导读:本文包含了小信号等效电路论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:太赫兹技术,小信号模型,异质结晶体管,等效电路模型
小信号等效电路论文文献综述
陈亚培,张勇,孙岩,陆海燕,程伟[1]（2019）在《太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究》一文中研究指出随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好的全频段多偏置S参数特性表征。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2019-05-19）
李博,王军[2]（2019）在《45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术》一文中研究指出为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45nm器件的偏置依赖性。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年02期）
徐智霞,于盼盼,高建军[3]（2016）在《基于微波S参数测试的PIN光探测器小信号等效电路模型的参数提取》一文中研究指出介绍了PIN光探测器的测试系统,具体说明了测试系统中各个组成部分的功能.利用该系统对PIN光探测器的S参数进行了测试,并结合分析法和优化法,在ADS软件中对PIN光探测器的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式及不同偏置电压下模型的参数提取值.结果表明:在1~40 GHz的频率范围内,S参数的模拟结果与测量结果吻合良好,证明了该参数提取方法的有效性.(本文来源于《南通大学学报(自然科学版)》期刊2016年03期）
李志远[4]（2015）在《GaN基电子器件小信号等效电路参数提取与分析》一文中研究指出近年来,由于微波技术的不断发展,微波半导体器件已经在无线通信、遥测系统、导航以及军事领域取得了广泛的应用。GaN作为第叁代半导体材料的代表,因其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和漂移速度、高的热导率及高的抗辐射能力,所以在射频、微波和毫米波等高频以及大功率器件领域中得到广泛应用。目前对GaN基电子器件和电路虽然已经进入了应用阶段,但是电路设计中GaN基HMETs器件模型多沿用GaAs的模型,如Angelov模型、TriQuint模型等。因此建立精确的GaN HMETs等效电路模型对于电路设计、器件性能提升,特别是对器件的大信号建模有着十分重要的指导意义。本文正是以这些问题为出发点,在以下方面进行了具体的研究：1、研究了一种新的方法对AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管小信号等效电路进行参数提取。根据制得的器件的特性,采用了16元件模型。对于寄生电感和寄生电容的提取采取了射频去嵌入技术。而对于小信号参数模型中最为重要且最难提取的寄生电阻部分,利用公式推导出Re(Z12)与Rs的关系,通过迭代计算求解Rs,在得到Rs后可计算出Rd,避免了以往寄生电阻不随器件偏置点变化而变化的弊端,且经过对比传统方法,新方法的拟合效果更令人满意。2、研究了AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管截止频率fT与器件尺寸的关系,进而分析了影响fT的主要参数是gm与栅电容。又研究了器件本征参数变化规律,发现本征跨导gm随频率的升高呈现下降的趋势,其原因可归结于低频时栅源、栅漏之间的表面漏电流区也被调制,这样会增大跨导,当频率升高时,表面陷阱态中的电子来不及响应外加信号的变化,使得跨导降低。3、研究了AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管电流崩塌效应,通过对器件进行栅极电压脉冲测试对比直流的测试结果,发现很明显的电流崩塌效应,同时发现对于不同的栅极脉冲宽度,脉冲宽度越小,器件电流崩塌程度越明显,由于测试器件未做钝化,结合“虚栅”模型分析了电流崩塌效应与器件表面态间的关系。(本文来源于《山东大学》期刊2015-05-06）
何川,王生旺,李斌,王自力,吴志华[5]（2014）在《HEMT器件小信号等效电路低温模型的提取与分析》一文中研究指出高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与分析晶体管微波特性的基础.本文通过测量HEMT器件在低温环境下(10K、77K)直流参数与散射参数(S参数),提出了一种能够直接提取低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各元件参数的方法,并且根据器件的I~V模型分析了低温下直流参数变化的原因.在覆盖10GHz以下频段分别提取栅长为0.15μm与0.3μm两款HEMT器件的小信号等效电路低温模型,实验显示理论计算结果与实测的S参数具有很好的吻合度.(本文来源于《低温物理学报》期刊2014年02期）
何川,王自力,吴志华[6]（2013）在《一种直接提取HEMT器件小信号等效电路低温参数的方法》一文中研究指出高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与研究其微波特性的基础。本文对HEMT器件在低温环境下(10K、77K)直流参数与S参数的测量,提出了一种能够直接提取在低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各元件参数的方法。在覆盖10 GHz以下频段分别提取栅长为0.15μm与0.3μm两款器件的低温参数模型,实验表明理论计算结果与实测的S参数具有很好的吻合度。(本文来源于《2013年全国微波毫米波会议论文集》期刊2013-05-21）
曹杰杰,李斌[7]（2012）在《一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法》一文中研究指出赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。(本文来源于《中国科学院上海天文台年刊》期刊2012年00期）
欧阳丽,高建军[8]（2011）在《垂直腔表面发射激光器的小信号等效电路模型的研究》一文中研究指出结合分析法和优化法,在ADS软件中对垂直腔体表面发射激光器(VCSEL)的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式、参数提取数值及不同偏置电流下模拟结果和测量结果之间的误差,可以清楚的看出,这种提取参数的方法是十分高效的,可以使模拟结果和测量结果之间的误差相对于用单一的分析法提取出来的误差更小。(本文来源于《电子器件》期刊2011年02期）
钮维,王军[9]（2011）在《SiGe HBT非准静态小信号等效电路的参数提取》一文中研究指出提出了一种硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)非准静态效应的小信号等效电路模型的参数提取方法。整个参数提取过程建立在由非准态效应的小信号等效电路推导出的一系列泰勒级数解析公式并结合参数直接法,该方法依赖于测量的S参数,不使用任何的数值优化法,参数提取结果使用CAD仿真验证。结果表明该参数提取方法简单易行,较为精确,该方法能够用到不同工艺SiGe HBT参数提取。(本文来源于《通信技术》期刊2011年04期）
戴维[10]（2011）在《两种晶体管高频小信号等效电路的比较》一文中研究指出在分析晶体管的高频特性时,常用的高频晶体管等效电路有混合π参数等效电路和Y参数等效电路,但这两种等效电路适用于不同的高频放大器中。(本文来源于《科技信息》期刊2011年07期）
小信号等效电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45nm器件的偏置依赖性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
小信号等效电路论文参考文献
[1].陈亚培,张勇,孙岩,陆海燕,程伟.太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2019
[2].李博,王军.45nmMOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术[J].强激光与粒子束.2019
[3].徐智霞,于盼盼,高建军.基于微波S参数测试的PIN光探测器小信号等效电路模型的参数提取[J].南通大学学报(自然科学版).2016
[4].李志远.GaN基电子器件小信号等效电路参数提取与分析[D].山东大学.2015
[5].何川,王生旺,李斌,王自力,吴志华.HEMT器件小信号等效电路低温模型的提取与分析[J].低温物理学报.2014
[6].何川,王自力,吴志华.一种直接提取HEMT器件小信号等效电路低温参数的方法[C].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013
[7].曹杰杰,李斌.一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法[J].中国科学院上海天文台年刊.2012
[8].欧阳丽,高建军.垂直腔表面发射激光器的小信号等效电路模型的研究[J].电子器件.2011
[9].钮维,王军.SiGeHBT非准静态小信号等效电路的参数提取[J].通信技术.2011
[10].戴维.两种晶体管高频小信号等效电路的比较[J].科技信息.2011