导读:本文包含了共溅射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高功率脉冲磁控溅射,脉冲直流磁控溅射,叁靶共溅射,纳米复合涂层
共溅射论文文献综述
王铁钢,蒙德强,李柏松,赵彦辉,刘艳梅[1]（2019）在《叁靶共溅射纳米复合Cr-Al-Si-N涂层的制备及摩擦学性能研究》一文中研究指出目的利用高功率脉冲磁控溅射技术离化率高、溅射离子能量高等优点,在Cr-Al-N涂层中添加Si元素研制a-Si3N4包裹nc-(Cr,Al)N的纳米复合涂层,通过改变反应沉积时的N2/Ar比来调控涂层成分与结构,实现纳米复合Cr-Al-Si-N涂层性能优化。方法采用高功率脉冲与脉冲直流复合磁控溅射技术制备Cr-Al-Si-N涂层。利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、应力仪、纳米压痕仪、划痕测试仪和摩擦试验机,研究N2/Ar比对涂层成分、结构、力学性能以及摩擦学行为的影响。结果涂层主要由面心立方结构的Cr N与AlN相组成,且沿(200)晶面择优生长。当N2/Ar流量比为3∶1时,涂层与基体结合最好,临界载荷约为36.5 N;摩擦系数和内应力较低,分别为0.5和-0.48 GPa。当N2/Ar流量比为4∶1时,H/E值和H3/E*2值升至最高,分别为0.11和0.24GPa,磨损率最低,约为1.9×10-4μm3/(N·μm)。结论当N2/Ar流量比为4∶1时,叁靶共溅射制备的Cr-Al-Si-N涂层硬度较高,耐磨性能最好。(本文来源于《表面技术》期刊2019年09期）
白国梁,罗明,王春花,王钧伟,金石[2]（2019）在《磁控共溅射法制备Sn-Cu复合薄膜材料及其电化学性能研究》一文中研究指出采用磁控共溅射法在Cu箔上制备了Sn-Cu复合薄膜材料,探究了Cu靶的溅射功率对Sn-Cu复合薄膜材料电化学性能的影响。研究发现,当Cu靶的溅射功率为25 W和充放电电流为120 mA/g时,Sn-Cu复合薄膜材料的首周充电容量约为720 mAh/g,首周库仑效率为77.9%。当充放电电流密度为300 mA/g时,其充电比容量高达654.9 mAh/g,100周循环后,仍可以维持在348.3 mAh/g,容量保持率高达53.2%,具有较好的循环稳定性和优异的倍率性能。(本文来源于《安庆师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
马昌昊,袁宁一,丁建宁[3]（2019）在《Sb_2Se_3和Se双靶共溅射制备硒化锑薄膜电池》一文中研究指出硒化锑(Sb_2Se_3)由于其无毒,材料的丰富以及合适的禁带宽度和较高的吸收系数近些年引起了大家的广泛关注。但是在Sb_2Se_3制备过程中,Se容易散失,产生Se空位,增加了载流子的复合,所以会影响电池的性能。我们使用Sb_2Se_3和Se双靶共溅射的方法在基底350℃下制备了具有较好结晶性的薄膜,不用后续退火处理,制备方法简单。我们对单靶溅射和双靶共溅射的薄膜进行了表面形貌以及晶体结构分析,发现共溅射补硒后,薄膜的结晶性更好,表面粗糙度降低,薄膜的生长择优取向发生改变,更加有利于载流子的传输。我们同时制备了结构为FTO/CdS/Sb_2Se_3/Au的器件并得到了3.0%的效率。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
邓爱民,梁佳静,张国家[4]（2019）在《磁控共溅射法在聚碳酸酯柔性基底镀TiN研究》一文中研究指出在较低的温度下,采用磁控溅射工艺在聚碳酸酯(PC)表面制备了TiN薄膜。应用激光共聚焦显微镜(CLSM)和X射线衍射仪(XRD)等研究了薄膜制备工艺对薄膜的表面微观形貌和晶质成分影响。结果表明:随着基底温度的升高,溅射的薄膜厚度和表面粗糙度增大。溅射的薄膜中,晶粒呈圆锥形,随着N_2含量的增加,溅射的薄膜粗糙度逐渐下降,晶粒较小,分布较均匀。XRD衍射结果表明,溅射的薄膜晶质成分为TiN。(本文来源于《电镀与精饰》期刊2019年05期）
郭玉垚,王铁钢,李柏松,刘艳梅,蒙德强[5]（2019）在《高功率脉冲和脉冲直流磁控共溅射CrAlN薄膜的研究》一文中研究指出目的通过掺杂适量Al元素来固溶强化Cr N薄膜,从而提高薄膜的抗氧化性能和热稳定性。方法采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术制备了Cr Al N薄膜,利用XRD、纳米压痕仪、应力仪、摩擦磨损试验机系统地研究了不同基体偏压对CrAlN涂层结构和力学性能的影响。结果所有CrAlN涂层均以fcc-(Cr,Al)N相为主,且随着基体偏压的增加,沿(111)晶面生长的衍射峰逐渐减弱,并向小角度偏移;薄膜压应力显着增加,最大值为-2.68GPa;薄膜硬度先上升后下降,在基体偏压为-30V时,硬度达到最大值22.3 GPa;H/E值和H~3/E~(*2)值随着基体偏压的增加,近似线性增大,当偏压为-120 V时,均达最大值0.11、0.21 GPa,同时摩擦系数和磨损率逐渐减小。结论当基体偏压为-120 V时,CrAlN薄膜具有最佳的耐磨性能,H/E和H~3/E~(*2)在一定程度上可评价涂层的耐磨性。(本文来源于《表面技术》期刊2019年04期）
孙孪鸿,沈鸿烈,黄护林,李玉芳,商慧荣[6]（2019）在《硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响》一文中研究指出采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响。分别采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔效应测量仪及数字电源表对不同硒化温度下制备的CZTSSe薄膜的结构、形貌、光电与太阳电池性能进行了表征与分析。结果表明,当硒化温度为580℃时,CZTSSe薄膜的结晶性最好,薄膜表面均匀致密且其电阻率和载流子浓度达到最小值和最大值,分别为1.57Ω·cm和8.2×10~(17)cm~(-3),该硒化温度下制备得到的CZTSSe太阳电池的短路电流和转换效率最高达到30.68 m A/cm~2和5.17%。相对于550℃和600℃硒化温度下的CZTSSe太阳电池,其光电转换效率分别提高了36%和6%。另外,随着硒化温度的升高,CZTSSe薄膜在XRD中的(112)峰位和Raman中的A1模式振动峰位都向小衍射角和短波数方向移动,薄膜的禁带宽度也从1.26 e V减小至1.21 e V。(本文来源于《发光学报》期刊2019年01期）
何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳,张旭明[7]（2019）在《衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响》一文中研究指出以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10~(-3)Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380～780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年01期）
何双赐,钟志成,汪竞阳,魏彦锋[8]（2018）在《衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响》一文中研究指出以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。(本文来源于《压电与声光》期刊2018年05期）
贺春林,高建君,王苓飞,马国峰,刘岩[9]（2018）在《N_2流量对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和结合强度的影响》一文中研究指出以高纯Ti和Ni为靶材,在不同N_2气流量下反应磁控共溅射了TiN/Ni纳米复合膜,采用原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜和划痕试验研究了N_2气流量对复合膜微结构、界面结合力和摩擦系数的影响。结果表明,共溅射TiN/Ni纳米复合膜组织细小、表面光滑、致密。TiN为fcc结构,其择优取向为(111)面。随N_2气流量增加,复合膜孔隙率、晶粒尺寸和沉积速率均出现不同程度的下降;而膜表面粗糙度先减小后增大,界面结合力则先提高后下降。本实验条件下,在N_2气流量为16mL/min时所沉积的复合膜表面粗糙度最小、界面结合力最好,分别为2.75nm和44.6N,此时复合膜的摩擦系数最低,为0.14。(本文来源于《材料导报》期刊2018年12期）
何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳[10]（2018）在《共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究》一文中研究指出目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析。结果所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90%,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移。当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10~(-3)?·cm,品质因子为370.2 S/cm。结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优。(本文来源于《表面技术》期刊2018年05期）
共溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用磁控共溅射法在Cu箔上制备了Sn-Cu复合薄膜材料,探究了Cu靶的溅射功率对Sn-Cu复合薄膜材料电化学性能的影响。研究发现,当Cu靶的溅射功率为25 W和充放电电流为120 mA/g时,Sn-Cu复合薄膜材料的首周充电容量约为720 mAh/g,首周库仑效率为77.9%。当充放电电流密度为300 mA/g时,其充电比容量高达654.9 mAh/g,100周循环后,仍可以维持在348.3 mAh/g,容量保持率高达53.2%,具有较好的循环稳定性和优异的倍率性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
共溅射论文参考文献
[1].王铁钢,蒙德强,李柏松,赵彦辉,刘艳梅.叁靶共溅射纳米复合Cr-Al-Si-N涂层的制备及摩擦学性能研究[J].表面技术.2019
[2].白国梁,罗明,王春花,王钧伟,金石.磁控共溅射法制备Sn-Cu复合薄膜材料及其电化学性能研究[J].安庆师范大学学报(自然科学版).2019
[3].马昌昊,袁宁一,丁建宁.Sb_2Se_3和Se双靶共溅射制备硒化锑薄膜电池[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[4].邓爱民,梁佳静,张国家.磁控共溅射法在聚碳酸酯柔性基底镀TiN研究[J].电镀与精饰.2019
[5].郭玉垚,王铁钢,李柏松,刘艳梅,蒙德强.高功率脉冲和脉冲直流磁控共溅射CrAlN薄膜的研究[J].表面技术.2019
[6].孙孪鸿,沈鸿烈,黄护林,李玉芳,商慧荣.硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响[J].发光学报.2019
[7].何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳,张旭明.衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响[J].化工新型材料.2019
[8].何双赐,钟志成,汪竞阳,魏彦锋.衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响[J].压电与声光.2018
[9].贺春林,高建君,王苓飞,马国峰,刘岩.N_2流量对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和结合强度的影响[J].材料导报.2018
[10].何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳.共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究[J].表面技术.2018