导读:本文包含了氢施主杂质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光电子学,束缚能,变分法,氢施主杂质
氢施主杂质论文文献综述
尹新,王海龙,龚谦,封松林[1]（2013）在《GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。(本文来源于《量子电子学报》期刊2013年02期）
黄锦胜,林少光,林凯燕,陈国贵[2]（2013）在《外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子》一文中研究指出利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小.(本文来源于《五邑大学学报(自然科学版)》期刊2013年01期）
郑冬梅,王宗篪[3]（2012）在《应变纤锌矿GaN/Al_χGa_(1-χ)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能的压力效应》一文中研究指出考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂质位置及量子点结构参数(量子点高度、半径、Al含量)的变化关系.结果表明,类氢施主杂质态结合能随流体静压力增大而增大,且在量子点尺寸较小时,流体静压力对杂质态结合能的影响更为显着.受流体静压力的影响,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加而单调减少,且变化趋势加剧;随A1含量增加而增大的趋势变缓.无论是否施加流体静压力,随着类氢施主杂质从量子点左界面沿材料生长方向移至右界面,杂质态结合能在量子点的右半部分存在一极大值.流体静压力使得极大值点向量子点中心偏移.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2012年04期）
孟婧[4]（2012）在《低维半导体量子结构中氢施主杂质电子态的研究》一文中研究指出随着半导体纳米技术的发展，人们可以制备出各种类型和形状的二维量子阱、一维量子线、零维量子点等低维量子结构。由于低维纳米结构材料与块体材料相比因其独特的光、电特性，使得低维半导体器件和功能材料在光通信等诸多领域都具有潜在的应用前景。本文在有效质量包络函数近似下采用变分法研究了低维半导体纳米结构中的电子态，主要研究内容如下：1.简单地介绍了低维半导体材料的有关概念和低维半导体的主要类型,给出了几种具体的低维半导体材料的外延生长方法，列举了几种可应用于光通信中的半导体器件。2.在有效质量包络函数近似下，我们用变分法研究了对称双量子阱GaN/Al x Ga1-xN异质结构中氢施主杂质的基态束缚能，计算结果表明，当双量子阱中间势垒宽度一定时，随着阱宽的增大束缚能先是逐渐增大直到达到一个极大值，然后开始逐渐减小。在量子阱宽度一定时，随着中间垒宽度的增加束缚能逐渐减小，并在中间势垒宽度增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似，束缚能不再发生明显变化。与此同时，我们研究了加入电场后异质结构的电子态。加入电场后异质结构导带势能发生了明显的倾斜。由于导带势能的变化从而影响了异质结构其他性质的变化。3.研究了有无外加电场时对称双量子线异质结构中Gax In1xAs/Ga0.20In0.80As0.44P0.56氢施主杂质的电子态。结果表明，加入电场后双量子线导带势能发生了明显的变化。为了更好地了解该异质结构的性质，分别计算了加入电场和未加电场两种情况下束缚能和波函数随施主位置变化的关系，同时还研究了量子线中间势垒层宽度一定时束缚能随量子线直径变化关系以及量子线直径一定时束缚能随量子线势垒宽度的变化关系。当量子线直径为定值其势垒宽度达到一定值时，束缚能发生明显的变化，这是因为当量子线势垒宽度足够大时，双量子线之间的耦合作用较小，从而其性质类似于单个量子线。最后，研究了在量子结构一定时加入不同电场强度时施主杂质分别在左量子线中心、中间势垒中心、右量子线中心时束缚能的变化。4.我们在有效质量包络函数近似下用变分法研究了Gax In1xAs/Ga0.20In0.80As0.44P0.56量子点中类氢施主杂质的电子态。随着施主位置的变化束缚能关于异质结构中心对称，先增大并在达到一个峰值时开始减小。计算出了杂质的基态束缚能以及杂质的前四个能级，发现杂质的能级随着量子点直径的增加而减小。类氢施主杂质的位置和量子点尺寸对束缚能都有较为明显的影响。其中，氢施主杂质的束缚能不是量子点直径的单调函数，而是先增加至一最大值后开始逐渐减小。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2012-04-01）
贾亚磊[5]（2012）在《纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中的激子态和类氢施主杂质态》一文中研究指出在纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中存在着由压电极化和自发极化引起的很强的内建电场，它对量子阱的性质有着很大的影响。本论文在有效质量近似理论和包络函数理论的基础上，考虑内建电场的作用，运用变分的方法计算了纤锌矿InGaN/GaN量子阱结构中的激子态，垒宽对纤锌矿InGaN/GaN量子阱结构中激子态的影响和纤锌矿结构staggered InGaN/GaN量子阱中的类氢施主杂质态，分析研究了它们的相关性质随量子阱结构参数的变化规律，并且探讨了内建电场和量子受限的竞争效应。对计算结果讨论后得出如下结论。在纤锌矿结构In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中，内建电场、阱宽以及In含量对基态激子的结合能、带间光跃迁能和积分吸收几率有着很大的影响。随着阱宽的变化激子结合能有一个极大值。对任意的InGaN/GaN量子阱，内建电场的存在使激子结合能、带间光跃迁能和积分吸收几率下降。In含量的变化对窄阱内的激子态和相关光学性质影响非常明显；而内建电场对宽阱内的激子态和相关光学性质影响更显着。特别地，由于内建电场的作用，当InGaN/GaN量子阱的阱宽大于4nm时积分几率下降到零，这与不考虑电场时有着很大的不同。有限垒宽模型下，纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中的基态激子的结合能、带间光跃迁能和积分吸收几率明显地依赖于垒宽及其它结构参数。当垒宽增加时，激子结合能和积分吸收几率都是先减小然后当垒宽大于8nm时不再变化。而带间光跃迁能在垒宽大于某一垒宽时也不再随垒宽变化而改变，而且这一垒宽随阱宽的增加而增加。随着阱宽的增加，激子结合能和积分吸收几率都有一个极大值而带间光跃迁能却一直下降。特别地，当阱宽大于6nm时，积分吸收几率趋近于零。当In含量增加时，对于窄量子阱，由于内建电场和量子受限的竞争，激子结合能先增加后减小；而对于宽量子阱，激子结合能一直减小。在staggered In_(0.2)Ga_(0.8)N/In_yGa_(1-y)N量子阱中，类氢施主杂质结合能随着杂质位置的变化有一个极大值而且这个极大值对应的杂质位置在In_yGa_(1-y)N层中。对于任意位置的杂质，当In含量y大于0.125时，施主结合能对In含量y的增加变化不明显。随着阱宽L的增加，对于位于z_i=-L，-L/2，0和L/2的杂质，施主结合能逐渐下降。而对于位于In_(0.1)Ga_(0.9)N右边界的杂质来说，由于staggered型量子阱的受限作用和内建电场作用的相互竞争，施主结合能在2nm附近有一个极小值，直到阱宽大于3nm时，施主结合能不再随阱宽的增加而变化。(本文来源于《河南师范大学》期刊2012-03-01）
郑冬梅,王宗篪,肖荣辉[6]（2010）在《纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态》一文中研究指出在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较。结果表明:由我们选取的两变分参数波函数得到的结果与前人选取的两变分参数波函数得到的结果相比有所改进,而与选取一个变分参数波函数得到的结果一致。同时我们还计算了体系的维里定理值随量子点半径的变化情况,所得结果与前人工作结果一致,说明本文选取的两变分参数波函数能很好地描述柱形量子点中施主杂质态的运动。(本文来源于《发光学报》期刊2010年05期）
郑冬梅,王宗篪[7]（2010）在《氮化物柱形量子点中类氢施主杂质态波函数的研究》一文中研究指出在有效质量近似和变分原理的基础上,选取叁个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、ρ0的变化规律。计算结果表明:叁个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、ρ0的变化规律一致,但对比叁个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明各向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为。(本文来源于《叁明学院学报》期刊2010年04期）
惠萍[8]（2009）在《类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算》一文中研究指出利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ω的增加而增大.E1-r0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ω的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在r0<60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显.在r0>60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0<70nm区域,随着角动量me从0增加到3,E1-r0和Eb-r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着me的增加而快速增大.在r0>80 nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于me值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小.库仑能不可以作为微扰项来处理.(本文来源于《广东教育学院学报》期刊2009年05期）
吴慧婷[9]（2009）在《球形量子点中类氢施主杂质电子结构的研究》一文中研究指出由于量子点内部电子在各个方向上的运动都受到限制,量子局限效应特别显着。它直接影响量子点的各种性质,如电子结构,输运性质及光学性质等。电子态的计算是一个基本而且重要的问题,电子态是设计不同光电设备的基础,它为低维物理的发展提供更为广阔的前景。目前由于量子点生长技术的飞速发展,量子点电子结构的理论研究仍为当今的研究热点。在近几十年里,以宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN为基的量子点由于其在光学、光电子学领域的广泛应用而受到了人们的普遍关注。本文应用平面波展开法对闪锌矿结构的GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的电子结构进行了研究,主要内容如下:1.系统地介绍了量子点的基本概念,综述了量子点的基本性质、制备方法及主要应用。简单地阐述了目前研究量子点电子结构的主要理论方法,并对平面波展开法与变分法进行了比较。2.计算了类氢施主杂质态随量子点半径、Al组分的变化规律,并考虑到了量子点内外电子有效质量差异对杂质态的修正。结果表明,在小量子点、大组分处,有效质量差异引起的对杂质态的修正不能忽略。3.讨论了影响量子点施主杂质结合能的多种因素。计算结果表明:量子点半径、Al组分以及杂质位置对结合能都有很大的影响,具体如下:杂质结合能随着量子点半径的增大先增大后减小,存在一个最大值;随着Al组分的增大,杂质结合能逐渐增大。结合能关于量子点中心对称,且杂质位于量子点中心时,结合能取得最大值,越往边界处越小。4.为了研究外场对量子点结合能的影响,在量子点的生长方向加入电场。外电场使对称位置处的能级发生分裂,能级发生迁移,中心处的结合能降低,并且随电场的增大能级迁移增大。另外,量子点半径越大,外电场对结合能的影响影响也增大。同样研究了磁场对量子点结合能的影响,结果表明:当杂质位于量子点中心时,量子点结合能随着磁场强度的增大而增加,磁场对量子点结合能的贡献随着量子点半径的增大而增大。计算了电磁场共同作用对结合能的影响。结果发现,增大电场强度或减小量子点尺寸都导致了结合能的最大值随着磁场强度的增大而降低。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2009-04-01）
郑冬梅,戴宪起[10]（2007）在《III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响》一文中研究指出在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的叁维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。(本文来源于《贵州师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年01期）
氢施主杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氢施主杂质论文参考文献
[1].尹新,王海龙,龚谦,封松林.GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能[J].量子电子学报.2013
[2].黄锦胜,林少光,林凯燕,陈国贵.外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子[J].五邑大学学报(自然科学版).2013
[3].郑冬梅,王宗篪.应变纤锌矿GaN/Al_χGa_(1-χ)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能的压力效应[J].原子与分子物理学报.2012
[4].孟婧.低维半导体量子结构中氢施主杂质电子态的研究[D].曲阜师范大学.2012
[5].贾亚磊.纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中的激子态和类氢施主杂质态[D].河南师范大学.2012
[6].郑冬梅,王宗篪,肖荣辉.纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态[J].发光学报.2010
[7].郑冬梅,王宗篪.氮化物柱形量子点中类氢施主杂质态波函数的研究[J].叁明学院学报.2010
[8].惠萍.类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算[J].广东教育学院学报.2009
[9].吴慧婷.球形量子点中类氢施主杂质电子结构的研究[D].曲阜师范大学.2009
[10].郑冬梅,戴宪起.III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响[J].贵州师范大学学报(自然科学版).2007