导读:本文包含了分析转移矩阵方法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:分析转移矩阵方法,透射几率,半导体异质结
分析转移矩阵方法论文文献综述
胡静,何英[1]（2011）在《分析转移矩阵方法研究半导体异质结中的隧穿》一文中研究指出用分析转移矩阵方法研究了电子隧道贯穿半导体异质结的性质,给出了包含有效质量变化的任意形状的势垒的透射几率的解析公式.此公式既适用于线性变化的势垒,也适用于非线性变化的势垒.文中应用于四种势垒的隧穿系数的计算,结果都非常精确.单垒结构中,随着电子入射能量的增加,透射几率的曲线将在接近1的数值区域振荡.在半导体异质结形成的双垒结构中会发生隧穿共振现象.(本文来源于《苏州大学学报(自然科学版)》期刊2011年04期）
付国兰,桑明煌,申世华,聂义友,刘叁秋[2]（2003）在《分析转移矩阵方法确定多层平板光波导TM模的色散方程》一文中研究指出分析转移矩阵方法(ATMM)能精确地确定平板光波导的模式特性.本文利用ATMM,导出了非对称多层平板光波导和对称多层平板光波导的TM模的精确色散方程.(本文来源于《江西师范大学学报(自然科学版)》期刊2003年03期）
桑明煌,张祖兴,么晓征,樊明新,詹黎[3]（2003）在《Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析》一文中研究指出将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下Si场致发射的基本方程。应用转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流。得到的结果比WKB近似方法更加接近于FN理论的结果。(本文来源于《光电子·激光》期刊2003年06期）
陆德森,曹庄琪,丁渊,沈启舜[4]（2003）在《渐变折射率平板波导的逆分析转移矩阵方法》一文中研究指出利用分析转移矩阵方法 ,可精确计算任意折射率分布光波导模式的有效折射率。在此基础上 ,提出了逆分析转移矩阵方法 ,根据实验测量的导模有效折射率来拟合光波导的折射率分布 ,取得了比逆WKB方法更为合理的结果。(本文来源于《光学学报》期刊2003年03期）
分析转移矩阵方法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分析转移矩阵方法(ATMM)能精确地确定平板光波导的模式特性.本文利用ATMM,导出了非对称多层平板光波导和对称多层平板光波导的TM模的精确色散方程.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
分析转移矩阵方法论文参考文献
[1].胡静,何英.分析转移矩阵方法研究半导体异质结中的隧穿[J].苏州大学学报(自然科学版).2011
[2].付国兰,桑明煌,申世华,聂义友,刘叁秋.分析转移矩阵方法确定多层平板光波导TM模的色散方程[J].江西师范大学学报(自然科学版).2003
[3].桑明煌,张祖兴,么晓征,樊明新,詹黎.Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析[J].光电子·激光.2003
[4].陆德森,曹庄琪,丁渊,沈启舜.渐变折射率平板波导的逆分析转移矩阵方法[J].光学学报.2003