浸没离子注入(Plasma Ion Immersion Implantation, PⅢ)技术对氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)薄膜Ⅰ进行表面改性,围绕ITO表面处理提高功函数及其机理解释这一主题,深入系统地研究了PⅢ处理对TO薄膜的表面性能的影响。具体如下：通过自行设计搭建了一套普适性强的PⅢ系统,首次使用了氧PⅢ技术对商用ITO薄膜进行了表面处理,分别研究了偏压大小、处理时间和脉冲宽度对ITO表面性能的影响,获得了最优化实验参数。将氧PⅢ表面改性后的ITO薄膜和超声预处理、氧等离子体处理的样品进行了表征对比。结果表明：氧PⅢ技术能在不明显影响ITO薄膜的结晶取向、表面电阻、透过率和表面形貌的前提下,有效地清除其表面污染,增加氧含量,大幅提高ITO的表面功函数。通过观测到的氧PⅢ极大地提高了ITO薄膜的表面功函数,提出了表面氧化处理ITO后功函数升高的理论解释。即ITO通过吸附处理氛围中的氧并占据其体系中的氧空位使其浓度降低,降低了ITO中的载流子浓度,导致费米能级降低,从而功函数增加。这种解释对实验发现的氧PⅢ更有效地提高ITO表面功函数能进行合理的解释。(本文来源于《复旦大学》期刊2014-04-08）
田立成,石红,李雪春,张天平[5]（2013）在《离子成分比对等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面鞘层演化特性的影响》一文中研究指出采用一维和双离子自洽流体模型研究了等离子体浸没离子注入圆柱形聚对苯=甲酸乙=醇酯介质内表面的离子鞘层动力学。在模型中,考虑工作气体为氮气时离子成分为氮原子离子N+和分子离子N2+。计算结果表明,不同的离子成分比具有不同的鞘层演化特性,氮原子离子含量高会导致严重的充电效应。在实际工艺中,可通过调整相关参数以降低原子离子N+的成分以抑制充电效应。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2013年04期）
王蕾蕾,安合志,李萍,张文辉[6]（2012）在《一种新型圆柱形介质谐振器微带天线仿真分析》一文中研究指出在叙述圆柱形介质谐振器及其频率特性的基础上,通过基于有限元法的高频结构仿真软件Ansoft HFSS12仿真,获得圆柱形介质谐振器半径与高度变化对天线工作带宽和增益的影响,得到驻波关系曲线图。通过分析仿真结果,得出在Rc=2.9 mm,Hc=4 mm时天线性能最佳,优化的圆柱形介质谐振器的参数有利于提高天线的性能。(本文来源于《电子科技》期刊2012年08期）
冯立营,郑宏兴[7]（2011）在《一种圆柱形介质谐振器天线阵列设计》一文中研究指出在圆柱形介质谐振器天线单元分析的基础上,设计了一种4单元介质谐振器天线阵列。天线阵采用微带线馈电网络,保证单元之间满足相位匹配关系,使该天线阵列具有良好的定向辐射特性,而且在带宽方面满足要求。(本文来源于《天津职业技术师范大学学报》期刊2011年04期）
田立成[8]（2010）在《等离子体浸没离子注入空心圆柱形介质管内表面鞘层特性的数值研究》一文中研究指出等离子体浸没离子注入(plasma immersion ion implantation,简称PⅢ)是一种新的离子注入工艺,具有成本低、操作简单、可以处理复杂形状样品等优点,在近年来受到了很多材料工程师和科研学者的青睐,并得到广泛的工业应用,比如材料表面改性、计算机芯片制造流程中的元素掺杂、绝缘体上的硅等。在实际应用中,空心圆柱形介质管内表面的离子注入问题比较复杂,一方面由于介质材料的导电性差导致电荷在表面积累而出现充电效应；另一方面由于放置在等离子体中的空心圆管相对表面的鞘层会随着时间的演化出现重迭,从而导致较低的离子注入剂量和注入能量。为解决上述问题,有必要从理论上深入研究空心圆柱形介质管PⅢ过程中鞘层的演化特性。因为在材料表面形成的鞘层的特性直接影响被加工材料的性能。并且,理论研究的结果可以揭示离子注入过程的物理机理,为实际离子注入工艺的优化提供一定的参考。本文主要采用流体动力学方法,对空心圆柱形介质管的内表面PⅢ过程中鞘层扩展规律进行了数值模拟研究,分析讨论了各种参数对鞘层演化过程的影响。首先,采用一维无碰撞流体动力学方法对圆柱形介质管内表面的PⅢ鞘层演化进行了数值模拟,得到了鞘层演化的规律,并且进一步讨论了各参数对注入效果的影响。结果表明,等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面过程中,在脉冲持续时间内鞘层向中心电极方向扩展,在脉冲下降沿鞘层塌缩下来。在相同的参数条件下,与金属靶相比,介质靶表面附近的鞘层厚度变薄；在介质表面存在电荷积累引起的充电效应,这降低了介质表面电势和离子注入能量；各种参数对离子注入产生了一定影响,在实际注入工艺中,为了减小充电效应的影响,应尽量采用较薄的介质薄膜,同时适当延长脉冲上升时间和缩短脉冲下降时间。其次,本文采用双离子流体模型分析讨论了不同离子成分比对薄膜介质靶材鞘层演化的影响。结果显示,随着N+离子成分的增加,充电效应会越发明显。在实际的离子注入工艺中,为了抑制充电效应和增加离子注入剂量,应尽可能提高N2+离子的成分。最后,我们研究了施加轴向强磁场时圆柱形介质管内表面PⅢ鞘层时空演化规律,并揭示了轴向磁场的引入对鞘层演化特性的影响。结果表明,轴向磁场的引入,不会改变离子能量,但是会使径向离子能量和角向离子能量发生相互转移。轴向磁场的引入产生了角向离子速度,同时轴向磁场越强,径向离子能量分布高能峰越向低能量区移动。(本文来源于《大连理工大学》期刊2010-05-14）
艾克白尔·帕塔尔,安元清俊[9]（2009）在《微弱旋转效应的圆柱形介质光波导耦合器的研究》一文中研究指出具有微弱旋转效应的两个平行圆柱形介质波导的微弱耦合是在矢量波动方程的基础上使用特异摄动法来解析的.对应于复合两个平行圆柱形介质波导系统的耦合模方程是满足麦克斯韦方程和边界条件的情况下得到的,此时摄动阶数限定在一阶范围内.可以发现具有微弱旋转效应的在两个平行波导的弱导内分别独立产生方向性耦合和偏振波的变换.方向性耦合是由耦合系数κ来控制,偏振波的变换是由耦合系数κ×来控制.(本文来源于《新疆大学学报(自然科学版)》期刊2009年02期）
马柳,时家明,袁忠才,张玮[10]（2008）在《圆柱形介质阻挡放电等离子体光谱诊断》一文中研究指出在350~1150 nm范围内对开放空间Ar气介质阻挡放电等离子体的发射光谱进行测量,表明Ar发射谱线主要集中在680 nm~950 nm,且都为Ar原子谱线。采用发射光谱相对强度对比法,选取相距较近且有相同下能级的727.29 nm(2P2-1S4),738.40 nm(2P3-1S4)和751.47 nm(2P5-1S4)叁条光谱测量电子温度。通过对在Ar气和空气中放电谱线的对比和分析,得出发射光谱相对强度与电源功率的关系。最终得出若要便于工业应用和光谱测量,需要选择特定的气体流量和电源功率。(本文来源于《光散射学报》期刊2008年03期）
圆柱形介质管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
等离子体天线因具有隐身、动态重构、超宽带等优点,可广泛应用于多功能雷达、电子对抗等军事技术领域。本论文针对等离子天线的两种最重要形态之一的单极等离子体柱状天线开展研究。论文深入研究了圆柱形介质棒表面波等离子天线的物理参数、激励机理,以及电磁辐射、反射、吸收等特性。基于麦克斯韦方程推导出等离子天线的理论模型,并通过仿真分析等离子体天线的生成和等离子体天线的表面电流分布;根据表面波等离子体的产生机理,结合天线需求与仿真参数,提出制作等离子体天线的方法,为等离子体天线技术的发展提供了必要的理论及技术支持。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
圆柱形介质管论文参考文献
[1].李若兰.短圆柱形介质在安宁磷矿磨矿工艺中的应用[D].武汉工程大学.2018
[2].吴忠航,司博宇,陈海霞,梁荣庆,昌锡江.圆柱形介质波导激发表面波等离子体天线的特性研究[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
[3].周洋,王德苗,金浩,郑小婵.一种激光刻蚀制作圆柱形介质天线的方法[J].激光技术.2014
[4].吴忠航.圆柱形介质波导激发表面波等离子体的研究[D].复旦大学.2014
[5].田立成,石红,李雪春,张天平.离子成分比对等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面鞘层演化特性的影响[J].真空科学与技术学报.2013
[6].王蕾蕾,安合志,李萍,张文辉.一种新型圆柱形介质谐振器微带天线仿真分析[J].电子科技.2012
[7].冯立营,郑宏兴.一种圆柱形介质谐振器天线阵列设计[J].天津职业技术师范大学学报.2011
[8].田立成.等离子体浸没离子注入空心圆柱形介质管内表面鞘层特性的数值研究[D].大连理工大学.2010
[9].艾克白尔·帕塔尔,安元清俊.微弱旋转效应的圆柱形介质光波导耦合器的研究[J].新疆大学学报(自然科学版).2009
[10].马柳,时家明,袁忠才,张玮.圆柱形介质阻挡放电等离子体光谱诊断[J].光散射学报.2008