导读:本文包含了铁磁和反铁磁耦合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:荷电旋量玻色气体,铁磁耦合相互作用,比热容
铁磁和反铁磁耦合论文文献综述
陈雅斐,秦吉红,梁颖[1]（2019）在《叁维含铁磁耦合荷电旋量玻色气体比热容的研究》一文中研究指出应用平均场理论,研究了叁维铁磁耦合相互作用荷电旋量玻色气体的比热容.讨论了在不同条件下比热容与约化铁磁耦合常数I珔、朗德因子g、约化磁场强度h和约化温度t的关系.结果表明:在恒定的磁场中,比热容随铁磁性的增强而减小直至达到饱和状态;顺磁性的增强会降低系统的比热容,而抗磁性的增强会升高系统的比热容.(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
杨坤亚[2]（2019）在《铁磁/重金属结构及人工反铁磁中自旋轨道耦合的研究》一文中研究指出自旋电子学是在传统电子学基础上调控自旋自由度,基于自旋的存储器具有读取速度快、能耗低、非易失等优点,这使得自旋电子学成为近期的研究热点。在磁学领域的应用则是通过利用重金属的自旋轨道耦合效应,通过Spin Hall Effect或(和)Rashba Effect将电荷流转化为自旋流作用在磁矩上产生自旋轨道力矩对磁矩进行调控。本论文就围绕这个主题在垂直磁化异质结Pt/Co/SmO_x/Ta和人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt中分别进行了自旋轨道力矩和单向自旋霍尔磁电阻的研究,结论简要论述如下:1.在垂直磁化异质结Pt/Co/SmO_x/Ta采用谐波霍尔电压测试方法进行测量并提取自旋轨道力矩随电流密度变化关系及其温度特性。本论文实现了在室温下仅需1.2×10~6 A/cm~2的低电流密度对垂直磁矩的翻转,从100 K到400 K的温度范围内,其H_(DL)项由2.01×10~-66 Oe/(A·cm~(-2))上升到4.3×10~(-6) Oe/(A·cm~(-2)),而H_(FL)项则受影响不大。最终将自旋霍尔角q_(SH)随着温度升高而变大的特性归结于温度对Pt电阻率和磁近邻效应的影响。2.本论文采用PPMS和自主搭建的输运测量平台,测量了人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt样品在不同磁场下其纵向磁电阻R_(xx)及纵向磁电阻R_H的角度依赖关系。最后提取了R_(xx)的温度依赖关系发现随着温度的降低其AMR增大,并将其归因于低温下晶格散射和热扰动变弱,电子—磁子散射起主导作用的结果,SMR温度依赖性是由于随着温度的升高自旋霍尔角变大而自旋扩散长度减小。3.本论文在人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt多层膜中采用二次谐波电压法测量了其R_(1ω)和R_(2ω),通过提取二倍频电阻变化量△R_(2w-y)发现其周期为2p,并且无论是磁矩的反向还是电流极性的改变都会使得△R_(2w-y)变号:R(j,m)=-R(-j,m)=-R(j,-m),即具有单向性,其幅值正比于电流密度,达到5mW/10~7A/cm~2。本研究通过分析将其归结于界面及体的自旋相关电子散射所导致的,其信号大小与自旋霍尔效应诱导的界面自旋积累量有关。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-05-01）
翁晓椒[3]（2018）在《反铁磁耦合复合磁体的微磁学研究》一文中研究指出随着社会和科技的发展,单相永磁体已经不能满足发展的需求,使得对新型磁性材料的研究成为了数十年来的热点课题。硬/软磁复合磁体的出现给磁性材料的研究打开了一个崭新的思路和方向。由于不同相之间的耦合作用可以很好地把软磁层的高剩磁(Ms)与硬磁层的高矫顽力(Hc)结合起来,使得复合磁体的磁能积(BH)有了较大的提高。但是,由于材料内部缺陷、杂质和实验条件限制等因素,使得复合磁体的理论值和实验之间存在着较大的差异。为了加深对复合磁体的研究,我们探究了硬/软磁叁层膜体系的矫顽力机制并与实验做了比较。有研究表明反铁磁耦合作用是影响复合磁体磁性能的重要原因之一,因此本文重点从界面间为反铁磁耦合的情况出发,针对反铁磁耦合Nd2Fe14B/α-Fe复合磁体的磁化反转规律做了更深入的探究和分析,其主要内容包括:1.以反铁磁耦合的Nd2Fe14B/α-Fe体系作为探究对象,结合了赵等人对硬/软磁复合磁体的一维解析方法推导了反铁磁耦合双层膜的成核场解析公式,明确了软磁厚度Ls及反铁磁耦合系数J对成核过程和磁滞回线的影响。研究发现,反铁磁耦合复合磁体的反转被分成了两个过程。软磁层可提前至第一象限就开始反转,并且反铁磁耦合效应越强,其反转越快;另外,软磁相的厚度Ls越小,软磁界面的磁矩受到的反铁磁耦合效应就越明显,其成核也就越早。当软磁相反转完成后,硬、软磁磁矩处于异向平行状态,进一步减小外场才能使硬磁相部分开始反转。2.为了更加明确反铁磁耦合复合磁体的反转机理,我们首次提出了一种更为简单的反铁磁耦合模型。在这个简单模型中我们假设了硬/软磁相均为单畴结构,即硬/软磁内部磁矩均无连续分布畴壁存在。因此复合磁体的反转过程就只由外场能、各向异性能以及两相之间的耦合能的竞争来决定了。结果显示,在软磁层开始退磁时,硬磁相由于界面耦合能的作用其磁矩也会发生很小的转动,并且在软磁相完成反转后磁矩又转回到原来的位置。简单模型的提出使反铁磁耦合复合磁体的反转过程更加清晰、易于理解,同时也很大程度的简化计算过程。(本文来源于《四川师范大学》期刊2018-06-11）
尚翠[4]（2017）在《ABO_3锰氧化物中电荷有序/反铁磁耦合调控研究》一文中研究指出ABO3锰氧化物中存在自旋、轨道、晶格和电荷等多种自由度的耦合作用,因而具有相分离、电荷有序和亚磁相变等丰富的物理性质。锰位替代和外加磁场是调节锰氧化物性质的两种常用方法。La0.5Sr0.5MnO3和Nd0.5Sr0.5MnO3体系在低温下存在铁磁、电荷有序和反铁磁等多相共存的相分离现象。脉冲强磁场的超高磁场和超快扫场速率等极端条件为研究强反铁磁耦合材料的磁相变及磁相变的动力学行为提供了实验平台。本文基于脉冲强磁场磁化测量平台,系统研究了离子替换、温度和外加磁场对La0.5Sr0.5MnO3和Nd0.5Sr0.5MnO3体系性质的调控机制。主要研究内容如下:一、简单分析了脉冲强磁场在科学研究中的作用;从晶体结构、理论模型和研究现状等方面介绍了锰氧化物的电、磁性质,特别对相分离体系中的类马氏体相变行为、电荷有序相的调制和自发交换偏置效应产生的机制等进行了概述。二、利用固相法和溶胶-凝胶法制备了 Ti、Al、Cr、Co和Cu掺杂的Lao.5Sr0.5Mn1-xRxO3和Nd0.5Sr0.5Mn1-xRxO3系列样品,并介绍了脉冲强磁场下的磁化测量系统和相关的磁化测量方案。叁、选取非磁性Ti4+、A13+和磁性Cr3+离子掺杂,利用稳态磁场和脉冲强磁场详细研究了掺杂和外加磁场对Lao.5Sro.5Mn1-x-xO3体系性质的调控。实验发现:(1)Ti4+离子掺杂使x=0.15～0.2体系在3 K以下表现出与Ti4+离子掺杂诱导的局域铁磁畴有关的磁化跳变现象。磁化跳变现象与冷却磁场和磁场扫描速率有关,具有类马氏体相变的特性。(2)非磁性的A13+离子不参与磁交换作用,但A13+离子替代Mn3+离子部分破坏了 Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用,导致体系的反铁磁耦合增强。在50T的脉冲强磁场作用下,观测到磁场驱动的电荷有序/反铁磁相到铁磁相的陡峭的亚磁相变,把La0.5Sr0.5Mn1-xAlxO3体系的磁相图扩展到高场范围。(3)掺杂Cr3+离子与近邻锰离子之间的反铁磁耦合导致Cr3+离子掺杂的“之”字链内的Mn3+和Mn4+离子的自旋重新取向,掺杂Cr3+离子周围产生铁磁团簇。随着Cr3+离子浓度增加,Cr3+-Mn4+、Mn4+-Mn4+和Cr3+-Cr3+反铁磁耦合增强,居里温度降低。四、研究了 Cu掺杂和磁场对Nd0.5Sr0.5Mn03体系中电荷有序/反铁磁耦合的调控。实验发现掺杂Cu离子以Cu2+和Cu3+混合价形式存在,导致体系中的Mn4+离子增多,Mn3+/Mn4+比例减小,Mn3+-O2--Mn4+铁磁双交换作用减弱。参与双交换作用的Mn3+离子的eg电子局域在Cu2+/Cu3+离子周围,电子输运机制符合小极化子模型。在较高的磁场作用下,系统出现磁场诱导的电荷有序/反铁磁相的崩塌行为,扩展了Nd0.5Sro.5Mn1-xCuxO(0≤x≤0.15)体系的磁相图。五、研究了 La0.5Sr0.5Mn1-xCoxO3(x=0.2)中Co掺杂诱导的自发交换偏置效应,实验发现该效应与Co掺杂诱导的团簇-玻璃态有关。自发交换偏置效应随着初始磁化磁场的增加和测量温度的升高,从正向自发交换偏置效应转变成负向自发交换偏置效应。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
金昭[5]（2017）在《强磁场对二维、叁维反铁磁耦合的调制研究》一文中研究指出磁场作为重要的热力学参数之一,如同温度、压力等,可以改变物质的内部能量,是研究材料物理现象和机理的一种有效实验条件。特别是强磁场,在磁性材料研究中既可以起到性能的调控,同时也可以作为一种非常直观有效的手段去测量材料物性。在本论文所选题的准二维和叁维反铁磁耦合材料的研究中,强磁场与磁各向异性相互作用并调控其各向异性行为,从而为研究多维体系的磁结构以及磁电性质提供了又一重要研究手段。主要研究内容如下:一、阐述了强磁场在材料科学和凝聚态物理研究方面的重要性,简要介绍了ThCr2Si2类的磁性材料的研究进展,包括具有层间非线性反铁磁结构TlCo2Se2单晶的研究近况。概述了钙钛矿型锰氧化物这一庞大体系的晶格结构、磁结构、电子结构和输运性质等。二、为了系统研究外磁场对二维磁耦合各向异性性质的调控过程,研制了基于脉冲强磁场和低温环境的旋转样品测量杆,结合数字锁相技术,实现了任意角度下电输运微小信号的连续测量。开发了基于脉冲强磁场的应变测量方法,并对所选二维磁耦合系统自旋-晶格耦合诱导的磁致伸缩进行了初步研究。叁、系统研究了 TlCo_2Se_2单晶的磁性、电输运和应变性质以及电输运与磁化行为的各向异性性质。实验发现在88 K时存在明显的反铁磁转变,当外加磁场沿垂直和平行于c方向分别增加到17 T和30 T时,其磁化强度达到饱和,显示出极强的磁各向异性。结合强磁场下的磁化、电输运和应变测量,得到了详细的、彼此自洽的层内与层间Co离子的磁耦合关系,从而描绘出了 TICo2Se2单晶完整的高场磁相图。四、利用光学浮区法成功制备了高质量的Nd0.45Sr0.55MrnO3单晶样品。磁化测量结果表明在212 K下样品具有非常明显的反铁磁结构。在电输运性质的研究中,发现其磁各向异性在磁电阻的变化上得到了明显的反映,但磁化测量中表现并不显着。五、以La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3作为母体化合物,选择Zn和Ba作为掺杂元素替换A位Ca离子来研究强磁场和A位掺杂对电荷有序反铁磁耦合的调控作用。实验设计上保证在掺杂过程中Mn3+/Mn4+的比例不发生改变,从而不改变其电荷有序反铁磁物理结构。利用脉冲强磁场和掺杂导致的晶格畸变的共同作用,为研究其电荷有序反铁磁耦合探索了一种新的有效实验途径。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
陈斌斌[6]（2017）在《La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRu_(1-x)Ti_xO_3多层膜界面及层分辨的反铁磁层间耦合的发现》一文中研究指出关联氧化物界面存在晶格、电荷、自旋、轨道多自由度的复杂耦合,能导致极为丰富的界面电子态,是近些年来凝聚态物理研究的热点和前沿。在这些层出不穷的氧化物界面研究中,庞磁阻锰氧化物界面吸引了广泛的关注。由于锰氧化物中各种相互作用的竞争对界面处的结构变化和电子重构十分敏感,形成界面不仅能诱导出异于块材的新物相,还能通过界面工程有效地调控锰氧化物功能性。铁磁基态的锰氧化物因为其半金属性在自旋电子学器件中有潜在应用,然而维度降低通常导致其磁性蜕化,界面磁性"死层"限制了相关器件的进一步发展。通过修饰界面效应稳定锰氧化物薄层中的铁磁序一直被人们寄予厚望。另一方面,由全氧化物构成的人工反铁磁结构极为罕见,这也一定程度上限制于氧化物磁性薄膜中普遍存在的死层效应。本论文在实现La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3超薄膜铁磁序控制的基础上,在La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRu_(1/2)Ti_(1/2)O_3多层膜中首次观察到层分辨的反铁磁层间耦合现象,极大地丰富了氧化物多层膜的功能性。本论文包含了六章内容。第一章我们概述了关联氧化物界面常见的重构现象,包括结构重组、电荷转移以及自旋/轨道重构。接着我们具体论述了磁性氧化物异质结中界面重构相关的磁结构诱导及调控。最后我们回顾了金属及氧化物人工反铁磁结构的研究现状。第二章我们简单介绍了本实验中多层膜样品的制备及表征手段,包括多晶靶材制备、脉冲激光沉积技术、X射线衍射及倒空间扫描、断面扫描透射电镜表征以及低温电、磁学性质测量等。第叁章通过设计CaRuO_3/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRuO_3叁明治结构,利用界面处CaRuO_3向La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层的电子转移,增强了超薄情形下La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层的双交换作用及铁磁序。即使La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层厚度仅为四四单胞层(1.6 nm),体系居里温度(TC)仍能维持在～250 K。第四章通过对邻近层CaRuO_3化学掺杂,改变界面电荷转移幅度及轨道占据态,我们实现了CaRu_(1-x)Ti_xO_3/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRu_(1-x)Ti_xO_3(0≤x≤0.8)叁层膜中TC的连续控制,从x=0时的262 K到x=0.8时的186 K,其中La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层厚度固定为3.2 nm。第五章我们在La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRu_(1/2)Ti_(1/2)O_3多层膜中首次观察到层分辨的反铁磁层间耦合观象。内、外La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层受到层间耦合作用的差异导致其在外磁场作用下分步翻转,表现为磁滞回线上分立的磁化平台。其次,强的面内单轴磁各向异性使得La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3层能迅速地完成磁化翻转,这对于该体系在相关器件上的应用极为有利。第六章利用不同取向的NdGaO_3衬底外延CaRu_(1/2)Ti_(1/2)O_3/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3多层膜,我们实现了其矫顽场及耦合场的控制。在(001)取向时多层膜的矫顽场远大于(110)取向的多层膜。而在反铁磁层间耦合情形下,(110)取向的多层膜耦合场明显增强。我们将这种差异归结为应变相关的界面效应。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-01-01）
刘旭,秦吉红,梁颖[7]（2016）在《二维含铁磁耦合费米气体磁学性质的研究》一文中研究指出在平均场理论的框架下,推导出外磁场中具有铁磁耦和作用的二维费米气体的自洽方程,在此基础上,运用量子统计力学研究系统的磁学性质.结果表明总磁化强度密度随磁场强度的增大会出现极大值点,且随铁磁耦合强度增大,极大值点向磁场减弱的方向移动.总磁化强度密度也随Lande因子的增大,发生由抗磁性向顺磁性的转变.(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊2016年05期）
郭晓,张光富[8]（2016）在《反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波本征特性》一文中研究指出采用微磁学模拟方法研究了反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波本征特性,获得了局域化和量子化自旋波模式频率以及空间分布特点。反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波存在光学和声学模式两支,光学模式自旋波具有相对低的频率。光学模式自旋波频率随着层间反铁磁耦合强度的增大而线性减小,声学模式自旋波模式频率不受层间耦合强度的影响。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2016年09期）
刘洋[9]（2015）在《铁磁—反铁磁薄膜中的耦合和输运行为研究》一文中研究指出作为自旋电子学器件的核心部分,磁性金属薄膜具有复杂的磁耦合和电输运现象以及丰富的物理内涵。两个铁磁层之间穿越非磁隔层的层间耦合和相邻的铁磁层与反铁磁层之间的界面耦合在自旋电子学器件中扮演着非常重要的角色,关于层间耦合和界面耦合的研究一直备受关注。本论文的工作是围绕铁磁层/反铁磁界面耦合问题展开的,研究了FeMn为反铁磁层的交换偏置多层膜中铁磁层/反铁磁界面磁矩的状态、复合铁磁层内部的层间耦合、不对称的磁化反转行为、锻炼效应的机制等问题。具体内容包括：通过在铁磁/反铁磁界面引入超薄Pt插层、在反铁磁层内部引入超薄Pt插层、以及在反铁磁层界面附近引入Pt掺杂,并优化插层和掺杂层的厚度和位置,使FM/FeMn(FM为铁磁层)体系的交换偏置场大幅提升,最高可达无插层时的180%左右。机理分析表明,引入的插层和掺杂层可以改变界面未补偿反铁磁磁矩的数量和状态,从而实现了对界面耦合的调控。在(Pt/Co)6/Pt(t)/Co,(Pt/Co)6/Pt(t)/Co/FeMn和Co/Pt(t)/[Co/(Pt/Co)5]/FeMn体系中观察到(Pt/Co)6周期层与一个较厚的Co单层之间穿越Pt隔层的层间耦合,发现该层间耦合随隔层厚度增加是振荡衰减的,其振荡周期和衰减长度大大超出了一般的铁磁/非磁/铁磁体系;而且,在(Pt/Co)6/Pt(t)/Co/FeMn体系中,(Pt/Co)6/Pt(t)/Co中的层间耦合可以对铁磁/反铁磁界面耦合产生调节作用,使Co/FeMn界面耦合也随Pt隔层的厚度改变而周期变化。在Co/FeMn体系中研究了沿铁磁层难轴方向(垂直膜面)诱导的交换偏置,发现FeMn层出现了大量的界面未补偿磁矩,远远超出了一般交换偏置体系的水平,体系的磁化反转行为表现出强烈的不对称性,并随着Co层厚度和FeMn层厚度的变化展现出截然不同的特征。进而讨论了交换偏置体系中影响磁化反转不对称性的关键因素,分析了不对称磁化反转行为两种内禀起源的联系。以多种扫场方式测量了NiFe/FeMn体系的各向异性磁电阻,并借此研究了交换偏置的锻炼效应的角度依赖关系,发现NiFe/FeMn体系中交换偏置的锻炼效应具有多重机制,进而提出了一种基于反铁磁畴态模型的交换偏置衰减机制,很好地解释了锻炼效应中首循环的特殊性。(本文来源于《北京科技大学》期刊2015-06-08）
张华[10]（2015）在《反铁磁耦合叁层膜体系磁化反转过程的微磁学模拟》一文中研究指出磁性材料在当今社会生活中已经扮演着越来越重要的作用,永磁材料的应用几乎在社会生活的各个方面都存在。纳米复合磁性材料由于其结合了软磁相和硬磁相各自的优势,使之可以成为性能更好的磁性材料而在现如今科学研究中倍受关注。同时,这种新型材料会呈现出磁电阻、垂直交换耦合等诸多效应并且纳米复合磁性材料也逐渐成为制备高性能永磁材料的热点。本文同时运用传统Fortran编程模拟计算和OOMMF软件数值模拟计算两种方法详细研究了界面为反铁磁交换耦合的硬磁/软磁/硬磁叁层膜体系的磁化反转过程。并基于微磁学理论系统的分析了该叁层膜体系的成核场、剩磁、反转机制、矫顽力、磁滞回线、磁矩分布等随着磁层厚度变化的依赖关系以及磁矩角度分布随着各种不同外磁场下的依赖关系。主要结论如下:1、反铁磁交换耦合叁层膜体系的磁化反转过程由两个独立的过程组成,分别为平行状态到反平行状态以及反平行状态到反转平行状态。我们使用了一维方法对这两个过程进行了公式推导和模拟计算,给出了这两个过程的成核场公式,得到了平行状态到反平行状态的第一成核场HN1受反铁磁界面耦合强度影响很大。当反铁磁界面耦合J的绝对值趋于无限大时,HN1也会趋于负无穷,由此得到对于强界面反铁磁耦合的叁层膜体系,完全的平行状态是达不到的。硬磁层厚度Lh对第一成核场没有太大的影响,软磁相厚度Ls只有在较小的时候对HN1影响才比较明显。对于反平行状态到反转平行状态,硬磁相厚度Lh和界面耦合强度J对第二成核场HN2都有显着影响,同时第二成核场HN2都比硬磁相的磁晶各向异性场Hk h要大,这是因为反铁磁耦合体系的J对第二成核场有阻碍作用。2、使用叁维模拟方法对反铁磁耦合叁层膜体系进行计算,得到了体系的磁滞回线、磁矩分布、角度分布。可以看出与界面为铁磁交换耦合的叁层膜体系相比,反铁磁交换耦合叁层膜体系的磁滞回线有很大不同。铁磁交换耦合体系的磁滞回线近似一个方形,反铁磁交换耦合体系的磁滞回线近似两个方形,同时磁滞回线的形状随软磁相磁层厚度的变化改变很大。并且与界面为铁磁耦合体系还有不同的是,反铁磁耦合叁层膜体系从平行状态到反平行状态,硬磁相磁矩的偏角先随着外场H的增大而增大,当接近反平行状态时,外场继续增大会使硬磁相的磁矩出现回转现象。(本文来源于《四川师范大学》期刊2015-04-06）
铁磁和反铁磁耦合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
自旋电子学是在传统电子学基础上调控自旋自由度,基于自旋的存储器具有读取速度快、能耗低、非易失等优点,这使得自旋电子学成为近期的研究热点。在磁学领域的应用则是通过利用重金属的自旋轨道耦合效应,通过Spin Hall Effect或(和)Rashba Effect将电荷流转化为自旋流作用在磁矩上产生自旋轨道力矩对磁矩进行调控。本论文就围绕这个主题在垂直磁化异质结Pt/Co/SmO_x/Ta和人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt中分别进行了自旋轨道力矩和单向自旋霍尔磁电阻的研究,结论简要论述如下:1.在垂直磁化异质结Pt/Co/SmO_x/Ta采用谐波霍尔电压测试方法进行测量并提取自旋轨道力矩随电流密度变化关系及其温度特性。本论文实现了在室温下仅需1.2×10~6 A/cm~2的低电流密度对垂直磁矩的翻转,从100 K到400 K的温度范围内,其H_(DL)项由2.01×10~-66 Oe/(A·cm~(-2))上升到4.3×10~(-6) Oe/(A·cm~(-2)),而H_(FL)项则受影响不大。最终将自旋霍尔角q_(SH)随着温度升高而变大的特性归结于温度对Pt电阻率和磁近邻效应的影响。2.本论文采用PPMS和自主搭建的输运测量平台,测量了人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt样品在不同磁场下其纵向磁电阻R_(xx)及纵向磁电阻R_H的角度依赖关系。最后提取了R_(xx)的温度依赖关系发现随着温度的降低其AMR增大,并将其归因于低温下晶格散射和热扰动变弱,电子—磁子散射起主导作用的结果,SMR温度依赖性是由于随着温度的升高自旋霍尔角变大而自旋扩散长度减小。3.本论文在人工反铁磁Ta/CoFe/Ru/CoFe/Pt多层膜中采用二次谐波电压法测量了其R_(1ω)和R_(2ω),通过提取二倍频电阻变化量△R_(2w-y)发现其周期为2p,并且无论是磁矩的反向还是电流极性的改变都会使得△R_(2w-y)变号:R(j,m)=-R(-j,m)=-R(j,-m),即具有单向性,其幅值正比于电流密度,达到5mW/10~7A/cm~2。本研究通过分析将其归结于界面及体的自旋相关电子散射所导致的,其信号大小与自旋霍尔效应诱导的界面自旋积累量有关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁磁和反铁磁耦合论文参考文献
[1].陈雅斐,秦吉红,梁颖.叁维含铁磁耦合荷电旋量玻色气体比热容的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版).2019
[2].杨坤亚.铁磁/重金属结构及人工反铁磁中自旋轨道耦合的研究[D].兰州大学.2019
[3].翁晓椒.反铁磁耦合复合磁体的微磁学研究[D].四川师范大学.2018
[4].尚翠.ABO_3锰氧化物中电荷有序/反铁磁耦合调控研究[D].华中科技大学.2017
[5].金昭.强磁场对二维、叁维反铁磁耦合的调制研究[D].华中科技大学.2017
[6].陈斌斌.La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/CaRu_(1-x)Ti_xO_3多层膜界面及层分辨的反铁磁层间耦合的发现[D].中国科学技术大学.2017
[7].刘旭,秦吉红,梁颖.二维含铁磁耦合费米气体磁学性质的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版).2016
[8].郭晓,张光富.反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波本征特性[J].科技创新与应用.2016
[9].刘洋.铁磁—反铁磁薄膜中的耦合和输运行为研究[D].北京科技大学.2015
[10].张华.反铁磁耦合叁层膜体系磁化反转过程的微磁学模拟[D].四川师范大学.2015