导读:本文包含了锗单晶抛光片论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:半导体,单晶抛光片,清洗技术
锗单晶抛光片论文文献综述
张凇铭[1]（2018）在《半导体单晶抛光片清洗技术分析》一文中研究指出本文以半导体单晶抛光片清洗原理为入手点,结合铬、砷化镓、硅等半导体单晶抛光片污染物质来源,对半导体单晶抛光片清洗技术进行了简单的分析,以便为半导体单晶抛光片清洗效率的提升提供依据。(本文来源于《电子测试》期刊2018年18期）
杨凌[2]（2017）在《年产240万片硅单晶抛光片项目落户航空港》一文中研究指出本报讯（杨凌）7月27日上午，郑州合晶硅材料有限公司年产240万片200毫米硅单晶抛光片生产项目建设动员大会在郑州航空港经济综合实验区举行。省委常委、常务副省长翁杰明，省委常委、郑州市委书记马懿，以及合晶集团股份有限公司董事长焦平海、上海合晶硅材料有(本文来源于《河南日报》期刊2017-07-28）
王云彪,杨洪星,耿莉,郭亚坤[3]（2016）在《超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究》一文中研究指出P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛光片表面质量优劣和稳定性,对于提高锗抛光片加工水平和统一控制标准,具有重要的意义。(本文来源于《中国电子科学研究院学报》期刊2016年05期）
杨洪星,陈晨,王云彪,何远东,耿莉[4]（2016）在《一种高效的锗单晶抛光片清洗液》一文中研究指出以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年02期）
袁绪泽[5]（2015）在《半导体单晶抛光片清洗工艺研究》一文中研究指出半导体单晶抛光片是当前一种十分重要的材料,对于大规模集成电路和半导体器件的应用有着巨大的作用。本文主要以硅、砷化镓、锗等半导体单晶抛光片为例,对其清洗工艺和清洗机理进行了研究。具体来说,先采用氧化性的溶液在抛光片表面产生氧化膜,然后再将形成的氧化膜去除,从而实现抛光片表面杂质和污染物的清除。对这种氧化、剥离的清洗原理进行应用,能够有效的提高半导体单晶抛光片的清洗工艺和技术水平,从而为清洗工艺的优化与改善提供参考和借鉴。(本文来源于《通讯世界》期刊2015年22期）
王云彪,杨洪星,陈亚楠,张伟才[6]（2014）在《硅单晶抛光片边缘亮线研究》一文中研究指出随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析,揭示了"边缘亮线"产生的机理,分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响,通过优化抛光工艺条件,消除了抛光片表面"边缘亮线"缺陷。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2014年05期）
王云彪,张为才,武永超,陈亚楠[7]（2012）在《重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究》一文中研究指出重掺<100>硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测,抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单晶中杂质的分布状况和<100>晶面本身腐蚀特性的关系,阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验,对比了不同工艺条件下抛光片表面微观形貌状况,分析了抛光过程中各工艺条件对表面条纹起伏缺陷的影响,采用3步抛光工艺,得到了表面平整和一致性好的抛光片表面,抛光片边缘无条纹起伏缺陷。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2012年05期）
文泰[8]（2012）在《有研硅股拟定增募资5.87亿 投资8英寸硅单晶抛光片项目》一文中研究指出定增方案5年5稿未成功的有研硅股（600206），今日又公布了非公开发行预案。公司拟以9.73元/股的价格，非公开发行股票6100万股，募集资金5.87亿元，扣除发行费用后用于投资8英寸硅单晶抛光片项目。 公告介绍，8英寸硅单晶抛光片是当前世界(本文来源于《证券时报》期刊2012-08-14）
赵权,杨洪星,刘春香,吕菲,张伟才[9]（2010）在《超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术》一文中研究指出Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。(本文来源于《半导体技术》期刊2010年08期）
吕菲,赵权,刘春香,窦连水[10]（2010）在《磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响》一文中研究指出因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2010年05期）
锗单晶抛光片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本报讯（杨凌）7月27日上午，郑州合晶硅材料有限公司年产240万片200毫米硅单晶抛光片生产项目建设动员大会在郑州航空港经济综合实验区举行。省委常委、常务副省长翁杰明，省委常委、郑州市委书记马懿，以及合晶集团股份有限公司董事长焦平海、上海合晶硅材料有
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锗单晶抛光片论文参考文献
[1].张凇铭.半导体单晶抛光片清洗技术分析[J].电子测试.2018
[2].杨凌.年产240万片硅单晶抛光片项目落户航空港[N].河南日报.2017
[3].王云彪,杨洪星,耿莉,郭亚坤.超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究[J].中国电子科学研究院学报.2016
[4].杨洪星,陈晨,王云彪,何远东,耿莉.一种高效的锗单晶抛光片清洗液[J].半导体技术.2016
[5].袁绪泽.半导体单晶抛光片清洗工艺研究[J].通讯世界.2015
[6].王云彪,杨洪星,陈亚楠,张伟才.硅单晶抛光片边缘亮线研究[J].电子工艺技术.2014
[7].王云彪,张为才,武永超,陈亚楠.重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究[J].电子工艺技术.2012
[8].文泰.有研硅股拟定增募资5.87亿投资8英寸硅单晶抛光片项目[N].证券时报.2012
[9].赵权,杨洪星,刘春香,吕菲,张伟才.超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术[J].半导体技术.2010
[10].吕菲,赵权,刘春香,窦连水.磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响[J].电子工业专用设备.2010