导读:本文包含了气相传输法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化铝,物理气相传输,同质外延,紫外透光率
气相传输法论文文献综述
贺广东,王琦琨,雷丹,龚建超,黄嘉丽[1]（2019）在《物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析》一文中研究指出本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm Al N籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸Al N单晶锭。将生长出的单晶锭经过切片、研磨和抛光工艺加工成1英寸低表面粗糙度的单晶片,并采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射仪、分光光度计对籽晶片与外延晶片进行结晶质量、位错密度以及紫外透光率等性能表征。结果表明:外延晶片的拉曼E_2(high)半高宽为2. 86 cm~(-1),(002)面XRD摇摆曲线半高宽为241 arcsec,说明晶片具有很高的结晶质量;经过同质外延4次迭代后的晶片较初始籽晶片相比质量有所下降,说明生长过程中由于非平衡生长存在缺陷的增殖;外延晶片具有极其优异的紫外透光率,深紫外265～280 nm波段下的吸收系数低至19～21. 5 cm~(-1)。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年09期）
崔潆心,胡小波,徐现刚[2]（2018）在《物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究》一文中研究指出晶体的生长原生面在一定程度上能反应出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息。采用激光共聚焦显微镜偏光拼接技术和原子力显微镜对物理气相传输法生长的4H、6H-SiC单晶原生小面的表面形貌进行了观察和测试。偏光显微镜和原子力显微镜测试结果显示4H-SiC原生小面扩展后,其周边趋向于形成六边形的生长台阶;而6H-SiC原生小面扩展后,其周边趋向于形成圆形的生长台阶。基于Jackson双层界面模型,从热力学角度计算了4H、6H-SiC单晶的Jackson因子α分别为33.15和31.87,故导致4H、6H-SiC单晶原生小面台阶形貌差异的是生长界面的粗糙程度和生长温度。原生面上的微管缺陷是生长台阶的起源,借助原子力显微镜对多个微管进行了测试。由测试结果可知,微管直径分布在760 nm–6.0 um之间,相应的伯格斯矢量绝对值分布在5c~14c,微管直径与伯格斯矢量平方值的商D/B2分布在11.1~23.6 nm~(–1)之间,即通过原子力显微镜测试获得的微管结构数据不严格遵守Frank理论。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年08期）
张子明,辛鑫,严清峰,李强,杨轶[3]（2016）在《两步加热化学气相传输法合成~3mm正交相黑磷单晶（英文）》一文中研究指出本文采用一种温和的、绿色的两步加热化学气相传输反应方法合成了~3 mm正交相黑磷单晶,产率高达~90%.该反应体系由矿化剂金属锡和单质碘以及前驱体红磷构成.反应产物中,磷化锡是唯一的副产物,这大大地简化了正交相黑磷单晶后续的分离和纯化过程.首次运用X射线摇摆曲线研究了所合成的正交相黑磷单晶,得到的摇摆曲线的半高峰宽为21.65弧秒,揭示了其优异的单晶质量.通过一种全干法转移技术制备了基于机械剥离的少层磷烯的底电极结构的场效应晶体管.在~6 nm厚的磷烯薄片上构筑的场效应晶体管表现出目前最高纪录的空穴迁移率(1744 cm2 V-1 s-1)和高的开关比(~104),该结果进一步证明所发展的两步加热化学气相传输反应方法合成的正交相黑磷单晶具有优异的单晶质量.(本文来源于《Science China Materials》期刊2016年02期）
金雷[4]（2015）在《物理气相传输法生长氮化铝晶体的机制研究》一文中研究指出氮化铝(Al N)是第叁代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质,主要应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、二次谐波发射器和表面声波等器件中。物理气相传输(PVT)法被公认为是制备Al N晶体的有效手段之一,已被各科研机构广泛采用。目前,国际上采用PVT法已经制备出了2英寸的Al N单晶片,然而,国内在Al N晶体制备方面仍然处于起步阶段,对于Al N晶体生长机制、复合缺陷发光机制、生长习性和制备工艺等方面的认知和掌握不够。本研究探索了生长工艺对Al N晶体生长的影响,并针对Al N晶体生长机制、复合缺陷发光机制和形核习性进行研究,为Al N晶体生长提供理论和技术指导。本文主要研究内容包括:通过理论计算、模拟和实验研究,设计和优化加热体的形状和结构,探索适合Al N晶体生长的工艺参数;考察在自发形核生长Al N晶体过程中,低维结构和体材料中生长机制的共性,并研究了复合缺陷对晶体发光性质的影响;研究钨(W)、钽(Ta)衬底对Al N晶体形核习性的影响,获得制备Al N多晶锭的工艺参数,并对Al N晶体的结晶质量进行初步表征。研究了加热体形状、生长温度和生长压力(N2)对Al N晶体生长的影响。研究结果表明:通过调整复合式加热体(即:在圆筒形加热体内部配置石墨环)中石墨环的位置,可以调控加热体内部的温度分布,获得晶体生长的最佳温度梯度;随着生长温度从1800℃升高至2200℃,Al N晶体形貌逐渐从晶须向晶体转变;晶体生长速率随着生长气压的改变而改变,当生长气压为6.0×104Pa时晶体生长速率最快。确定Al N晶体生长的最佳工艺参数为:生长温度为2200℃、N2气压为6.0×104Pa,坩埚内温度梯度为3-5℃/mm。研究了Al N晶体生长机制和Al N纳米螺旋的发光性质。生长机制研究结果表明:驱动Al N生长的本质因素为Al N晶体的自发极性,Al N晶体生长遵循周期堆迭模型。在自发极性的驱动下,Al N晶体生长机制为斜六边形棱柱的周期性堆迭,即:Al N晶体生长以斜六边形棱柱为基本生长单元,斜六边形棱柱的形成是由于Al N原子的错位排列导致;Al N晶体生长过程可以视为斜六边形棱柱的周期性堆迭过程;晶体形貌由斜六边形棱柱的厚度和沿轴向的旋转角度决定;随着生长温度的升高,Al N形貌从晶须逐渐向晶粒转变,在堆迭模型和纤锌矿结构结晶学特性的共同作用下,Al N晶粒沿着[0001]方向扭转或倾斜生长;在2200℃生长温度下,随着生长时间的延长,在晶体中形成大量的晶界和类微管型缺陷。发光性质研究结果表明:Al N纳米螺旋中存在着叁种本征缺陷,分别为氮空位(VN)、铝间隙(Ali)和氮空位与铝间隙的复合缺陷(VNAli),其中VNAli复合缺陷导致了晶体中的长余辉效应,长余辉效应寿命可达十分钟以上。理论上,第一性原理计算表明VNAli可以导致595nm的发光,并可能导致长余辉效应。实验上,验证了Al N纳米螺旋中600nm长余辉效应的存在。Al N纳米螺旋长余辉的发光机制为:Al N晶体中VNAli复合缺陷诱导了导带中部分能级的下降并脱离导带,形成了具有0.35e V的陷阱能级;同时VNAli复合缺陷在禁带内部形成了缺陷能级,与陷阱能级之间的带隙宽度为2.07e V(600nm),导致了Al N纳米螺旋600nm的长余辉效应。研究了Al N晶体生长初期W和Ta衬底对Al N晶体的形核习性的影响和Al N晶体接长实验工艺过程,成功获得了Al N多晶锭。形核习性研究结果表明:作为材料的本征性质,表面迁移能(Surface Potential Energy,SPE)和异质形核能(Heterogeneous Nucleation Energy,HNE)对Al N形核数量和位置有着显着的影响,并且可以通过改变衬底的表面形貌来调整SPE和HNE的大小,达到控制Al N晶体形核数量和形核位置的目的。将Al N初期形核阶段归纳为叁个步骤,(i)肖特基接触形成过程:衬底的功函数决定着Al N原子在衬底上的吸附能力,影响晶核的形核密度;(ii)吸附Al N原子在衬底表面的迁移:在原子迁移过程中原子被衬底的表面势能束缚,较大的表面势能差为原子提供稳定的位置;(iii)Al N的形核:处于稳定位置原子的形核过程需要克服异质形核能。晶体接长工艺研究结果表明:Ta C衬底上具有(0001)、(10ˉ11)和(10ˉ10)生长面的晶核容易长大,并能在晶锭生长过程中形成大晶粒。获得了直径为30mm、高度为22mm的Al N多晶锭和尺寸为8mm×8mm的单晶晶粒。随着生长时间的延长,Al N晶体质量逐渐提高,生长120h后的Al N晶体表面E2(high)的拉曼位移峰半峰宽为7cm-1、(0002)向摇摆曲线半峰宽为0.15o。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2015-12-01）
王颖,刘扶阳,刘威,纪莹,刘晓旸[5]（2014）在《化学气相传输法合成MnIn_2S_4及磁学性质研究》一文中研究指出以气相传输(CTV)方法首次合成出具有四角锥形貌的叁元立方相化合物MnIn2S4。通过XRD测试显示这种特殊形貌的MnIn2S4属于立方晶系。我们在磁场范围为0-150 KOe和在温度范围4-300 K对Mn In2S4进行了磁学测试,结果通过零场冷(ZFC)和场冷(FC)曲线确定MnIn2S4具有反铁磁特性,且转变温度高达12 K。进一步探讨了MnIn2S4的形貌与磁性状态的可能形成机制。(本文来源于《第十叁届固态化学与无机合成学术会议论文摘要集》期刊2014-08-17）
齐海涛,张丽,洪颖,史月增,郝建民[6]（2014）在《气相传输法生长超长AlN晶须》一文中研究指出研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术。通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状叁种形貌的AlN晶须。柱状晶须长度可达35 mm,直径1μm左右。通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系。低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱。随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{11-02}面,形貌变为笔直的台梯状。继续增加压力,{101-0}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2014年04期）
马剑平,刘洋,藏源[7]（2014）在《物理气相传输法生长氧化锌晶体》一文中研究指出以高纯氧化锌粉为升华源,采用物理气相传输法(PVT)法在1500℃下生长出了ZnO多晶体,生长速率达0.24 mm/h。样品XRD测试和拉曼分析表明,无籽晶自发成核生长的ZnO多晶体不仅具有六方纤锌矿结构,而且具有c轴方向择优生长特征。实验结果表明了PVT法可以进行大尺寸ZnO晶体的生长,并且可以达到0.2 mm/h以上的生长速率。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年01期）
于锦,董四清,张渝,白丽[8]（2011）在《化学气相传输法分离相邻四元混合轻稀土氧化物》一文中研究指出基于稀土氯化物在高温时与KCl生成气态配合物KRECl4的热力学行为差异,将稀土氯化物和KCl按摩尔比1∶1混合,另将稀土氧化物、NH4Cl和KCl按RE:N∶KCl=1∶6∶1(RE=La、Ce、Pr、Nd)的摩尔比混合,进行化学气相传输反应,研究混合稀土化合物的分离特性。实验结果显示,单一轻稀土氧化物-NH4Cl-KCl传输反应在650℃~800℃的温度范围内稀土沉积量PrCl3>NdCl3>LaCl3>CeCl3。四元相邻混合轻稀土氯化物-KCl传输反应,在不同温度区域内最大分离系数分别为SFLa/Ce(5)=2.51,SFPr/La(5)=3.86,SFNd/La(4)=2.61,SFPr/Ce(5)=9.76,SFNd/Ce(4)=4.28,SFNd/Pr(2)=2.50。四元相邻混合轻稀土氧化物-NH4Cl-KCl传输反应,在不同温度区域内最大分离系数分别为SFLa/Ce(2)=3.01,SFPr/La(6)=3.31,SFNd/La(4)=2.47,SFPr/Ce(5)=8.84,SFNd/Ce(6)=5.02,SFNd/Pr(2)=2.02。(本文来源于《稀土》期刊2011年03期）
戴培赟,史永贵,杨建锋,刘光亮,程基宽[9]（2010）在《籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响》一文中研究指出将块体SiC单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理气相传输法生长SiC晶体,生长时间为10min。用光学显微镜观察晶片生长前后的形貌,讨论了不同处理工艺籽晶对晶体生长的影响。结果表明,研磨和抛光可以去除晶体切割时产生的凹坑和划痕,但残留的研磨变质层和抛光导致的机械损伤层可诱导晶片在高温晶体生长时产生多晶成核,腐蚀可以去除研磨和抛光时产生的机械损伤层,用腐蚀后的晶片作为籽晶,生长的晶体表面光滑,并且能够很好地复制籽晶的结构。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2010年08期）
王文军,左思斌,鲍慧强,王刚,王军[10]（2009）在《物理气相传输法AlN单晶生长》一文中研究指出III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光转向了AlN晶体。AlN具有和GaN完全相同的纤锌矿结构,对GaN的晶格失配率仅为2.4%,热膨胀系数和GaN几乎完全相同。因此,AlN是制作GaN基深紫外发光二极管、高电子迁移率晶体管等器件的理想衬底材料,同时,AlN也是制作AlN基紫外光电器件的最佳衬底,大尺寸、高质量的AlN单晶生长研究近来备受关注。(本文来源于《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》期刊2009-11-06）
气相传输法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
晶体的生长原生面在一定程度上能反应出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息。采用激光共聚焦显微镜偏光拼接技术和原子力显微镜对物理气相传输法生长的4H、6H-SiC单晶原生小面的表面形貌进行了观察和测试。偏光显微镜和原子力显微镜测试结果显示4H-SiC原生小面扩展后,其周边趋向于形成六边形的生长台阶;而6H-SiC原生小面扩展后,其周边趋向于形成圆形的生长台阶。基于Jackson双层界面模型,从热力学角度计算了4H、6H-SiC单晶的Jackson因子α分别为33.15和31.87,故导致4H、6H-SiC单晶原生小面台阶形貌差异的是生长界面的粗糙程度和生长温度。原生面上的微管缺陷是生长台阶的起源,借助原子力显微镜对多个微管进行了测试。由测试结果可知,微管直径分布在760 nm–6.0 um之间,相应的伯格斯矢量绝对值分布在5c~14c,微管直径与伯格斯矢量平方值的商D/B2分布在11.1~23.6 nm~(–1)之间,即通过原子力显微镜测试获得的微管结构数据不严格遵守Frank理论。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
气相传输法论文参考文献
[1].贺广东,王琦琨,雷丹,龚建超,黄嘉丽.物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析[J].人工晶体学报.2019
[2].崔潆心,胡小波,徐现刚.物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究[J].无机材料学报.2018
[3].张子明,辛鑫,严清峰,李强,杨轶.两步加热化学气相传输法合成~3mm正交相黑磷单晶（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2016
[4].金雷.物理气相传输法生长氮化铝晶体的机制研究[D].哈尔滨工业大学.2015
[5].王颖,刘扶阳,刘威,纪莹,刘晓旸.化学气相传输法合成MnIn_2S_4及磁学性质研究[C].第十叁届固态化学与无机合成学术会议论文摘要集.2014
[6].齐海涛,张丽,洪颖,史月增,郝建民.气相传输法生长超长AlN晶须[J].硅酸盐通报.2014
[7].马剑平,刘洋,藏源.物理气相传输法生长氧化锌晶体[J].人工晶体学报.2014
[8].于锦,董四清,张渝,白丽.化学气相传输法分离相邻四元混合轻稀土氧化物[J].稀土.2011
[9].戴培赟,史永贵,杨建锋,刘光亮,程基宽.籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响[J].硅酸盐学报.2010
[10].王文军,左思斌,鲍慧强,王刚,王军.物理气相传输法AlN单晶生长[C].第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2009