导读:本文包含了全局应变论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双目视觉,全局预测,应变模态,模态扩展
全局应变论文文献综述
邓华夏,陈帅,王君,张进,马孟超[1]（2018）在《利用有限测点的振动位移预测全局应变的研究》一文中研究指出在结构的健康监测中,应变和位移是较为常用的监测对象。传统的位移和应变获取主要采用接触式测量,如粘贴加速度传感器或应变片,虽然这种方法应用广泛但是对于轻质或旋转结构较为困难。非接触测量由于没有附加质量故可以获得较为精确的振动位移,但如何利用位移获取全局应变的研究还相对缺少。本文主要采用双目立体视觉技术获取结构上有限测点的振动位移,通过模态扩展理论将有限测点的位移扩展为全局位移,并根据应变模态与材料力学中应变和位移的关系预测结构的全局应变。在不同的激励情况下,将本文方法的预测结果与应变片测量结果对比,结果表明本文方法具有一定可行性,能够进行全场的非接触式应变测试。(本文来源于《实验力学》期刊2018年05期）
于思远,张阳,唐震,陶颜[2]（2018）在《为了全局“随机应变”:战略性即兴行为与竞争优势形成机制》一文中研究指出企业的战略性即兴行为,即企业在面临由环境变化引起的非预期情况时,自发地利用现有资源,协同相关主体所采取的计划与实施同步发生的、创造性的应对行为。本文通过对两家大型企业的纵向对比案例研究,试图打开企业所采取的战略性即兴行为与其竞争优势之间的"黑箱"。研究发现:首先,企业在发展的不同阶段均会自发采取即时的、含有创造性意图的战略性即兴行为,并且可将其分为应激防御型、主动出击型两类。其次,企业所采取的战略性即兴行为会产生新的行动模式、机制、设施和新的解释框架。最后,战略性即兴行为形成的组织记忆促使企业降低生产运营成本,为顾客创造更多价值,为企业带来竞争优势。其中,战略性即兴行为所产生的新的行动模式、机制、设施倾向于演化成显性的、陈述性的企业记忆,而新的解释框架则会演化成隐性的、过程性的企业记忆。本文的结论可以丰富现有的战略性即兴研究,对于弥补资源基础观在企业能力与竞争优势之间作用机制的逻辑断层有一定的理论价值。(本文来源于《外国经济与管理》期刊2018年03期）
赵程,田加深,松田浩,赵春风,鲍冲[3]（2015）在《单轴压缩下基于全局应变场分析的岩石裂纹扩展及其损伤演化特性研究》一文中研究指出采用自主开发的图像分析软件结合数字图像相关技术对含预制单裂纹的类岩石材料在单轴压缩下的变形破坏特性进行试验研究。基于试件全局应变场角度,从细观层次量化分析、总结裂纹起裂、扩展的规律及岩石变形损伤演化特征。并采用断裂分析软件FRANC2D/L对相似模型进行数值模拟,分析在加载全程不同阶段的裂纹扩展路径及其应力场分布特征。结合试验与数值研究结果,细致地探讨裂隙岩石的细观力学机制与宏观力学响应之间的内在联系,该研究有助于提升人们对节理岩体工程灾变机制的认识。(本文来源于《岩石力学与工程学报》期刊2015年04期）
夏育颖,王骑,廖海黎,罗焱[4]（2014）在《瓦楞板全局应变极限研究》一文中研究指出瓦楞板在土木、航空、航海工程中均得到广泛应用,而瓦楞结构的设计和优化则需要变形极限作为设计约束。基于周期均匀化理论,推导了瓦楞板局部应变和等效全局应变之间的关系并获得最大应变值;在此基础上,依据最大应变判据,推导了不同载荷条件下的全局应变极限的分析解。本方法形式简约、精度高,且对任意波纹形状均适用。最后,本文讨论了波纹几何参数对瓦楞板全局应变极限的影响。(本文来源于《四川建筑科学研究》期刊2014年06期）
刘旭焱,王爱华,崔明月,秦怡,鲁道邦[5]（2014）在《绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征》一文中研究指出首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆。结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa。应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年02期）
刘旭焱,崔明月,海涛,王爱华,蒋华龙[6]（2013）在《超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究》一文中研究指出采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品。实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年11期）
刘旭焱,王爱华,蒋华龙,濮春英,姚文华[7]（2013）在《超薄SGOI衬底上全局应变Si的制备和表征》一文中研究指出应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能.(本文来源于《南阳师范学院学报》期刊2013年03期）
林钧锋,庄榕榕,周小方,王海光,付丽萍[8]（2003）在《形(应)变超晶格的退道效应与系统的全局分叉》一文中研究指出把超晶格"折沟道"对粒子的作用等效为形状相似的弱周期调制.利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有外周期弱调制的非线性微分方程,导出了退道系数与晶格畸变的关系.利用多尺度法研究了系统的主共振和子共振,并利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和出现Smale马蹄的临界条件.(本文来源于《原子核物理评论》期刊2003年01期）
全局应变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
企业的战略性即兴行为,即企业在面临由环境变化引起的非预期情况时,自发地利用现有资源,协同相关主体所采取的计划与实施同步发生的、创造性的应对行为。本文通过对两家大型企业的纵向对比案例研究,试图打开企业所采取的战略性即兴行为与其竞争优势之间的"黑箱"。研究发现:首先,企业在发展的不同阶段均会自发采取即时的、含有创造性意图的战略性即兴行为,并且可将其分为应激防御型、主动出击型两类。其次,企业所采取的战略性即兴行为会产生新的行动模式、机制、设施和新的解释框架。最后,战略性即兴行为形成的组织记忆促使企业降低生产运营成本,为顾客创造更多价值,为企业带来竞争优势。其中,战略性即兴行为所产生的新的行动模式、机制、设施倾向于演化成显性的、陈述性的企业记忆,而新的解释框架则会演化成隐性的、过程性的企业记忆。本文的结论可以丰富现有的战略性即兴研究,对于弥补资源基础观在企业能力与竞争优势之间作用机制的逻辑断层有一定的理论价值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
全局应变论文参考文献
[1].邓华夏,陈帅,王君,张进,马孟超.利用有限测点的振动位移预测全局应变的研究[J].实验力学.2018
[2].于思远,张阳,唐震,陶颜.为了全局“随机应变”:战略性即兴行为与竞争优势形成机制[J].外国经济与管理.2018
[3].赵程,田加深,松田浩,赵春风,鲍冲.单轴压缩下基于全局应变场分析的岩石裂纹扩展及其损伤演化特性研究[J].岩石力学与工程学报.2015
[4].夏育颖,王骑,廖海黎,罗焱.瓦楞板全局应变极限研究[J].四川建筑科学研究.2014
[5].刘旭焱,王爱华,崔明月,秦怡,鲁道邦.绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征[J].人工晶体学报.2014
[6].刘旭焱,崔明月,海涛,王爱华,蒋华龙.超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究[J].人工晶体学报.2013
[7].刘旭焱,王爱华,蒋华龙,濮春英,姚文华.超薄SGOI衬底上全局应变Si的制备和表征[J].南阳师范学院学报.2013
[8].林钧锋,庄榕榕,周小方,王海光,付丽萍.形(应)变超晶格的退道效应与系统的全局分叉[J].原子核物理评论.2003