导读:本文包含了反应外延生长论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化锌纳米线,钯,外延生长,负载型催化剂
反应外延生长论文文献综述
刘佳欣,宋义安,黄玉东[1]（2016）在《氧化锌纳米线外延生长PdZn纳米粒子的制备及在甲醇水蒸气重整反应中的催化性能》一文中研究指出以采用改进的气相沉积法制备的具有规整{1010}晶面的氧化锌纳米线为载体,合成了氧化锌纳米线负载钯催化剂,考察了还原温度和负载量对催化剂表面形成Pd Zn合金过程的影响,并通过适当的后处理过程制备了氧化锌纳米线外延生长Pd Zn纳米粒子催化体系.结果表明,当金属钯负载量较低(质量分数约为2%)时,经400℃还原后的催化剂表面会形成PdxZny(x>y)合金,从而影响催化剂的CO选择性;提高钯负载量或还原温度有利于将PdxZny(x>y)合金转化为Pd Zn合金,降低CO选择性.负载Pd Zn合金纳米粒子与氧化锌纳米线载体之间外延生长的界面关系使其在甲醇水蒸气重整反应中显示出优异的反应稳定性.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2016年07期）
赵伟[2]（2016）在《超声辅助蓝宝石反应外延生长机制及Al/Al_2O_3复合焊缝工艺研究》一文中研究指出蓝宝石即为α-Al_2O_3单晶,是一种具有高强度,高熔点,高耐蚀性的光学材料,在民事和军事领域均有广泛的应用。目前针对蓝宝石的焊接主要有大尺寸光学窗口和复杂结构件等多方面的需求,但蓝宝石化学稳定性高,难以与其他金属实现结合,并且由于蓝宝石热膨胀系数小,焊后冷却过程易产生残余应力,因此难以通过常规方法焊接。本文研究了超声作用下蓝宝石在纯铝钎料中的反应外延生长机制,并对纯铝钎料超声钎焊蓝宝石的工艺进行了研究,在此基础上,尝试了借助纯铝直接氧化法改善焊缝结构的工艺探究。在超声作用下,浸在液态纯Al中的蓝宝石表面生成Al_2O_3反应层。实验证明,反应中氧的来源为空气中的O2通过空气/蓝宝石/液态钎料叁相线进入。空化泡崩溃的瞬间产生高温高压,促进固液界面处的O2向Al中大量溶解,溶解的O与液态Al发生反应生成Al_2O_3反应层。TEM分析表明,蓝宝石表面的Al_2O_3外延层是以台阶状的方式生长,台阶的晶体取向与蓝宝石基体基本一致。外延层与蓝宝石基体之间通常存在一些层错。随着超声时间的延长,台阶之间相互合并成为多孔片层,并且Al_2O_3反应外延层的厚度随超声时间延长逐渐增加。采用超声钎焊的方法,用纯铝钎料焊接蓝宝石,当超声热浸时长在50s-1000 s之间时,接头断裂在钎料金属内部,剪切强度最高可达56 MPa,但超声作用较短时间(5 s)时,蓝宝石表面的反应外延层与钎料金属的结合成为了接头的薄弱环节,接头最高强度降低到了43 MPa。以Mg O粉末为引发剂的纯铝的直接氧化试验中,Mg O粉末的量为15mg/cm2时,可以引发直接氧化,生成的Al/Al_2O_3相平均厚度随保温时长的增加呈直线上升趋势,利用这一方法进行超声热浸-直接氧化-超声钎焊的试验,获得了掺有Al/Al_2O_3复合相的纯铝钎料焊接接头,尽管焊缝的热胀系数可能得到改善,但由于纯铝相的必然存在导致接头强度没有得到明显提升,最高53 MPa。同样借助直接氧化法,采用超声热浸-超声钎焊-直接氧化的方法获得了含有Al/Al_2O_3复合相的2024钎料焊接接头,接头中发现了Al/Al_2O_3复合相与蓝宝石可以连接,为以复合相直接连接蓝宝石提供了可能,同样由于直接氧化反应难以控制,接头中存在2024合金以及Cu Al化合物相,接头强度最高65 MPa。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-06-01）
张旺玺,梁宝岩,王艳芝,张艳丽,孙玉周[3]（2015）在《反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO_2晶体的研究》一文中研究指出利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO_2)晶体的外延生长。采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO_2晶体的外延生长机理。研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO_2晶体,但形态不同。在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO_2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO_2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO_2体。碳材料外延生长SiO_2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO_2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO_2晶体。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年11期）
李国强,王文梁[4]（2013）在《在新型活泼衬底上外延生长GaN薄膜及其界面反应控制》一文中研究指出通过对比蓝宝石衬底与几种非常规衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了研究非常规衬底的重要意义;并详细介绍了在非常规衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及氮化物半导体器件的应用研究,特别是基于非常规衬底的研究起到很好的指导意义。(本文来源于《第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要》期刊2013-08-23）
田宇[5]（2012）在《利用行星式MOCVD反应室生长AlGalnP红光外延片的研究》一文中研究指出本文所研究的内容是通过改变气流量的分布,来改善LED外延片的均匀性,从而为生长出高质量的LED外延片提供理论支撑和技术支持,为LED的快速发展奠定基础。本文通过理论分析了AIXTRON2800G4行星式MOCVD气体喷嘴上下两路五族源的流量比、上下两路五族源流速、AsH3流量以及Ⅲ族源的总气流对外延层A1组分、生长速率、掺杂浓度对晶体质量、均匀性等的影响。研究了生长出高质量的AlGaInP红光LED外延片的生长工艺,并进行了实验分析。探究使用最佳的生长工艺制作出的AlGaInP红光LED外延片的生长速率提高了12.5%,DBR波长均匀性提高了20%,MQW均匀性提高了20%,光强度均匀性提高了10%,从整体上提高了LED外延片的良率。因此,本文所研究的气流量分布为LED行业的发展起到较大的推动作用。(本文来源于《长春理工大学》期刊2012-03-01）
孙静静,邹志强,王丹,赵明海,陈礼[6]（2009）在《锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长》一文中研究指出采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的叁维岛状硅化物取代。随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2009年06期）
张华,金薇,刘慧舟,杨坚[7]（2008）在《反应气体H_2O对Y_2O_3隔离层外延生长的影响》一文中研究指出报道了用反应溅射的方法在有强立方织构的NiW基带上连续制备Y2O3隔离层的研究结果.用X射线θ～2θ扫描,φ扫描对薄膜的取向和织构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行观察.论文主要研究了H2O分压对Y2O3隔离层外延生长以及表面形貌的影响,结果表明:H2O分压过小,Y2O3织构相对衬底有所弱化,薄膜表面不透明,原子覆盖不均匀,且不利于后续隔离层YSZ的生长.同时,临界H2O分压与温度和总气压的关系也作了详细研究.(本文来源于《低温物理学报》期刊2008年04期）
马琳[8]（2007）在《BCl_3/H_2外延生长P型硅反应机理的理论研究》一文中研究指出本论文采用Guassian98程序,密度泛函BHandHLYP/6-311G**方法,首次在理论上对以BCl_3作为掺杂源,在常压氢气氛下实际外延生长P型硅的整个过程的微观反应机理进行了理论研究。计算得到了各反应通道中的反应物、中间体、过渡态和产物的构型,给出了每个反应通道的反应活化能。对所有过渡态的虚频振动模式进行了分析,并进一步作IRC(内禀反应坐标)路径分析,来最终确认我们所找的过渡态是准确的。计算得到整个气相反应的主反应通道为:BCl_3和H_2反应生成BHCl_2和HCl。BHCl_2继续和H_2反应生成BH_2Cl和HCl。BH_2Cl继续和H_2反应最终得到BH_3和HCl。整个反应过程中无B原子的出现。气相反应中BCl_3和H_2的反应能垒最高,是反应的速控步。分别用Si_2、Si_3、Si_4原子簇模拟硅衬底,计算结果表明:在气相中不能直接生成的B原子可以在硅衬底上生成,从而完成晶体的掺杂生长。BCl_3的吸附产物和H_2或H原子反应的能垒均比气相中直接反应低很多,可以说这是硅衬底的加入影响的结果。在衬底上自行分解脱去HCl的能垒最高,是衬底上所有反应的速控步,但与气相中直接脱去HCl相比,还是低了不少。可以看出硅衬底的加入,大大降低了反应活化能。本论文能解释该体系气相外延生长P型硅的一些实验现象,从理论上给出了化学反应的微观反应机理,为实验工作者设计实验工艺以及提高工作效率,提供了动力学信息。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2007-05-01）
王艳丽[9]（2007）在《PCl_3/H_2外延生长N型硅反应机理的理论研究》一文中研究指出本论文采用Gaussian98程序,密度泛函B3LYP/6-311G**方法,首次在理论上对以PCl_3为磷源,在常压氢气氛下外延生长N型硅的整个过程的微观反应机理进行了理论研究。计算得到了各反应通道中的反应物、过渡态和产物的构型,给出了每个反应通道的反应活化能。对所有过渡态的虚频振动模式进行了分析,并进一步作IRC(内禀反应坐标)路径分析,来最终确认我们所找的过渡态是准确的,并通过各步反应的能量关系来确认主反应通道。本文分别研究了PCl_3/H_2在气相中和在硅衬底表面上的微观反应机理,以期为半导体N型掺杂技术提供必要的理论依据。PCl_3/H_2在气相中的反应是一个多步骤多通道的反应,在气相初始反应中存在四条反应通道,得到的主要产物为PCl_2H和HCl。PCl_2H进一步和H_2反应中,存在五条反应通道,得到的主要产物为PClH_2、PCl、和HCl。PClH_2、PCl进一步和H_2反应,存在六条反应通道,得到的主要产物为PH3、PH和PCl。PH_3、PH和PCl之间存在叁种反应,由PH+PCl反应最终得到了磷。分别用Si_2、Si_3、Si_4原子簇来模拟硅衬底,在硅衬底上PCl_3首先发生解离吸附,活化能较小,反应易于发生。然后吸附产物与H_2经四步骤多通道的反应,最后吸附产物中的Cl原子与H_2中的一个H原子结合成HCl而脱附,而H_2分子中的另一个H原子单独析出,得到了PSin原子簇。PCl_3吸附后的产物与H_2反应的前叁步活化能比气相反应中所需的活化能低,而最后得到PSin原子簇那步的活化能比气相主反应通道的活化能都要高,反应很难进行。因此,就目前所作的工作而言认为,PCl_3/H_2外延生长N型硅主要是气相中得到的磷沉积到硅表面从而完成晶体掺杂。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2007-05-01）
白大伟[10]（2007）在《ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征》一文中研究指出ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以及该波段相应的光学非线性材料，在光发射器件、非线性光电器件和红外器件等方面有着广泛的应用。目前ZnSe体单晶的制备技术尚不成熟，使用更多的是ZnSe薄膜和多晶。本文主要对ZnSe薄膜制备、结构和性能进行了研究。 ZnSe薄膜的制备采用化学反应助热壁外延法，通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH_4)_3Cl_5引入到热壁外延系统中，以二元素单质Zn和Se为原料，直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜。采用SEM、AFM、EDS、XRD和PL谱等技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。研究结果表明，热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素；气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色，Zn(NH_4)_3Cl_5的存在使得Zn(g)和Se_2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应，从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。 在以Zn(NH_4)_3Cl_5为输运剂或者反应促进剂，以单质Zn和Se为原料生长ZaSe晶体时，为了得到最优的生长条件，对Zn—Se—Zn(NH_4)_3Cl_5系统进行热力学分析，通过计算反应达到平衡状态时，Zn-Se-Zn(NH_4)_3Cl_5系统中存在的各气相组分的分压随温度和输运剂浓度的变化，确定了最适合的气相生长工艺。计算表明，在Zn-Se-Zn(NH_4)_3Cl_5气相反应系统中，存在一个特征温度范围，此特征温度为1647-1729K左右，并且与输运剂浓度无关。当生长温度在此特征温度范围时，所生长的ZnSe晶体严格符合化学计量比1:1，高于或低于特征温度范围将得到富Zn或富Se的晶体。(本文来源于《西北工业大学》期刊2007-03-01）
反应外延生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
蓝宝石即为α-Al_2O_3单晶,是一种具有高强度,高熔点,高耐蚀性的光学材料,在民事和军事领域均有广泛的应用。目前针对蓝宝石的焊接主要有大尺寸光学窗口和复杂结构件等多方面的需求,但蓝宝石化学稳定性高,难以与其他金属实现结合,并且由于蓝宝石热膨胀系数小,焊后冷却过程易产生残余应力,因此难以通过常规方法焊接。本文研究了超声作用下蓝宝石在纯铝钎料中的反应外延生长机制,并对纯铝钎料超声钎焊蓝宝石的工艺进行了研究,在此基础上,尝试了借助纯铝直接氧化法改善焊缝结构的工艺探究。在超声作用下,浸在液态纯Al中的蓝宝石表面生成Al_2O_3反应层。实验证明,反应中氧的来源为空气中的O2通过空气/蓝宝石/液态钎料叁相线进入。空化泡崩溃的瞬间产生高温高压,促进固液界面处的O2向Al中大量溶解,溶解的O与液态Al发生反应生成Al_2O_3反应层。TEM分析表明,蓝宝石表面的Al_2O_3外延层是以台阶状的方式生长,台阶的晶体取向与蓝宝石基体基本一致。外延层与蓝宝石基体之间通常存在一些层错。随着超声时间的延长,台阶之间相互合并成为多孔片层,并且Al_2O_3反应外延层的厚度随超声时间延长逐渐增加。采用超声钎焊的方法,用纯铝钎料焊接蓝宝石,当超声热浸时长在50s-1000 s之间时,接头断裂在钎料金属内部,剪切强度最高可达56 MPa,但超声作用较短时间(5 s)时,蓝宝石表面的反应外延层与钎料金属的结合成为了接头的薄弱环节,接头最高强度降低到了43 MPa。以Mg O粉末为引发剂的纯铝的直接氧化试验中,Mg O粉末的量为15mg/cm2时,可以引发直接氧化,生成的Al/Al_2O_3相平均厚度随保温时长的增加呈直线上升趋势,利用这一方法进行超声热浸-直接氧化-超声钎焊的试验,获得了掺有Al/Al_2O_3复合相的纯铝钎料焊接接头,尽管焊缝的热胀系数可能得到改善,但由于纯铝相的必然存在导致接头强度没有得到明显提升,最高53 MPa。同样借助直接氧化法,采用超声热浸-超声钎焊-直接氧化的方法获得了含有Al/Al_2O_3复合相的2024钎料焊接接头,接头中发现了Al/Al_2O_3复合相与蓝宝石可以连接,为以复合相直接连接蓝宝石提供了可能,同样由于直接氧化反应难以控制,接头中存在2024合金以及Cu Al化合物相,接头强度最高65 MPa。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应外延生长论文参考文献
[1].刘佳欣,宋义安,黄玉东.氧化锌纳米线外延生长PdZn纳米粒子的制备及在甲醇水蒸气重整反应中的催化性能[J].高等学校化学学报.2016
[2].赵伟.超声辅助蓝宝石反应外延生长机制及Al/Al_2O_3复合焊缝工艺研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[3].张旺玺,梁宝岩,王艳芝,张艳丽,孙玉周.反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO_2晶体的研究[J].人工晶体学报.2015
[4].李国强,王文梁.在新型活泼衬底上外延生长GaN薄膜及其界面反应控制[C].第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要.2013
[5].田宇.利用行星式MOCVD反应室生长AlGalnP红光外延片的研究[D].长春理工大学.2012
[6].孙静静,邹志强,王丹,赵明海,陈礼.锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长[J].功能材料与器件学报.2009
[7].张华,金薇,刘慧舟,杨坚.反应气体H_2O对Y_2O_3隔离层外延生长的影响[J].低温物理学报.2008
[8].马琳.BCl_3/H_2外延生长P型硅反应机理的理论研究[D].辽宁师范大学.2007
[9].王艳丽.PCl_3/H_2外延生长N型硅反应机理的理论研究[D].辽宁师范大学.2007
[10].白大伟.ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征[D].西北工业大学.2007