导读:本文包含了双端固支硅纳米梁论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微纳机电系统,双端固支硅纳米梁,压阻检测,Ar离子注入
双端固支硅纳米梁论文文献综述
赵全斌[1]（2007）在《基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究》一文中研究指出NEMS谐振器作为痕量传感器在生化检测等领域应用获得广泛关注，而纳米尺度下器件的谐振特性检测成为一个关键技术问题。在硅基谐振器特性的主要检测方法中，压阻检测方法因易于实现、易于与器件集成等优点而应用甚多，但是在纳米厚度的NEMS谐振器上形成压阻器件是实现压阻检测的一个挑战。本文工作主要探索硅纳米谐振器上压阻检测的实现方法，以促进器件的实际应用。本文创新性地提出利用Ar离子选择性注入纳米厚度的双端固支硅纳米梁，以形成压阻器件的技术方案。其基本原理是，注入的高能量Ar离子，破坏了硅梁单侧的原子结构，形成纳米厚度的硅无定形区域。未经退火修复的无定型硅中具有大量的断裂价键，其电导率明显下降，而无Ar离子注入的其他部分则保持原有的原子结构和电导率，在纳米梁的厚度方向上形成电导梯度，从而表现出压阻特性。本文总结介绍了微纳器件相关的主要噪声和阻尼机制，对双端固支梁的谐振频率和其谐振模态进行了理论分析计算，完成了NEMS谐振器的结构设计。在比较分析了微纳谐振器的激励方式的基础上，确定以静电激励作为我们实验的激励方式。同时，介绍了硅的压阻性质，并分析了本文工作所涉及的硅纳米梁器件的压阻电阻变化率。本文采用基于MEMS技术的纳米制造方法，重点分析研究了KOH各向异性腐蚀技术的特点，结合体MEMS工艺中的干法刻蚀等关键工艺，在(111)硅片上制作出了厚度约为200nm的双端固支硅纳米梁。利用Ar离子选择性注入方法，在该硅纳米梁上形成了用于实测的压阻器件。本文设计了静电激励和压阻检测电路系统，实现了双端固支硅纳米梁静态和动态特性测量。静态测量表明，Ar离子注入所形成的压阻电阻，相对静态偏置电压的具有0.5％／V左右的变化率。在大气下，实现了双端固支硅纳米梁的谐振特性的检测，得到谐振频率为400KHz，Q值为7.9；对硅纳米梁进行退火后可以获得更高的Q值，达394。我们认为，适度的退火可以对Ar离子注入损伤进行部分修复，降低能量耗散，在保持压阻特性的同时可提高Q值，有利于器件的实际应用。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2007-05-01）
赵全斌,焦继伟,杨恒,林梓鑫,李铁[2]（2006）在《基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究》一文中研究指出我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显着下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.(本文来源于《传感技术学报》期刊2006年05期）
双端固支硅纳米梁论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显着下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双端固支硅纳米梁论文参考文献
[1].赵全斌.基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2007
[2].赵全斌,焦继伟,杨恒,林梓鑫,李铁.基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究[J].传感技术学报.2006