导读:本文包含了缺陷特性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:低温环境,电缆终端,尖刺缺陷,局部放电
缺陷特性论文文献综述
王伟敏,郭蕾,白龙雷,项恩新,黄继盛[1]（2019）在《低温下含尖刺缺陷的EPR电缆终端主绝缘局部放电发展特性研究》一文中研究指出为研究EPR电缆终端主绝缘在低温环境下的局部放电发展特性,搭建了-30℃下的局部放电测试系统。采用逐渐加压并保持恒压的加压方式,测量了不同温度下的局部放电信号,分析了不同温度下的局部放电谱图、平均放电量、放电次数分布特征。结果表明:局部放电、平均放电量增长率、平均放电量正(负)半周偏斜度与电缆终端主绝缘尖刺缺陷局部放电发展特性相结合,可以用来表征电缆终端主绝缘局部放电发展的严重程度。(本文来源于《绝缘材料》期刊2019年10期）
朱立峰,潘文远,谢燕,张波萍,尹阳[2]（2019）在《缺陷离子调控对BiFeO_3-BaTiO_3基钙钛矿材料的铁电光伏特性影响》一文中研究指出BiFeO_3-BaTiO_3铁电材料具有优异的压电和铁电性能,近年来受到广泛的关注.该材料既保持了BiFeO_3体系高的自发极化强度Ps的优点,也克服了BiFeO_3体系难以合成纯钙钛矿相等缺点,被认为是非常有前景的铁电、压电以及光伏材料.本文采取传统固相法制备了Bi(Fe_(0.96)Mg_(0.02–x)Ti_(0.02+x))O_3-0.3BaTiO_3铁电陶瓷,并揭示了Mg~(2+)/Ti~(4+)比例的变化对该陶瓷样品的铁电和压电以及光电性能的影响.由于Ti~(4+)取代Mg~(2+)产生电子,导致陶瓷样品的导电性能增加,压电和铁电性能出现恶化,其压电系数d33从x=0的195 pC/N下降至x=0.02时的27 pC/N.与之相反的是, Ti~(4+)取代Mg~(2+)扩宽了陶瓷样品的光吸收范围,使陶瓷样品的禁带宽度由x=0的1.954 eV下降至x=0.02时的1.800 eV.由于偶极子翻转构建的内偏电场和禁带宽度的降低等方面的相互作用,陶瓷样品的光电流密度J由x=0时的3.71 nA/cm~2增加至x=0.02时的32.45 nA/cm~2.(本文来源于《物理学报》期刊2019年21期）
熊扬恒,吴昊,高建树,陈文,张景超[3]（2019）在《参杂缺陷石墨烯的高分子复合材料导热特性分子动力学模拟（英文）》一文中研究指出传统高分子材料由于内部分子链无规则缠绕的特点,导致其热导率较小。近年来,拥有高导热特性的新型高分子材料在众多领域都显示出了极大的发展潜力。随着研究的不断深入,具有优秀导热能力的石墨烯等低维碳材料引起越来越多人的关注。引入石墨烯制作的高分子复合材料具有较高的导热性能,在热管理方面具有很大的应用前景。本文使用非平衡态分子动力学方法计算了石墨烯点缺陷对石墨烯-高分子复合材料界面热导和整体热导率的影响。石墨烯层的界面热导受点缺陷密度的影响较大。当石墨烯缺陷密度由0%增大到20%时,其界面热导由75.6 MW·m~(-2)·K~(-1)增加为85.9 MW·m~(-2)·K~(-1)。石墨烯点缺陷造成sp~2共价键断裂、结构刚性下降,导致其振动态密度的低频分量增加,增强了与高分子基质间的低频能量耦合,进而提高了界面热导。而点缺陷密度的增大对复合材料整体热导率也具有相似的提升效果(从40.8 MW·m~(-2)·K~(-1)增加为45.6 MW·m~(-2)·K~(-1))。此外,高分子基体在石墨烯界面处会造成局部密度提高,但石墨烯点缺陷对高分子材料局部密度提升并无显着影响。这些计算结果加深了对石墨烯与高分子基体间导热机理的理解,并有助于开发和设计具有优异热学性能的高分子复合材料。(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年10期）
杜浩,关弘路,玉林威,陈向荣,石广森[4]（2019）在《直流电压下10kV交联聚乙烯电缆气隙缺陷局部放电特性研究》一文中研究指出采用实体电缆制作了典型气隙缺陷模型,利用脉冲电流法研究不同电压下气隙缺陷的直流局部放电特性。根据不同外施电压下气隙缺陷放电量Q和放电重复率N随时间t变化的图谱,提取出两类典型统计特征H(q)和H(Δt)。结果表明,气隙缺陷的局部放电起始电压为-14.5 kV;气隙缺陷的Q-t图谱呈"山丘"状,放电量Q和放电重复率N随外施电压升高而升高;随着外施电压升高, H(Δt)的偏斜度和峰度值逐渐增大,表明放电密度随外施电压升高而增加。研究结果为直流XLPE输电电缆局部放电研究提供了数据基础和理论依据。(本文来源于《浙江电力》期刊2019年09期）
童彬[5]（2019）在《p型金属氧化物的缺陷调控及气敏特性研究》一文中研究指出p型金属氧化物半导体(MOS)具有丰富的结构多样性、优异的表面物理化学特性及对挥发性有机物(VOCs)具有良好的光催化性能等,可以作为n型MOS气体敏感材料的强有力补充,具有重要的研究与应用价值。然而,p型MOS气体传感器固有的低响应灵敏度限制了其应用。本文采用真空退火、Ar&H2等离子体处理及异质掺杂等方法对p型MOS的表面缺陷进行调控,重点研究了氧缺陷对p型MOS气敏性能的影响,具体的研究成果与创新点如下:1.采用真空退火的方法提升p-CuCrO2气体传感器对VOCs的响应灵敏度。研究了两种不同粒径的铜铁矿型CuCrO2(CCO)纳米颗粒的VOCs响应特性。气敏测试结果表明,单电离氧空位(Vo)缺陷而非粒径在增强VOCs分子/CCO界面电荷交换方面起着重要作用。为进一步验证这个观点,通过真空退火引入更多的Vo·缺陷,随着Vo·浓度的增加,灵敏度也随之增大。这种增敏机理可以从两个方面来解释:一是Vo·的增加使传感器的空穴浓度降低,增大了基线电阻,二是Vo·中的未配对电子为环境中氧分子和VOCs分子的化学吸附提供了更多的活性位点。此外,这种敏感的(富Vo·缺陷)CCO传感器在中等工作温度(<325℃)下表现出良好的重复性和稳定性。通过真空退火的缺陷调控方法诱导产生的Vo·缺陷,可有效地提高p型叁元氧化物传感器的VOCs响应性能,为设计高性能p型MOS气体传感器做了有益尝试。但由于真空处理在调控表面Vo·的同时,也不可避免的引入体Vo·,而体Vo·不利于载流子的快速传输,进而限制p型传感器的气敏性能进一步提升,下一部分工作提出了一种简便的表面氧空位缺陷调控方法。2.采用Ar&H2等离子体处理技术调控p-CuAlO2气体传感器的气敏性能。与其它缺陷工程方法相比,Ar&H2等离子体处理技术可以精确地产生表面Vo缺陷而不影响其体性能,这对于充分发掘气体与MOS气体传感器界面电荷交换的潜力至关重要。研究表明,等离子体处理30min后,传感器对丙酮、乙醇等VOCs的响应显着增强。系统的缺陷表征表明,A&H2等离子体处理后传感器表面的Vo缺陷显着增加,即响应灵敏度与Vo缺陷的浓度呈正相关关系。这与Vo缺陷作为VOCs分子吸附和氧化还原反应的活性中心的最新研究进展相一致。但由于Ar＆H2等离子体处理诱导产生的Vo缺陷在高温空气氛围下测试时会不断被消耗,以致p-CuAlO2传感器稳定性较差。下一部分开展了异质掺杂调控Vo缺陷及其稳定性研究的工作。3.采用Sc掺杂增强p-NiO气体传感器对VOCs分子的气敏性能(灵敏度和稳定性)。掺杂量为7.4at.%时,传感器对100ppm丙酮的响应灵敏度从8.2(未掺杂NO)提高到109.4,检出限达到10ppb。系统的缺陷表征表明,Vo缺陷对p-NiO传感器的VOCs响应有显着的促进作用,而非常认为的Ni3+。异质掺杂剂Sc可以改变NiO表面的配位性质,有利于在其表面形成大量稳定的Vo缺陷,为VOCs分子的吸附和随后的表面氧化还原反应提供更多的活性位点。4.通过改变退火温度对p-CuScO2的电阻进行了近8个数量级的调控,进而实现在室温下研究表面吸附水对p-CuScO2的氨气响应极性的影响。实验利用了具有独特氧间隙掺杂能力的铜铁矿CuScO2,在不改变形貌结构的条件下通过空气退火的方式对其电阻进行了近8个数量级的调制。研究结果表明,在室温潮湿空气中CuScO2对氨气分子呈n型响应特性,而在干燥空气中对氨气和其他挥发性有机化合物显示出正常的p型响应特性,表明水的存在对室温传感器的“响应极性”起着重要作用。这种传感机制为设计在潮湿环境中工作的高灵敏度室温传感器提供有价值的指导。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-10-01）
陈海霞,丁继军[6]（2019）在《ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究》一文中研究指出ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构和光学特性。结果表明,随着Zn缓冲层溅射时间的增加,ZnO薄膜中的紫光峰向长波段发生了红移,且所有的发光峰强度逐渐增加;缓冲层和真空中退火都使得样品中有过量的Zn原子缺陷出现,薄膜中所有的发光峰与Zn原子缺陷相关。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
徐志祥,黄义敏,王铮恭,王雨,黄建华[7]（2019）在《带涂层圆柱形零件表面缺陷的激光超声特性》一文中研究指出采用激光超声技术探究带涂层圆柱形零件表面缺陷的检测原理,基于有限元法建立了带有涂层金属圆柱形零件表面的数值模型,展开了带涂层圆柱表面缺陷激光超声特性的研究。通过数值模拟分析了涂层以及表面缺陷深度与激光超声表面波之间的关系。研究结果表明:涂层的存在会造成圆柱表面瑞利波的色散,且色散程度与涂层厚度有关;当表面有裂纹存在时,经过缺陷反射后的信号中存在与缺陷深度相关的特征波峰RR与RS,并且RR与RS到达的时间差!t与缺陷深度之间存在着分阶段线性关系,临界点与涂层厚度有关;经过缺陷后的透射信号的频域波形幅值随着缺陷深度的增加而减小。(本文来源于《无损检测》期刊2019年09期）
刘民[8]（2019）在《气隙缺陷下SF6直流局部放电特性研究》一文中研究指出高压电气设备内不同绝缘缺陷产生的局部放电特性存在差异,掌握SF6绝缘设备内部气隙缺陷直流局部放电的特性,有助于掌握设备绝缘状态评估。本项目构建气隙绝缘缺陷物理模型及直流正极性局部放电实验平台,获取直流正极性局部放电随放电时间延长的特性。结果表明,局部放电发展分为几个阶段;各阶段内放电发生较为随机;气隙击穿前放电脉冲放电量平均值逐步升高、单位时间内总放电量逐步降低、放电间隔平均值逐步延长。本文的研究为SF6直流气体组合电器绝缘状态的评估和故障诊断奠定理论和实验基础。(本文来源于《轻工科技》期刊2019年09期）
王磊,张冉冉,方炜[9]（2019）在《含缺陷碳纳米管及碳纳米豆荚静动力特性模拟研究》一文中研究指出采用分子动力学方法,对含双空位及多空位缺陷碳纳米管进行静动力特性模拟研究.首先讨论了双原子空位缺陷以及多原子空位缺陷对碳纳米管的准静态力学性质的影响,然后讨论了缺陷以及轴向预应力对碳纳米豆荚内C60分子振荡动力学的影响.研究表明,相对于无缺陷碳纳米管,含不同类型双原子空位缺陷碳纳米管的极限应力、极限应变和弹性模量都大幅下降;当碳纳米管缺陷原子较多,缺陷连接在一起形成类似裂纹之后,使得碳纳米管轴向抗压性能大幅降低,裂纹沿周向发展相比于裂纹沿轴向发展,其抗压能力下降得更多,这类似于含裂纹的壳体模型结构抗压性能的下降;缺陷碳纳米豆荚中C60分子的振荡频率受到缺失的碳原子数的影响,单原子空位缺陷使得C60分子的振荡频率增大,但随着空位数的增多, C60分子的振荡频率会逐渐减小;当缺陷碳纳米豆荚存在轴向预应力时, C60分子的振荡不仅受到缺陷影响,同时还受到轴向预应力的影响,这使得C60分子振荡变得更为复杂.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
赵海霞,方铉,王颜彬,房丹,李永峰[10]（2019）在《ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究》一文中研究指出ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化的ZnO/ZnS核壳纳米线,再利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及光致发光光谱(PL)等测试表征手段,分析并讨论经过不同程度硫粉硫化后的ZnO/ZnS核壳纳米线界面处的结构及其光学性质的变化。通过分析ZnO/ZnS核壳结构形貌发现,ZnS成功包覆ZnO纳米线。随着硫化程度的增加,ZnO核结构被破坏,并在核壳界面处引入缺陷,导致形成具有不同结晶质量的ZnO/ZnS核壳纳米线结构,从而会影响ZnO/ZnS核壳纳米线的光学性质。结果表明,ZnO/ZnS核壳界面处缺陷较少时,对载流子的产生和传输具有一定的束缚作用,可以抑制非辐射复合效应,提高材料光学性能;当界面缺陷增加时,形成的缺陷能级则会降低材料的光学性能。(本文来源于《中国光学》期刊2019年04期）
缺陷特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
BiFeO_3-BaTiO_3铁电材料具有优异的压电和铁电性能,近年来受到广泛的关注.该材料既保持了BiFeO_3体系高的自发极化强度Ps的优点,也克服了BiFeO_3体系难以合成纯钙钛矿相等缺点,被认为是非常有前景的铁电、压电以及光伏材料.本文采取传统固相法制备了Bi(Fe_(0.96)Mg_(0.02–x)Ti_(0.02+x))O_3-0.3BaTiO_3铁电陶瓷,并揭示了Mg~(2+)/Ti~(4+)比例的变化对该陶瓷样品的铁电和压电以及光电性能的影响.由于Ti~(4+)取代Mg~(2+)产生电子,导致陶瓷样品的导电性能增加,压电和铁电性能出现恶化,其压电系数d33从x=0的195 pC/N下降至x=0.02时的27 pC/N.与之相反的是, Ti~(4+)取代Mg~(2+)扩宽了陶瓷样品的光吸收范围,使陶瓷样品的禁带宽度由x=0的1.954 eV下降至x=0.02时的1.800 eV.由于偶极子翻转构建的内偏电场和禁带宽度的降低等方面的相互作用,陶瓷样品的光电流密度J由x=0时的3.71 nA/cm~2增加至x=0.02时的32.45 nA/cm~2.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缺陷特性论文参考文献
[1].王伟敏,郭蕾,白龙雷,项恩新,黄继盛.低温下含尖刺缺陷的EPR电缆终端主绝缘局部放电发展特性研究[J].绝缘材料.2019
[2].朱立峰,潘文远,谢燕,张波萍,尹阳.缺陷离子调控对BiFeO_3-BaTiO_3基钙钛矿材料的铁电光伏特性影响[J].物理学报.2019
[3].熊扬恒,吴昊,高建树,陈文,张景超.参杂缺陷石墨烯的高分子复合材料导热特性分子动力学模拟（英文）[J].物理化学学报.2019
[4].杜浩,关弘路,玉林威,陈向荣,石广森.直流电压下10kV交联聚乙烯电缆气隙缺陷局部放电特性研究[J].浙江电力.2019
[5].童彬.p型金属氧化物的缺陷调控及气敏特性研究[D].中国科学技术大学.2019
[6].陈海霞,丁继军.ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究[J].功能材料.2019
[7].徐志祥,黄义敏,王铮恭,王雨,黄建华.带涂层圆柱形零件表面缺陷的激光超声特性[J].无损检测.2019
[8].刘民.气隙缺陷下SF6直流局部放电特性研究[J].轻工科技.2019
[9].王磊,张冉冉,方炜.含缺陷碳纳米管及碳纳米豆荚静动力特性模拟研究[J].物理学报.2019
[10].赵海霞,方铉,王颜彬,房丹,李永峰.ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究[J].中国光学.2019